發(fā)展國(guó)產(chǎn)芯片的核心技術(shù)裝備，國(guó)內(nèi)有家公司將使用最先進(jìn)的光刻機(jī)裝備，鉆研7nm制程的芯片制造。。 有些朋友會(huì)詫異，咱們國(guó)產(chǎn)芯片怎樣會(huì)進(jìn)展到7nm工藝呢，國(guó)際上有些廠商已拋卻了研發(fā)7nm制程芯片，中國(guó)臺(tái)灣的聯(lián)電科技宣告拋卻
2018-10-05 08:16:36
47845 光刻機(jī)是集成電路制造的關(guān)鍵核心設(shè)備，為了在更小的物理空間集成更多的電子元件，單個(gè)電路的物理尺寸越來(lái)越小，主流光刻機(jī)在硅片上投射的光刻電路分辨率達(dá)到50-90nm。
2016-12-13 02:04:1112251 作為近乎壟斷的光刻機(jī)巨頭，ASML的EUV光刻機(jī)已經(jīng)在全球頂尖的晶圓廠中獲得了使用。無(wú)論是英特爾、臺(tái)積電還是三星，EUV光刻機(jī)的購(gòu)置已經(jīng)是生產(chǎn)支出中很大的一筆，也成了7nm之下不可或缺的制造設(shè)備
2021-12-01 10:07:4110988 翁壽松(無(wú)錫市羅特電子有限公司，江蘇無(wú)錫214001)1 32 nm/22 nm工藝進(jìn)展2006年1月英特爾推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特爾將投資90億美元在以下4座
2019-07-01 07:22:23
作為輸入媒介的方法很多，但目前“縮放比率不存在，生產(chǎn)能力也太低”?！ ∨c此同時(shí)，有些立體光刻系統(tǒng)在使用液態(tài)材料時(shí)，其制造物件的范圍有限制（75到10微米）。相對(duì)較先進(jìn)的雙光子聚合方法，它制造出來(lái)的也只有100nm。所以現(xiàn)在就只能得到真正意義上的小尺寸結(jié)構(gòu)了?！?b class="flag-6" style="color: red">電子發(fā)燒友網(wǎng)翻譯，轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處！
2012-12-08 00:07:55
` 本帖最后由 列兵老虎 于 2015-12-25 08:21 編輯
一個(gè)名為伯努瓦（Gislain）的人，用了3年時(shí)間設(shè)計(jì)制造出獨(dú)特電子鐘給人留下難忘印象。在3毫米厚的有機(jī)玻璃上分別安
2015-12-22 17:28:39
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個(gè)數(shù)量級(jí)（從毫米級(jí)到亞微米級(jí)），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù)；使用波長(zhǎng)已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃
2012-01-12 10:51:59
157nm光源、電子束投射、離子投射、X射線和EUV，而從現(xiàn)在的結(jié)果來(lái)看只有EUV是成功了。當(dāng)初由Intel和美國(guó)能源部牽頭，集合了摩托羅拉、AMD等公司還有美國(guó)的三大國(guó)家實(shí)驗(yàn)室組成EUV LLC
2020-07-07 14:22:55
時(shí))。EUV光刻和X光光刻則可以達(dá)到更高的分辨率。然而, 它們存在的掩膜制造困難，且掩膜易被強(qiáng)光損傷等缺陷限制了它們的工業(yè)化生產(chǎn)。而電子束光刻膠極有可能在集成電路線寬降至納米級(jí)時(shí)大顯身手，目前國(guó)外電子束膠
2018-08-23 11:56:31
，4Pa高真空下，用電阻加熱或電子束轟擊加熱方法使材料熔化，并在低氣壓下BZX79C18變成金屬蒸氣沉積在半導(dǎo)體材料表面。
2020-10-30 06:23:39
`請(qǐng)問(wèn)制造出高品質(zhì)的線路板需要哪些條件？`
2020-03-11 15:03:11
電子束沿多層膜表面運(yùn)動(dòng)時(shí)會(huì)產(chǎn)生自發(fā)輻射。分析自發(fā)輻射的精確波長(zhǎng)公式、自發(fā)輻射中電子束品質(zhì)的變化規(guī)律和電子自發(fā)輻射的功率后得出:電子束沿金屬-介質(zhì)多層膜表面運(yùn)動(dòng)時(shí)產(chǎn)生自發(fā)輻射,電子束內(nèi)各種速度的電子數(shù)
2010-04-26 16:15:43
各位朋友請(qǐng)問(wèn)下:電子束的概念是什么?
