今年 7月份，中科院發(fā)表的一則《超分辨率激光光刻技術(shù)制備5納米間隙電極和陣列》的研究論文引起了廣泛的關(guān)注。 當(dāng)時，華為正被美國打壓，中國芯片產(chǎn)業(yè)成為了國人的心頭憂慮。

因此，中科院此新聞一出，遭部分媒體夸張、誤解之后，立刻引起了一片沸騰。有媒體將其解讀為“中國不用EUV***，便能制造出5nm芯片”，但事實并非如此。

近日，該論文的通訊作者劉前在接受《財經(jīng)》記者采訪時，作出了解答。

劉前表示，論文介紹的新型5nm超高精度激光光刻加工方法，主要用在光掩膜制作上，并非是極紫外光光刻技術(shù)，部分媒體混淆了兩者的概念。

在光刻過程中，光源通過激光將電路設(shè)計圖寫在光掩膜版上，然后照射在硅片的表面，之后便會進(jìn)行刻蝕工藝。

可見，光掩膜是集成電路***制造中，不可或缺的重要部分，其對集成電路線寬也起到了一定限制作用。人們常提到的12nm、5nm等，便是集成電路線寬。

長時間來，中國只能制造中低端光掩膜，并且還要依賴海外技術(shù)、材料等。

而高端光掩膜版更是成為我國“卡脖子”技術(shù)之一。全球高端光掩膜市場主要被美國Photronics、日本印刷株式會社、日本Toppan三者所壟斷，余下的市場份額很少。

因此，中科院所攻克的這項新技術(shù)，雖然沒有部分媒體表述的那樣夸張，但對我國高端光掩膜市場的突破，依然具有重要意義。該技術(shù)具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)，并且有成本更低的優(yōu)點。

但是，該技術(shù)仍處在實驗室階段，想要實現(xiàn)商用并非是一件容易事。

而且，我國***技術(shù)也有十分漫長的路要走。據(jù)AI財經(jīng)社消息，有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資深人士表示：目前我國可以實現(xiàn)180nm制程，但仍在試用階段，還需要攻克。

為何中國***技術(shù)發(fā)展如此緩慢，有半導(dǎo)體業(yè)界人士表示：是產(chǎn)業(yè)環(huán)境的問題。此前，國產(chǎn)設(shè)備不被看好，客戶不愿意配合使用與測試。這阻礙了我國***產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

但是，華為被美國制裁事件發(fā)生后，許多相關(guān)廠商改變了看法，意識到將關(guān)鍵技術(shù)、設(shè)備等掌握在自己手中的重要性，中國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展速度有明顯加快。

不過，在中國落后頗多的情況下，想要實現(xiàn)突破并非是一件易事。但即便如此，國產(chǎn)芯片仍要抱有信心，不斷追趕。

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