一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

jf_14507239 ? 來源:jf_14507239 ? 作者:jf_14507239 ? 2025-06-17 10:01 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

引言

半導(dǎo)體制造過程中,光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮(NMF)雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色,但因其高含量使用帶來的成本、環(huán)保等問題備受關(guān)注。同時(shí),光刻圖形的精準(zhǔn)測(cè)量對(duì)工藝優(yōu)化和產(chǎn)品質(zhì)量控制至關(guān)重要。本文將探討低含量 NMF 光刻膠剝離液及其制備方法,并介紹白光干涉儀在光刻圖形測(cè)量中的應(yīng)用。

低含量 NMF 光刻膠剝離液及制備方法

配方組成

低含量 NMF 光刻膠剝離液主要由低濃度 NMF、助溶劑、堿性物質(zhì)、緩蝕劑和添加劑組成。助溶劑(如乙二醇單丁醚)可協(xié)同 NMF 增強(qiáng)對(duì)光刻膠的溶解能力,降低 NMF 使用量;堿性物質(zhì)(如氫氧化鉀)加速光刻膠分解;緩蝕劑(如有機(jī)膦酸鹽)保護(hù)金屬層免受腐蝕;添加劑(如消泡劑)改善剝離液使用性能 。

制備流程

首先,在反應(yīng)容器中加入定量的助溶劑,在攪拌條件下緩慢加入 NMF,使其充分混合。接著,依次加入堿性物質(zhì)、緩蝕劑和添加劑,持續(xù)攪拌 30 - 60 分鐘,確保各成分均勻分散,形成穩(wěn)定的低含量 NMF 光刻膠剝離液。制備過程需嚴(yán)格控制溫度在 20 - 30℃,避免成分因高溫發(fā)生化學(xué)反應(yīng)影響性能。

低含量 NMF 光刻膠剝離液的應(yīng)用

集成電路制造中,低含量 NMF 光刻膠剝離液可有效去除光刻膠,同時(shí)降低對(duì)金屬布線和半導(dǎo)體襯底的損傷。例如在先進(jìn)的 7nm 制程芯片制造中,該剝離液能精準(zhǔn)剝離光刻膠,減少對(duì)銅互連結(jié)構(gòu)的腐蝕,保障芯片的電學(xué)性能和良率。在平板顯示制造領(lǐng)域,用于去除玻璃基板上的光刻膠時(shí),低含量 NMF 剝離液憑借良好的溶解性能和低腐蝕性,可避免對(duì)基板表面造成劃痕和化學(xué)損傷,提升顯示面板的質(zhì)量和生產(chǎn)效率。

白光干涉儀在光刻圖形測(cè)量中的應(yīng)用

測(cè)量原理

白光干涉儀基于白光干涉效應(yīng),通過分析參考光束與樣品表面反射光束之間的光程差,將光強(qiáng)分布轉(zhuǎn)化為高度信息,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)光刻圖形表面形貌的高精度測(cè)量,其測(cè)量精度可達(dá)納米量級(jí),能夠滿足微小光刻結(jié)構(gòu)的檢測(cè)需求。

測(cè)量過程

將待測(cè)光刻樣品固定于白光干涉儀載物臺(tái)上,利用顯微鏡初步定位測(cè)量區(qū)域。通過調(diào)節(jié)干涉儀的光路參數(shù),獲取清晰的干涉條紋圖像。軟件對(duì)干涉圖像進(jìn)行處理,通過相位解包裹等算法,精確計(jì)算出光刻圖形的深度、寬度、粗糙度等參數(shù),為光刻工藝的優(yōu)化和質(zhì)量控制提供數(shù)據(jù)依據(jù)。

優(yōu)勢(shì)

白光干涉儀采用非接觸式測(cè)量,避免了對(duì)光刻圖形的物理?yè)p傷;其測(cè)量速度快,可實(shí)現(xiàn)對(duì)光刻圖形的快速批量檢測(cè);并且能夠直觀呈現(xiàn)三維表面形貌,便于工程師分析光刻圖形的質(zhì)量問題,從而及時(shí)調(diào)整光刻工藝參數(shù) 。

TopMap Micro View白光干涉3D輪廓儀

一款可以“實(shí)時(shí)”動(dòng)態(tài)/靜態(tài) 微納級(jí)3D輪廓測(cè)量的白光干涉儀

1)一改傳統(tǒng)白光干涉操作復(fù)雜的問題,實(shí)現(xiàn)一鍵智能聚焦掃描,亞納米精度下實(shí)現(xiàn)卓越的重復(fù)性表現(xiàn)。