2013-03-26 11:02:59
芯片是怎樣制造出來(lái)的？有哪些過(guò)程呢？
2021-10-25 08:52:47
CHS5100是一款寬帶單片式FET基于硅片的反射開(kāi)關(guān)制造標(biāo)準(zhǔn)功率處理使用0.7μm注入有源層MESFET，通孔，空氣橋梁和電子束門(mén)光刻。產(chǎn)品型號(hào):CHS5100-99F產(chǎn)品名稱：反射式SPDT開(kāi)關(guān)
2018-05-25 16:53:10
LSB的1dB，提供了一個(gè)動(dòng)態(tài)范圍從其對(duì)DC 15db。它是專(zhuān)為廣泛的從軍事到商業(yè)的應(yīng)用通信系統(tǒng)。該電路是用PHEMT制造過(guò)程中，0.25μm柵長(zhǎng)、通孔通過(guò)基板、空氣橋電子束光刻門(mén)。它是在符合RoHS
2018-09-21 08:54:54
Dual Beam FIB(雙束聚焦離子束)機(jī)臺(tái)能在使用離子束切割樣品的同時(shí)，用電子束對(duì)樣品斷面(剖面)進(jìn)行觀察，亦可進(jìn)行EDX的成份分析。iST宜特檢測(cè)具備超高分辨率的離子束及電子束的Dual
2018-09-04 16:33:22
今日（5月6日）消息，IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導(dǎo)體芯片。核心指標(biāo)方面，IBM稱該2nm芯片的晶體管密度（MTr/mm2，每平方...
2021-07-20 06:51:04
XX nm制造工藝是什么概念？為什么說(shuō)7nm是物理極限？
2021-10-20 07:15:43
下方的蝕刻速率遠(yuǎn)高于沒(méi)有金屬時(shí)的蝕刻速率，因此當(dāng)半導(dǎo)體正被蝕刻在下方時(shí)，金屬層會(huì)下降到半導(dǎo)體中。4 本報(bào)告描述了使用 MacEtch 工藝制造 100 到 1000 nm 的納米柱。電子束光刻：硅晶片用
2021-07-06 09:33:58
申請(qǐng)理由：我們是北京航空航天大學(xué)新型電源研究實(shí)驗(yàn)室，我們的電子束焊接項(xiàng)目欲用arm架構(gòu)的開(kāi)發(fā)板進(jìn)行試驗(yàn)，故申請(qǐng)致遠(yuǎn)電子AWorks開(kāi)發(fā)板免費(fèi)試用機(jī)會(huì)項(xiàng)目描述：我們是北京航空航天大學(xué)新型電源研究實(shí)驗(yàn)室
2015-10-23 10:09:58
的用于保護(hù)不被刻蝕區(qū)域的光刻膠將被移除。 封裝在一塊晶圓上制造出芯片需要經(jīng)過(guò)上千道工序，從設(shè)計(jì)到生產(chǎn)需要三個(gè)多月的時(shí)間。為了把芯片從晶圓上取出來(lái)，要用金剛石鋸將其切成單個(gè)芯片。這些被稱為“裸晶”的芯片
2022-04-08 15:12:41
，它們與光刻機(jī)被稱為半導(dǎo)體制造三大關(guān)鍵設(shè)備，而中微的5nm等離子蝕刻機(jī)已經(jīng)具備了國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。等離子刻蝕機(jī)是芯片制造中的關(guān)鍵設(shè)備，用來(lái)在芯片上進(jìn)行微觀雕刻，每個(gè)線條和深孔的加工精度都是頭發(fā)絲直徑的幾千
2020-03-09 10:13:54
在實(shí)際中，能夠像德國(guó)一樣制造出直接甲醇燃料電池嗎？如果有樣品，聯(lián)系我。***康永紅
2015-03-10 08:57:30
半橋逆變型電子束焊機(jī)用直流高壓電源的設(shè)計(jì)
2012-08-20 16:07:52
想理解制造出這塊電路板該從哪里入手？要哪些東西 哪里找？
2016-02-25 19:29:34
雙極晶體管性能特點(diǎn)是什么如何采用BiCom3工藝制造出一款功能豐富的電壓反饋放大器？
