引言
在半導(dǎo)體制造過程中,光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮(NMF)雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色,但因其高含量使用帶來的成本、環(huán)保等問題備受關(guān)注。同時(shí),光刻圖形的精準(zhǔn)測(cè)量對(duì)工藝優(yōu)化和產(chǎn)品質(zhì)量控制至關(guān)重要。本文將探討低含量 NMF 光刻膠剝離液及其制備方法,并介紹白光干涉儀在光刻圖形測(cè)量中的應(yīng)用。
低含量 NMF 光刻膠剝離液及制備方法
配方組成
低含量 NMF 光刻膠剝離液主要由低濃度 NMF、助溶劑、堿性物質(zhì)、緩蝕劑和添加劑組成。助溶劑(如乙二醇單丁醚)可協(xié)同 NMF 增強(qiáng)對(duì)光刻膠的溶解能力,降低 NMF 使用量;堿性物質(zhì)(如氫氧化鉀)加速光刻膠分解;緩蝕劑(如有機(jī)膦酸鹽)保護(hù)金屬層免受腐蝕;添加劑(如消泡劑)改善剝離液使用性能 。
制備流程
首先,在反應(yīng)容器中加入定量的助溶劑,在攪拌條件下緩慢加入 NMF,使其充分混合。接著,依次加入堿性物質(zhì)、緩蝕劑和添加劑,持續(xù)攪拌 30 - 60 分鐘,確保各成分均勻分散,形成穩(wěn)定的低含量 NMF 光刻膠剝離液。制備過程需嚴(yán)格控制溫度在 20 - 30℃,避免成分因高溫發(fā)生化學(xué)反應(yīng)影響性能。
低含量 NMF 光刻膠剝離液的應(yīng)用
在集成電路制造中,低含量 NMF 光刻膠剝離液可有效去除光刻膠,同時(shí)降低對(duì)金屬布線和半導(dǎo)體襯底的損傷。例如在先進(jìn)的 7nm 制程芯片制造中,該剝離液能精準(zhǔn)剝離光刻膠,減少對(duì)銅互連結(jié)構(gòu)的腐蝕,保障芯片的電學(xué)性能和良率。在平板顯示制造領(lǐng)域,用于去除玻璃基板上的光刻膠時(shí),低含量 NMF 剝離液憑借良好的溶解性能和低腐蝕性,可避免對(duì)基板表面造成劃痕和化學(xué)損傷,提升顯示面板的質(zhì)量和生產(chǎn)效率。
白光干涉儀在光刻圖形測(cè)量中的應(yīng)用
測(cè)量原理
白光干涉儀基于白光干涉效應(yīng),通過分析參考光束與樣品表面反射光束之間的光程差,將光強(qiáng)分布轉(zhuǎn)化為高度信息,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)光刻圖形表面形貌的高精度測(cè)量,其測(cè)量精度可達(dá)納米量級(jí),能夠滿足微小光刻結(jié)構(gòu)的檢測(cè)需求。
測(cè)量過程
將待測(cè)光刻樣品固定于白光干涉儀載物臺(tái)上,利用顯微鏡初步定位測(cè)量區(qū)域。通過調(diào)節(jié)干涉儀的光路參數(shù),獲取清晰的干涉條紋圖像。軟件對(duì)干涉圖像進(jìn)行處理,通過相位解包裹等算法,精確計(jì)算出光刻圖形的深度、寬度、粗糙度等參數(shù),為光刻工藝的優(yōu)化和質(zhì)量控制提供數(shù)據(jù)依據(jù)。
優(yōu)勢(shì)
白光干涉儀采用非接觸式測(cè)量,避免了對(duì)光刻圖形的物理?yè)p傷;其測(cè)量速度快,可實(shí)現(xiàn)對(duì)光刻圖形的快速批量檢測(cè);并且能夠直觀呈現(xiàn)三維表面形貌,便于工程師分析光刻圖形的質(zhì)量問題,從而及時(shí)調(diào)整光刻工藝參數(shù) 。
TopMap Micro View白光干涉3D輪廓儀
一款可以“實(shí)時(shí)”動(dòng)態(tài)/靜態(tài) 微納級(jí)3D輪廓測(cè)量的白光干涉儀
1)一改傳統(tǒng)白光干涉操作復(fù)雜的問題,實(shí)現(xiàn)一鍵智能聚焦掃描,亞納米精度下實(shí)現(xiàn)卓越的重復(fù)性表現(xiàn)。
2)系統(tǒng)集成CST連續(xù)掃描技術(shù),Z向測(cè)量范圍高達(dá)100mm,不受物鏡放大倍率的影響的高精度垂直分辨率,為復(fù)雜形貌測(cè)量提供全面解決方案。
3)可搭載多普勒激光測(cè)振系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)“動(dòng)態(tài)”3D輪廓測(cè)量。
實(shí)際案例
1,優(yōu)于1nm分辨率,輕松測(cè)量硅片表面粗糙度測(cè)量,Ra=0.7nm
2,毫米級(jí)視野,實(shí)現(xiàn)5nm-有機(jī)油膜厚度掃描
3,卓越的“高深寬比”測(cè)量能力,實(shí)現(xiàn)光刻圖形凹槽深度和開口寬度測(cè)量。
審核編輯 黃宇
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