2)系統(tǒng)集成CST連續(xù)掃描技術(shù),Z向測(cè)量范圍高達(dá)100mm,不受物鏡放大倍率的影響的高精度垂直分辨率,為復(fù)雜形貌測(cè)量提供全面解決方案。

3)可搭載多普勒激光測(cè)振系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)“動(dòng)態(tài)”3D輪廓測(cè)量。

wKgZPGgv0bKAINKmAAR1_qgsz50730.png

實(shí)際案例

wKgZO2gv0bOAb-LqAAKthx97NjQ082.png

1,優(yōu)于1nm分辨率,輕松測(cè)量硅片表面粗糙度測(cè)量,Ra=0.7nm

wKgZO2gv0bSAcmzXAAmXI7OHZ9E354.png

2,毫米級(jí)視野,實(shí)現(xiàn)5nm-有機(jī)油膜厚度掃描

wKgZO2gv0bWAWE0_AAR0udw807c853.png

3,卓越的“高深寬比”測(cè)量能力,實(shí)現(xiàn)光刻圖形凹槽深度和開口寬度測(cè)量。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 光刻
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    347

    瀏覽量

    30700
  • NMF
    NMF
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    4

    瀏覽量

    8921
  • 干涉儀
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    110

    瀏覽量

    10416
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    行業(yè)案例|膜厚應(yīng)用測(cè)量光刻膠厚度測(cè)量

    光刻膠生產(chǎn)技術(shù)復(fù)雜、品種規(guī)格多樣,電子工業(yè)集成電路制造中,對(duì)其有著極為嚴(yán)格的要求,而保證光刻膠產(chǎn)品的厚度便是其中至關(guān)重要的一環(huán)。 項(xiàng)目需求? 本次項(xiàng)目旨在測(cè)量
    的頭像 發(fā)表于 07-11 15:53 ?57次閱讀
    行業(yè)案例|膜厚<b class='flag-5'>儀</b>應(yīng)用<b class='flag-5'>測(cè)量</b>之<b class='flag-5'>光刻膠</b>厚度<b class='flag-5'>測(cè)量</b>

    改善光刻圖形線寬變化的方法白光干涉儀光刻圖形測(cè)量

    引言 半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻圖形線寬變化直接影響器件性能與集成度。精確控制光刻圖形線寬是保障工藝精度的關(guān)鍵。本文將介紹改善
    的頭像 發(fā)表于 06-30 15:24 ?135次閱讀
    改善<b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>圖形</b>線寬變化的<b class='flag-5'>方法</b>及<b class='flag-5'>白光</b><b class='flag-5'>干涉儀</b><b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>圖形</b>的<b class='flag-5'>測(cè)量</b>

    改善光刻圖形垂直度的方法白光干涉儀光刻圖形測(cè)量

    深入探討白光干涉儀光刻圖形測(cè)量中的應(yīng)用。 改善光刻
    的頭像 發(fā)表于 06-30 09:59 ?127次閱讀
    改善<b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>圖形</b>垂直度的<b class='flag-5'>方法</b>及<b class='flag-5'>白光</b><b class='flag-5'>干涉儀</b><b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>圖形</b>的<b class='flag-5'>測(cè)量</b>

    針對(duì)晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法白光干涉儀光刻圖形測(cè)量

    干涉儀光刻圖形測(cè)量中的應(yīng)用。 針對(duì)晶圓上芯片工藝的光刻膠
    的頭像 發(fā)表于 06-25 10:19 ?232次閱讀
    針對(duì)晶圓上芯片工藝的<b class='flag-5'>光刻膠</b><b class='flag-5'>剝離</b><b class='flag-5'>方法</b>及<b class='flag-5'>白光</b><b class='flag-5'>干涉儀</b><b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>圖形</b>的<b class='flag-5'>測(cè)量</b>

    金屬蝕刻率光刻膠剝離組合物應(yīng)用及白光干涉儀光刻圖形測(cè)量

    物的應(yīng)用,并探討白光干涉儀光刻圖形測(cè)量中的作用。 金屬
    的頭像 發(fā)表于 06-24 10:58 ?157次閱讀
    金屬<b class='flag-5'>低</b>蝕刻率<b class='flag-5'>光刻膠</b><b class='flag-5'>剝離</b><b class='flag-5'>液</b>組合物應(yīng)用及<b class='flag-5'>白光</b><b class='flag-5'>干涉儀</b><b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>圖形</b>的<b class='flag-5'>測(cè)量</b>