2021-04-20 06:56:40
的樣品制備步驟是對(duì)器件封裝進(jìn)行開(kāi)封3。EBIC相對(duì)于其它活性束探測(cè)技術(shù)的一個(gè)優(yōu)勢(shì)是分析時(shí)不需要消除鈍化層。此外也不需要電源，因?yàn)榇郎y(cè)器件使用電子束能量來(lái)產(chǎn)生提供信號(hào)所需的電流3。在EBIC分析期間，從
2018-10-22 16:44:07
，最后是電子束焊接技術(shù)有時(shí)候在絕對(duì)真空的環(huán)境下進(jìn)行。正是由于電子束焊接技術(shù)的諸多優(yōu)點(diǎn)，因此在我國(guó)的制造領(lǐng)域中，電子束焊接技術(shù)有著非常廣闊的應(yīng)用前景。在工業(yè)發(fā)達(dá)的國(guó)家中，電子束焊接技術(shù)屬于重點(diǎn)關(guān)注技術(shù)
2018-03-15 11:18:40
離子束對(duì)材料進(jìn)行納米加工，配合掃描電鏡（SEM）等高倍數(shù)電子顯微鏡實(shí)時(shí)觀察，成為了納米級(jí)分析、制造的主要方法。目前已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路修改、切割和故障分析等。2.工作原理聚焦離子束(ed Ion
2020-02-05 15:13:29
今天突然有個(gè)問(wèn)題單片機(jī)，ARM是怎么制造出來(lái)的？哪位高手能簡(jiǎn)單講講制造過(guò)程嗎？還有一個(gè)問(wèn)題，從電腦往單片機(jī)里面下載程序是二進(jìn)制代碼，這些進(jìn)入單片機(jī)高低電平在起了什么作用，把單片機(jī)內(nèi)部的電路進(jìn)行了怎樣的改變
2020-07-13 10:40:11
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻機(jī)作為集成電路制造中最關(guān)鍵的設(shè)備，對(duì)芯片制作工藝有著決定性的影響，被譽(yù)為“超精密制造技術(shù)皇冠上的明珠”，根據(jù)之前中芯國(guó)際的公報(bào)，目...
2021-07-29 09:36:46
價(jià)格貨期電議電子束蒸鍍?cè)O(shè)備 E-beam Evaporation System電子束蒸發(fā)與熱蒸發(fā)對(duì)比, 能夠在非常高的溫度下熔化材料, 如鎢, 石墨 ... 等等. 結(jié)合石英震蕩片的反饋信號(hào), 可
2022-11-04 11:01:13
臺(tái)灣科學(xué)家以水熱法制造出白光LED
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)灣的科學(xué)家最近以氧化鋅（ZnO）/藍(lán)光有機(jī)材料復(fù)合薄膜，制作出白光發(fā)光
2009-12-12 11:12:08668 芯片封裝技術(shù)
自從美國(guó)Intel公司1971年設(shè)計(jì)制造出4位微處a理器
2010-01-12 11:31:511203 英特爾認(rèn)為浸入式光刻能延伸到11納米
英特爾的先進(jìn)光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特爾希望EUV或者無(wú)掩模電子束光刻能作為193納米浸入式光刻在11納米的后補(bǔ)者
2010-02-25 10:17:55966 
隨著 納米加工 技術(shù)的發(fā)展,納米結(jié)構(gòu)器件必將成為將來(lái)的集成電路的基礎(chǔ). 本文介紹了幾種用電子束光刻、反應(yīng)離子刻蝕方法制備硅量子線、量子點(diǎn)和用電子束光刻、電子束蒸發(fā)以及剝
2011-06-20 16:16:09
35 麻省理工學(xué)院 (MIT)的研究人員表示，已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種技術(shù)，可望提升在芯片上寫(xiě)入圖案的高速電子束光刻解析度，甚至可達(dá)9nm，遠(yuǎn)小于原先所預(yù)期的尺寸
