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標(biāo)簽 > 光刻膠
光刻膠(Photoresist)又稱(chēng)光致抗蝕劑,是指通過(guò)紫外光、電子束、離子束、X射線(xiàn)等的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。
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晶圓顯影過(guò)程是光刻工序中必不可少的步驟,顯影過(guò)程已經(jīng)經(jīng)歷了幾十年的創(chuàng)新和進(jìn)步。那么常見(jiàn)的顯影方式有幾種?顯影液的種類(lèi)有哪些?顯影的機(jī)理是什么?顯影主要的...
光刻各環(huán)節(jié)對(duì)應(yīng)的不同模型種類(lèi)
光學(xué)模型是基于霍普金斯(Hopkins)光學(xué)成像理論,預(yù)先計(jì)算出透射相交系數(shù)(TCCs),從而描述光刻機(jī)的光學(xué)成像。光學(xué)模型中,經(jīng)過(guò)優(yōu)化的光源,通過(guò)光刻...
2023-12-11 標(biāo)簽:晶圓光刻機(jī)器學(xué)習(xí) 2322 0
芯板,中間是介質(zhì),兩面是銅箔,就是雙層板時(shí)用的介質(zhì)板,比如ROGERS 4350B等。
光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體,不同種類(lèi)的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項(xiàng)重要指標(biāo)。那么光刻膠的黏度為什么重要?黏度用什么表征?哪些光刻膠算高...
2023-11-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料光刻膠 2217 0
根據(jù)維基百科的定義,光刻是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟,該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫(huà)幾何圖形結(jié)構(gòu),然后通過(guò)刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所...
2023-04-25 標(biāo)簽:光刻半導(dǎo)體器件光刻膠 2201 0
半導(dǎo)體材料作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的重要環(huán)節(jié),在芯片的生產(chǎn)制造過(guò)程中起到關(guān)鍵性作用。根據(jù)芯片制造過(guò)程劃分,半導(dǎo)體材料主要分為基體材料、制造材料和封裝材料。其...
為什么尺寸縮小并沒(méi)按應(yīng)有的速度不斷進(jìn)步呢?為什么高端硅成本依然如此昂貴?答案就在于芯片設(shè)計(jì)的復(fù)雜性——如今的芯片設(shè)計(jì)層數(shù)繁多,各層之間還必須無(wú)縫連接。
2020-08-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)半導(dǎo)體制造 1974 0
電子束光刻的參數(shù)優(yōu)化及常見(jiàn)問(wèn)題介紹
本文從光刻圖案設(shè)計(jì)、特征尺寸、電鏡參數(shù)優(yōu)化等方面介紹電子束光刻的參數(shù)優(yōu)化,最后介紹了一些常見(jiàn)問(wèn)題。
刻蝕工藝評(píng)價(jià)的工藝參數(shù)以及如何做好刻蝕工藝
在本篇文章中,我們主要介紹刻蝕工藝評(píng)價(jià)的工藝參數(shù)以及如何做好刻蝕工藝。 一、刻蝕工藝質(zhì)量評(píng)價(jià) 1)刻蝕速率 刻蝕速率是指在蝕刻過(guò)程中被去...
薄沉積的使用可以使抗蝕劑硬化,厚沉積的使用可以縮小臨界尺寸(Critical Dimensions:CD)。
最近在外延膜的導(dǎo)電率控制和高質(zhì)量塊狀氧化鋅襯底的可用性方面的進(jìn)展重新引起了我們對(duì)用于紫外光發(fā)射器和透明電子器件的氧化鋅/氧化鋅/氧化鋅異質(zhì)結(jié)構(gòu)系統(tǒng)的興趣。
一文解讀光刻膠的原理、應(yīng)用及市場(chǎng)前景展望
光刻技術(shù)是現(xiàn)代微電子和納米技術(shù)的研發(fā)中的關(guān)鍵一環(huán),而光刻膠,又是光刻技術(shù)中的關(guān)鍵組成部分。隨著技術(shù)的發(fā)展,對(duì)微小、精密的結(jié)構(gòu)的需求日益增強(qiáng),光刻膠的需求...
首先,以高純硅粉和高純碳粉為原料生長(zhǎng)SiC,通過(guò)物理氣相傳輸(PVT)制備單晶 第二,使用多線(xiàn)切割設(shè)備切割SiC,晶體切成薄片,厚度不超過(guò)1毫米 ...
2023-09-06 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體光刻膠碳化硅 1639 0
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,晶圓級(jí)封裝(Wafer Level Packaging, WLP)作為一種先進(jìn)的封裝技術(shù),正逐漸在集成電路封裝領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位...
XeF2和SF6可以相互替換嗎?XeF2和SF6對(duì)硅腐蝕的區(qū)別?
我們知道含F(xiàn)的XeF2和SF6都被當(dāng)做腐蝕硅的氣體,XeF2常被作為各向同性腐蝕硅的氣體,而SF6常和CF4搭配作為硅各向異性腐蝕的氣體,那么XeF2和...
2024-03-21 標(biāo)簽:光刻膠 1546 0
需要鋁金屬的地方太多了,在DRAM和flash等存儲(chǔ)器產(chǎn)品中,鋁連線(xiàn)由于成本低廉和加工簡(jiǎn)便仍被廣泛使用。這些存儲(chǔ)器設(shè)備通常不像高性能邏輯芯片那樣對(duì)電阻和...
2023-12-25 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器等離子體半導(dǎo)體封裝 1462 0
一文解析半導(dǎo)體設(shè)計(jì)電路的“光刻工藝”
利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過(guò)具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見(jiàn)光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化,從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上,從而使薄片具有電子線(xiàn)路圖的作用。
通過(guò)臭氧微氣泡進(jìn)行半導(dǎo)體晶圓的光刻膠去除實(shí)驗(yàn)
半導(dǎo)體的清洗在制造工序中也是非常重要的。特別是光刻膠的去除是最困難的,一般使用硫酸和過(guò)氧化氫混合的溶液(SPM)等。但是,這些廢液的處理是極其困難的,與...
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