    用于 ARRAY 制程工藝的銅腐蝕光刻膠剝離白光干涉儀光刻圖形測(cè)量

    至關(guān)重要。本文將介紹用于 ARRAY 制程工藝的銅腐蝕光刻膠剝離,并探討白光干涉儀
    的頭像 發(fā)表于 06-18 09:56 ?236次閱讀
    用于 ARRAY 制程工藝的<b class='flag-5'>低</b>銅腐蝕<b class='flag-5'>光刻膠</b><b class='flag-5'>剝離</b><b class='flag-5'>液</b>及<b class='flag-5'>白光</b><b class='flag-5'>干涉儀</b><b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>圖形</b>的<b class='flag-5'>測(cè)量</b>

    金屬刻蝕的光刻膠剝離及其應(yīng)用及白光干涉儀光刻圖形測(cè)量

    介紹白光干涉儀光刻圖形測(cè)量中的作用。 金屬刻蝕的
    的頭像 發(fā)表于 06-16 09:31 ?144次閱讀
    金屬<b class='flag-5'>低</b>刻蝕的<b class='flag-5'>光刻膠</b><b class='flag-5'>剝離</b><b class='flag-5'>液</b>及其應(yīng)用及<b class='flag-5'>白光</b><b class='flag-5'>干涉儀</b><b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>圖形</b>的<b class='flag-5'>測(cè)量</b>

    減少光刻膠剝離工藝對(duì)器件性能影響的方法白光干涉儀光刻圖形測(cè)量

    干涉儀光刻圖形測(cè)量中的應(yīng)用。 ? 減少光刻膠剝離
    的頭像 發(fā)表于 06-14 09:42 ?305次閱讀
    減少<b class='flag-5'>光刻膠</b><b class='flag-5'>剝離</b>工藝對(duì)器件性能影響的<b class='flag-5'>方法</b>及<b class='flag-5'>白光</b><b class='flag-5'>干涉儀</b><b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>圖形</b>的<b class='flag-5'>測(cè)量</b>

    光刻膠剝離及其制備方法白光干涉儀光刻圖形測(cè)量

    引言 半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料,其性能優(yōu)劣直接影響
    的頭像 發(fā)表于 05-29 09:38 ?256次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b><b class='flag-5'>剝離</b><b class='flag-5'>液</b>及其<b class='flag-5'>制備</b><b class='flag-5'>方法</b>及<b class='flag-5'>白光</b><b class='flag-5'>干涉儀</b><b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>圖形</b>的<b class='flag-5'>測(cè)量</b>

    Micro OLED 陽(yáng)極像素定義層制備方法白光干涉儀光刻圖形測(cè)量

    ? 引言 ? Micro OLED 作為新型顯示技術(shù),微型顯示領(lǐng)域極具潛力。其中,陽(yáng)極像素定義層的制備直接影響器件性能與顯示效果,而光刻圖形的精準(zhǔn)
    的頭像 發(fā)表于 05-23 09:39 ?146次閱讀
    Micro OLED 陽(yáng)極像素定義層<b class='flag-5'>制備</b><b class='flag-5'>方法</b>及<b class='flag-5'>白光</b><b class='flag-5'>干涉儀</b><b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>圖形</b>的<b class='flag-5'>測(cè)量</b>

    光刻膠的類型及特性

    光刻膠類型及特性光刻膠(Photoresist),又稱光致抗蝕劑,是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和
    的頭像 發(fā)表于 04-29 13:59 ?2386次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>的類型及特性

    天文光干涉儀

    的具有吸收的探測(cè)器平面放置透鏡的焦平面處。 考慮恒星的測(cè)量。恒星由一個(gè)多色光光源模擬,它在一個(gè)小的角度范圍內(nèi)照射干涉儀,這對(duì)應(yīng)于它的角直徑。正常入射在兩個(gè)路徑P1和P2之間沒有光程差。然而,進(jìn)入到
    發(fā)表于 12-25 15:26

    一文看懂光刻膠的堅(jiān)膜工藝及物理特性和常見光刻膠

    共讀好書關(guān)于常用光刻膠型號(hào)也可以查看這篇文章:收藏!常用光刻膠型號(hào)資料大全,幾乎包含所有芯片用光刻膠歡迎掃碼添加小編微信掃碼加入知識(shí)星球,領(lǐng)取公眾號(hào)資料
    的頭像 發(fā)表于 11-01 11:08 ?2498次閱讀

    光刻膠的使用過程與原理

    本文介紹了光刻膠的使用過程與原理。
    的頭像 發(fā)表于 10-31 15:59 ?1606次閱讀

    如何成功的烘烤微流控SU-8光刻膠?

    控SU-8光刻膠烘烤:軟烘、后曝光烘烤和硬烘 整個(gè)SU-8模具制備的過程中,微流控SU-8光刻膠需要烘烤2或3次,每一次烘烤都有不同的作用。 第一次
    的頭像 發(fā)表于 08-27 15:54 ?829次閱讀