2011-07-12 09:01:371498 DARPA的電子復(fù)興計(jì)劃重金資助麻省理工學(xué)院Max Shulaker牽頭的一個(gè)項(xiàng)目，該項(xiàng)目的目標(biāo)是利用單片3D集成技術(shù)，來(lái)使以用了數(shù)十年之久的舊制造工藝制造出來(lái)的芯片能與以目前最先進(jìn)的技術(shù)所制造出來(lái)的芯片相媲美。
2018-08-16 08:54:525131 刷電路板的制作非常復(fù)雜， 這里以四層印制板為例感受PCB是如何制造出來(lái)的。
2018-11-03 10:19:0413142 本文研究了 基于形狀修正的電子束光刻分級(jí)鄰近效應(yīng)校正技術(shù)，在內(nèi)部鄰近效應(yīng)校正的基礎(chǔ)上，在計(jì)算圖形之間產(chǎn)生的相互鄰近效應(yīng)過(guò)程中，采用了局部曝光窗口和全局曝光窗口機(jī)制。局部曝光窗口的區(qū)域小，對(duì)計(jì)算精度
2018-12-05 11:20:264 來(lái)源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察在集成電路的制造過(guò)程中，有一個(gè)重要的環(huán)節(jié)——光刻，正因?yàn)橛辛怂?，我們才能在微小?b class="flag-6" style="color: red">芯片上實(shí)
2019-04-26 14:34:1014575 
咱們看一下汽車(chē)是怎樣制造出來(lái)的。
2019-06-17 16:59:045955 該技術(shù)的實(shí)施還需要借助高成本的納米光刻制造技術(shù)。
2019-06-28 11:53:542576 美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)的研究人員采用3D打印技術(shù)制造出一種壓電常數(shù)可調(diào)的壓電超材料，有望用于下一代智能基礎(chǔ)設(shè)施。
2019-11-28 16:19:504179 本文首先闡述了電子束焊原理，其次介紹了電子束焊技術(shù)指標(biāo)，最后介紹了電子束焊特點(diǎn)。
2019-12-10 10:18:2613471 冰膠電子束光刻（簡(jiǎn)稱冰刻）是一種新型加工方法。
2020-01-26 10:27:002460 科學(xué)家們制造出了一種會(huì)飛的鴿子機(jī)器人，它身上裝有40根真正的鴿子羽毛，目的是制造出一種能模仿鳥(niǎo)類(lèi)飛行方式的飛行器。
2020-01-17 15:35:202260 大家都知道，目前我國(guó)光刻機(jī)技術(shù)至少落后荷蘭ASML15年，目前荷蘭ASML的頂級(jí)光刻機(jī)可以達(dá)到7nm工藝，目前他們正大研發(fā)5nm工藝光刻機(jī)。
2020-04-19 23:43:2610223 音圈電機(jī)助力的華為多久能夠制造出光刻機(jī)呢？近日有消息稱，從9月14日起，臺(tái)積電不再向華為供貨！原因很簡(jiǎn)單，因?yàn)锳merica的限令，讓華為很可能會(huì)缺失5nm工藝制程的芯片。那么，現(xiàn)在的問(wèn)題是，華為
2020-08-07 10:01:088039 音圈馬達(dá)加持的臺(tái)積電已制造10億顆7nm芯片。近日，臺(tái)積電在其官方博客中透露，該公司今年7月迎來(lái)了一個(gè)里程碑用7納米技術(shù)制造出了10億顆功能完好、沒(méi)有缺陷的芯片。這個(gè)消息對(duì)于華為來(lái)說(shuō)也是好消息
2020-08-25 10:00:3910299 電子束焊是指利用加速和聚焦的電子束轟擊置于真空或非真空中的焊接面，使被焊工件熔化實(shí)現(xiàn)焊接。真空電子束焊是應(yīng)用最廣的電子束焊。
