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標(biāo)簽 > 光刻膠
光刻膠(Photoresist)又稱光致抗蝕劑,是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體。
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半導(dǎo)體材料介紹 | 光刻膠及生產(chǎn)工藝重點(diǎn)企業(yè)
光刻膠(Photoresist)又稱光致抗蝕劑,是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增...
2025-03-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料電子束光刻膠 942 0
利用彩色光刻膠的光學(xué)菲涅爾波帶片平面透鏡設(shè)計
光學(xué)操控技術(shù)已成為諸多應(yīng)用領(lǐng)域中的有力工具,它的蓬勃發(fā)展也使得學(xué)界對光學(xué)器件小型化的需求日益增長。因此,以超表面和衍射光學(xué)元件為代表的平面透鏡技術(shù)由于其...
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,晶圓級封裝(Wafer Level Packaging, WLP)作為一種先進(jìn)的封裝技術(shù),正逐漸在集成電路封裝領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位...
光刻技術(shù)是現(xiàn)代微電子和納米技術(shù)的研發(fā)中的關(guān)鍵一環(huán),而光刻膠,又是光刻技術(shù)中的關(guān)鍵組成部分。隨著技術(shù)的發(fā)展,對微小、精密的結(jié)構(gòu)的需求日益增強(qiáng),光刻膠的需求...
金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物應(yīng)用及白光干涉儀在光刻圖形的測量
引言 在半導(dǎo)體及微納制造領(lǐng)域,光刻膠剝離工藝對金屬結(jié)構(gòu)的保護(hù)至關(guān)重要。傳統(tǒng)剝離液易造成金屬過度蝕刻,影響器件性能。同時,光刻圖形的精確測量是保障工藝質(zhì)量...
引言 在芯片制造過程中,光刻膠剝離是關(guān)鍵環(huán)節(jié),而傳統(tǒng)剝離液易對芯片金屬層造成腐蝕,影響器件性能。同時,光刻圖形的精確測量對芯片制造工藝的優(yōu)化至關(guān)重要。本...
光刻膠圖案化方法及光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻膠的圖案化和剝離是形成精確圖形結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵步驟,而光刻圖形的準(zhǔn)確測量則是確保工藝質(zhì)量的重要環(huán)節(jié)。本文將詳細(xì)介紹光刻膠...
金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應(yīng)用及白光干涉儀在光刻圖形的測量
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離是重要工序。傳統(tǒng)剝離液常對金屬層產(chǎn)生過度刻蝕,影響器件性能。同時,光刻圖形的精確測量也是確保制造質(zhì)量的關(guān)鍵。...
減少光刻膠剝離工藝對器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié),但其可能對器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響。同時,光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文...
引言 隨著半導(dǎo)體技術(shù)向高密度、高性能方向發(fā)展,疊層晶圓技術(shù)成為關(guān)鍵。在疊層晶圓制造過程中,光刻膠剝離液的性能對工藝質(zhì)量和器件可靠性影響重大。同時,精確測...
一、光刻工藝概述 光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心技術(shù),通過光刻膠在特殊波長光線或者電子束下發(fā)生化學(xué)變化,再經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程,將設(shè)計在掩膜上的圖...
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工行業(yè),光刻膠剝離液的使用量龐大。傳統(tǒng)剝離液存在環(huán)境污染、資源消耗等問題,可再生光刻膠剝離液憑借環(huán)保與可持續(xù)優(yōu)勢成為研究熱點(diǎn)。...
光刻膠產(chǎn)業(yè)國內(nèi)發(fā)展現(xiàn)狀
如果說最終制造出來的芯片是一道美食,那么光刻膠就是最初的重要原材料之一,而且是那種看起來可能不起眼,但卻能決定一道菜味道的關(guān)鍵輔料。 光刻膠(photo...
2025-06-04 標(biāo)簽:光刻膠 169 0
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