引言

在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻膠剝離是重要工序。傳統(tǒng)剝離液常對(duì)金屬層產(chǎn)生過度刻蝕，影響器件性能。同時(shí)，光刻圖形的精確測(cè)量也是確保制造質(zhì)量的關(guān)鍵。本文聚焦金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應(yīng)用，并介紹白光干涉儀在光刻圖形測(cè)量中的作用。

金屬低刻蝕的光刻膠剝離液

配方設(shè)計(jì)

金屬低刻蝕光刻膠剝離液需平衡光刻膠溶解能力與金屬保護(hù)性能。其核心成分包括有機(jī)溶劑、堿性物質(zhì)和緩蝕劑。有機(jī)溶劑（如 N - 甲基吡咯烷酮）負(fù)責(zé)溶解光刻膠；堿性物質(zhì)（如四甲基氫氧化銨）促進(jìn)光刻膠分解；緩蝕劑（如苯并三氮唑衍生物）在金屬表面形成保護(hù)膜，抑制刻蝕反應(yīng)，減少金屬層損傷。

性能優(yōu)化

通過調(diào)整各成分比例與添加特殊添加劑來優(yōu)化剝離液性能。例如，引入絡(luò)合劑，與金屬離子形成穩(wěn)定絡(luò)合物，阻止其參與刻蝕反應(yīng)；添加表面活性劑，降低表面張力，增強(qiáng)剝離液對(duì)光刻膠的滲透能力，提高剝離效率，同時(shí)減少對(duì)金屬的不良影響。

金屬低刻蝕光刻膠剝離液的應(yīng)用

在半導(dǎo)體芯片制造中，該剝離液適用于銅互連、鋁柵極等工藝。以銅互連工藝為例，使用金屬低刻蝕剝離液，可在去除光刻膠的同時(shí)，有效保護(hù)銅導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，避免因過度刻蝕導(dǎo)致的線路寬度變化、短路或斷路問題，保障芯片電學(xué)性能穩(wěn)定。在微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）制造中，針對(duì)復(fù)雜金屬結(jié)構(gòu)，該剝離液能精準(zhǔn)剝離光刻膠，防止金屬結(jié)構(gòu)變形或損壞，確保 MEMS 器件的可靠性和功能性。

白光干涉儀在光刻圖形測(cè)量中的應(yīng)用

測(cè)量原理

白光干涉儀利用白光干涉現(xiàn)象，通過測(cè)量參考光與樣品表面反射光的光程差，獲取樣品表面形貌信息，可實(shí)現(xiàn)納米級(jí)精度測(cè)量，適用于光刻圖形的關(guān)鍵尺寸檢測(cè)。

測(cè)量過程

將待測(cè)樣品置于載物臺(tái)，調(diào)節(jié)樣品位置使其測(cè)量區(qū)域進(jìn)入干涉儀視場(chǎng)。開啟測(cè)量，軟件自動(dòng)采集干涉圖樣并處理數(shù)據(jù)，可精確獲得光刻圖形的深度、寬度、側(cè)壁角度等參數(shù)，為光刻工藝優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支持。

優(yōu)勢(shì)

白光干涉儀采用非接觸測(cè)量方式，避免對(duì)光刻圖形的物理損傷；測(cè)量精度高，能滿足先進(jìn)制程對(duì)光刻圖形高精度檢測(cè)需求；具備快速測(cè)量能力，可實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)在線檢測(cè)，有效提高生產(chǎn)效率與質(zhì)量管控水平。

TopMap Micro View白光干涉3D輪廓儀

一款可以“實(shí)時(shí)”動(dòng)態(tài)/靜態(tài) 微納級(jí)3D輪廓測(cè)量的白光干涉儀

1)一改傳統(tǒng)白光干涉操作復(fù)雜的問題，實(shí)現(xiàn)一鍵智能聚焦掃描，亞納米精度下實(shí)現(xiàn)卓越的重復(fù)性表現(xiàn)。

2)系統(tǒng)集成CST連續(xù)掃描技術(shù)，Z向測(cè)量范圍高達(dá)100mm，不受物鏡放大倍率的影響的高精度垂直分辨率，為復(fù)雜形貌測(cè)量提供全面解決方案。

3）可搭載多普勒激光測(cè)振系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)“動(dòng)態(tài)”3D輪廓測(cè)量。

實(shí)際案例

1，優(yōu)于1nm分辨率，輕松測(cè)量硅片表面粗糙度測(cè)量，Ra=0.7nm

2，毫米級(jí)視野，實(shí)現(xiàn)5nm-有機(jī)油膜厚度掃描

3，卓越的“高深寬比”測(cè)量能力，實(shí)現(xiàn)光刻圖形凹槽深度和開口寬度測(cè)量。

審核編輯 黃宇