2020-09-02 16:42:307861 ，從外形上來(lái)看芯片的體積非常小，但是它卻是各類(lèi)高科技產(chǎn)品的核心，如果沒(méi)有芯片的存在，這些高科技產(chǎn)品就無(wú)法運(yùn)行下去。 相信大家應(yīng)該都非常好奇高端芯片究竟是怎樣制造出來(lái)的，其實(shí)要想制造出高端芯片，就一定少不了高端光刻
2021-01-21 11:10:555308 據(jù)外媒報(bào)道，現(xiàn)在人們不可能完全否定掉電子游戲和圍繞它們的技術(shù)。不僅因?yàn)檫@項(xiàng)技術(shù)非?？?，還因?yàn)檫@項(xiàng)技術(shù)正開(kāi)始滲透到人們生活的許多其他領(lǐng)域，比如說(shuō)汽車(chē)行業(yè)。以沃爾沃為例。當(dāng)?shù)貢r(shí)間周四，這家瑞典汽車(chē)制造商詳細(xì)介紹了如何使用最新的視頻游戲技術(shù)制造出更安全的汽車(chē)。
2020-11-20 11:59:421709 ，遭部分媒體夸張、誤解之后，立刻引起了一片沸騰。有媒體將其解讀為“中國(guó)不用EUV光刻機(jī)，便能制造出5nm芯片”，但事實(shí)并非如此。 近日，該論文的通訊作者劉前在接受《財(cái)經(jīng)》記者采訪時(shí)，作出了解答。 劉前表示，論文介紹的新型5nm超高精
2020-12-18 11:34:517619 電子束是從電子槍中產(chǎn)生的。通常電子是以熱發(fā)射或場(chǎng)致發(fā)射的方式從發(fā)射體（陰極）逸出。在25-300kV加速電壓的作用下，電子被加速到0.3-0.7倍的光速，具有一定的動(dòng)能，經(jīng)電子槍中靜電透鏡和電磁透鏡的作用，電子會(huì)聚成功率密度很高的電子束。
2021-03-04 14:43:0615820 
電子束加工和離子束加工是近年來(lái)得到較大發(fā)展的新型特種加工。他們?cè)诰芪⒓?xì)加工方面，尤其是在微電子學(xué)領(lǐng)域中得到較多的應(yīng)用。通常來(lái)說(shuō)，電子束加工主要用于打孔、焊接等熱加工和電子束光刻化學(xué)加工，而離子束加工則主要用于離子刻蝕、離子鍍膜和離子注入等加工。?
2021-03-17 20:10:4815 你可能已經(jīng)被“華為、臺(tái)積電、光刻機(jī)、芯片”這些關(guān)鍵詞轟炸過(guò)，也多少聽(tīng)過(guò)些臺(tái)積電的傳奇故事。本篇文章，我們不講故事，談?wù)勅绾斡H手制造出一枚芯片。 所謂芯片，就是將可以實(shí)現(xiàn)運(yùn)算或存儲(chǔ)等功能的電路，集成
2021-05-24 09:32:1724540 
7nm之下不可或缺的制造設(shè)備，我國(guó)因?yàn)橘Q(mào)易條約被遲遲卡住不放行的也是一臺(tái)EUV光刻機(jī)。 但EUV光刻機(jī)的面世靠的不僅僅是ASML一家的努力，還有蔡司和TRUMPF（通快）兩家歐洲光學(xué)巨頭的合作才得以成功。他們的技術(shù)分別為EUV光刻機(jī)的鏡頭和光源做出了不
2021-12-07 14:01:1010742 只要國(guó)內(nèi)企業(yè)能夠購(gòu)進(jìn)EUV光刻機(jī)，我們?cè)購(gòu)泥弴?guó)韓國(guó)、日本企業(yè)的手中購(gòu)進(jìn)光刻膠、硅基材料、工藝化學(xué)品等材料，我國(guó)在一年之內(nèi)即可制造出5nm芯片。
2021-12-15 10:33:359063 光刻機(jī)作為芯片產(chǎn)業(yè)制造中不可缺少的設(shè)備，也是工時(shí)和成本占比最高的設(shè)備，更是全球頂尖技術(shù)和人類(lèi)智慧的結(jié)晶。那么目前有哪些國(guó)家可以制造出光刻機(jī)呢？
2022-01-03 17:30:0086844 光刻機(jī)是芯片制造的重要設(shè)備，內(nèi)部結(jié)構(gòu)精密復(fù)雜，它決定著芯片的制程工藝，是芯片生產(chǎn)中不可少的關(guān)鍵設(shè)備，而且光刻機(jī)的技術(shù)門(mén)檻極高，整個(gè)設(shè)備的不同部位采用了世界上最先進(jìn)的技術(shù)
2021-12-30 09:46:534123 什么是芯片?芯片是導(dǎo)體元件產(chǎn)品的統(tǒng)稱，是集成電路的一個(gè)載體。芯片作為半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心科技產(chǎn)物，在多個(gè)領(lǐng)域有著至關(guān)重要的位置。那么芯片是如何制造出來(lái)的呢?接下來(lái)給大家簡(jiǎn)單介紹下芯片制造流程。
2022-01-04 19:12:5813469 早在2021年5月份美國(guó)的IBM公司就成功研制出2nm芯片的制造技術(shù)，2nm芯片的產(chǎn)生也預(yù)示著半導(dǎo)體行業(yè)朝著一個(gè)更高的水平發(fā)展。
2022-06-24 11:59:421728 IBM宣布制造出全球首款以2nm工藝打造的半導(dǎo)體芯片。該芯片與目前主流的7nm工藝相比，在同等電力消耗下，性能提升45％、能耗降低75％。
2022-06-27 09:45:591578 IBM于紐約時(shí)間5月6日在其官網(wǎng)宣布制造出世界上第一顆2nm芯片，揭開(kāi)了半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和工藝方面的突破。
2022-06-27 10:04:141849 業(yè)界對(duì)IBM制造出2nm芯片表現(xiàn)出極大興趣，很大程度在于2nm芯片意味著芯片性能的極大提升。
2022-06-27 10:18:471194 光刻機(jī)是制作芯片的關(guān)鍵設(shè)備，利用光刻機(jī)發(fā)出的紫外光源通過(guò)具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的硅片曝光，使光刻膠性質(zhì)變化、達(dá)到圖形刻印在硅片上形成電子線路圖。我國(guó)目前還是采用什深紫外光的193nm制程工藝，如上海微電子裝備公司（CMEE）制程90nm工藝的光刻機(jī)，那么90nm光刻機(jī)能生產(chǎn)什么芯片呢？
2022-06-30 09:46:2131257 什么叫2nm芯片 芯片這種東西大家都知道，無(wú)非是電子設(shè)備中的關(guān)鍵元器件，在之前IBM公司發(fā)布了轟動(dòng)全球的2nm芯片，那么大家知道什么叫2nm芯片嗎？ 2nm芯片指的是采用了2nm制程工藝所制造出
2022-07-04 10:08:3512809 去年五月份，IBM公司領(lǐng)先全球制造出了首顆2nm制程工藝芯片，直到前幾天三星才開(kāi)始首次量產(chǎn)3nm芯片，而IBM在去年就已經(jīng)研制出了2nm芯片，如此先進(jìn)的技術(shù)自然就會(huì)有人疑惑2nm芯片一片
2022-07-05 09:16:132455 去年5月，IBM成功制造出世界上首顆2nm制程的半導(dǎo)體芯片。
2022-07-05 13:22:581027 光刻機(jī)是制作芯片并不可少的重要工具，大家都知道，光刻機(jī)技術(shù)幾乎被荷蘭ASML所壟斷，那么全球最先進(jìn)的光刻機(jī)是多少nm的？中國(guó)現(xiàn)在又能夠做出幾nm的芯片呢？
2022-07-06 10:07:15247354 如今世界最先進(jìn)的EUV光刻機(jī)，只有asml一家公司可以制造出來(lái)。
2022-07-06 11:19:3850686 根據(jù)所使用的輻射，有不同類(lèi)型的光刻方法用于曝光的:光刻(光刻)、電子束光刻、x射線光刻、光刻和離子束光刻。在光學(xué)光刻技術(shù)中，有部分不透明和部分不透明的圖案掩模(光片)半透明區(qū)域被使用。紫外線輻射或氣體激光的照射以1:1的比例完成或者以4:1或10:1的比例減少。
2022-07-27 16:54:533169 
眾所周知，荷蘭公司ASML壟斷了全球高端芯片的光刻技術(shù)，該公司最先進(jìn)的EUV光刻機(jī)已成為半導(dǎo)體大規(guī)模量產(chǎn)和工業(yè)化不可或缺的設(shè)備，可以制造出7nm、5nm，甚至更先進(jìn)制程的芯片。疊加美國(guó)對(duì)華技術(shù)封鎖的打壓下，華為高端芯片的量產(chǎn)就此停滯。
2022-12-06 10:24:556267 首次成功地使用電子束光刻技術(shù)生產(chǎn)出直徑近30厘米的超表面，這是一項(xiàng)世界紀(jì)錄?？茖W(xué)家們現(xiàn)在已經(jīng)在《微/納米圖案、材料和計(jì)量學(xué)雜志》上發(fā)表了他們的方法。 研究人員首次成功地實(shí)現(xiàn)了直徑為30厘米的超表面，與一歐元硬幣對(duì)比。 弗勞恩霍夫應(yīng)用光
2023-08-07 07:17:18405 
上海伯東客戶某光刻機(jī)生產(chǎn)商, 生產(chǎn)的電子束光刻機(jī) Electron Beam Lithography System 最大能容納 300mmφ 的晶圓片和 6英寸的掩模版, 適合納米壓印, 光子器件
2023-06-02 15:49:40492 
當(dāng)制程節(jié)點(diǎn)演進(jìn)到5nm時(shí)，DUV和多重曝光技術(shù)的組合也難以滿足量產(chǎn)需求了，EUV光刻機(jī)就成為前道工序的必需品了，沒(méi)有它，很難制造出符合應(yīng)用需求的5nm芯片，即使不用EUV能制造出一些5nm芯片，其整個(gè)生產(chǎn)線的良率也非常低，無(wú)法形成大規(guī)模的商業(yè)化生產(chǎn)。
2023-10-13 14:45:03842 
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近期，美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院（NIST）的研究人員制造出一款包含40萬(wàn)像素的超導(dǎo)納米線單光子相機(jī)，其分辨率超過(guò)其它同類(lèi)相機(jī)的數(shù)十至數(shù)百倍。
2023-11-01 09:48:27235 在電子和電氣制造業(yè)中，光刻技術(shù)是制造無(wú)源/有源器件的重要步驟。
2023-11-20 09:30:05407 
來(lái)源：半導(dǎo)體芯科技編譯 投資半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)新的生產(chǎn)設(shè)備 Jenoptik公司計(jì)劃投資數(shù)億歐元，為目前在德累斯頓建設(shè)的高科技工廠建造最先進(jìn)的系統(tǒng)。新型電子束光刻系統(tǒng)（E-Beam）將用于為半導(dǎo)體
2024-01-15 17:33:16177 電子束光刻（e-beam lithography，EBL）是無(wú)掩膜光刻的一種，它利用波長(zhǎng)極短的聚焦電子直接作用于對(duì)電子敏感的光刻膠（抗蝕劑）表面繪制形成與設(shè)計(jì)圖形相符的微納結(jié)構(gòu)。
2024-03-04 10:19:28207 
本文從光刻圖案設(shè)計(jì)、特征尺寸、電鏡參數(shù)優(yōu)化等方面介紹電子束光刻的參數(shù)優(yōu)化，最后介紹了一些常見(jiàn)問(wèn)題。
2024-03-17 14:33:52174 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）最近，一家名為Zyvex Labs的美國(guó)公司宣布推出亞納米分辨率的光刻系統(tǒng)Zyvex Litho 1，據(jù)稱分辨率可以達(dá)到0.768nm，這大約是兩個(gè)硅原子的寬度
2022-09-27 08:19:003532
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