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光刻膠

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光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過(guò)紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。

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光刻膠技術(shù)

光刻膠中金屬雜質(zhì)對(duì)硅基基質(zhì)的吸附機(jī)理南通華林科納分析

應(yīng)用放射性示蹤技術(shù)研究了金屬雜質(zhì)(如鋇、銫、鋅和錳)從化學(xué)放大光刻膠中遷移和吸附到硅基底層襯底上的行為。評(píng)估了兩個(gè)重要的工藝參數(shù)，即烘烤溫度和襯底類型(...

2021-12-13 標(biāo)簽：納米材料納米襯底 1441 0

探討三種超構(gòu)器件表面的加工方法

超構(gòu)表面是近年來(lái)出現(xiàn)一種新型的光學(xué)器件，也被稱為超構(gòu)器件。

2024-03-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光器光刻膠 1437 0

光刻膠的使用過(guò)程與原理

本文介紹了光刻膠的使用過(guò)程與原理。

2024-10-31 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體光刻膠 1427 0

請(qǐng)問(wèn)3D NAND如何進(jìn)行臺(tái)階刻蝕呢？

在3D NAND的制造過(guò)程中，一般會(huì)有3個(gè)工序會(huì)用到干法蝕刻，即：臺(tái)階蝕刻，channel蝕刻以及接觸孔蝕刻。

2024-04-01 標(biāo)簽：NAND 光刻膠 1423 0

半導(dǎo)體晶圓的制造流程

在自然界中，獲取成本最低的半導(dǎo)體就是硅。而硅料的提取是熔煉砂子。提到這里可能有朋友想到“光伏電池片用的也是硅片”。

2024-04-16 標(biāo)簽：光伏電池光刻膠晶圓制造 1355 0

化學(xué)放大型光刻膠的作用原理

感光速度:即光刻膠受光照射發(fā)生溶解速度改變所需的最小能量，感光速度越快，單位時(shí)間內(nèi)芯片制造的產(chǎn)出越高，經(jīng)濟(jì)效益越好，另-方面，過(guò)快的感光速度會(huì)對(duì)引起工藝...

2023-05-25 標(biāo)簽：光刻膠半導(dǎo)體工藝 1326 0

一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法

本發(fā)明涉及一種去除光刻膠的方法，更詳細(xì)地說(shuō)，是一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法，該方法適合于在半導(dǎo)體裝置的制造過(guò)程中進(jìn)行吹掃以去除光刻膠。在半導(dǎo)體裝置的制...

2022-04-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制造工藝光刻膠 1284 0

如何在芯片中減少光刻膠的使用量

光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來(lái)定。比如對(duì)于需要長(zhǎng)時(shí)間蝕刻以形成深孔的應(yīng)用場(chǎng)景，較厚的光刻膠層能提供更長(zhǎng)的耐蝕刻時(shí)間。

2024-03-04 標(biāo)簽：晶圓光刻膠 1237 0

高數(shù)值孔徑 EUV 系統(tǒng)的好處

隨著光刻膠層變得更薄，整體光刻膠的特性變得不那么重要，并且光刻膠（暴露與否）與顯影劑和底層之間的界面變得更加重要。

2022-09-21 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV 光刻膠 1230 0

半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形

2023-11-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 晶圓 1225 0

如何減少太陽(yáng)能電池入射光在電池器件中的反射

為了制備蜂窩狀紋理的絨面結(jié)構(gòu)，研究人員利用了熱輔助紫外輥納米壓印光刻技術(shù)（TUV-Roller-NIL），基于TUV-Roller-NIL制造蜂窩紋理的...

2023-10-25 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池光譜光刻技術(shù) 1217 0

光刻膠旋轉(zhuǎn)涂膠的原因

光刻膠是一種有機(jī)化合物，它受紫外線曝光后在顯影液中的溶解度發(fā)生顯著變化，而未曝光的部分在顯影液中幾乎不溶解。

2024-04-30 標(biāo)簽：光刻膠 1186 0

半導(dǎo)體制造領(lǐng)域光刻膠的作用和意義

光刻是半導(dǎo)體加工中最重要的工藝之一，決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時(shí)間的40%-50%，占其總成本的30%。光刻膠是光刻環(huán)節(jié)關(guān)鍵耗材，其質(zhì)量和性能與電...

2023-10-26 標(biāo)簽：芯片 pcb 芯片制造 1148 0

半導(dǎo)體蝕刻工藝科普

過(guò)度蝕刻暴露硅晶圓表面可能會(huì)導(dǎo)致表面粗糙。當(dāng)硅表面在HF過(guò)程中暴露于OH離子時(shí)，硅表面可能會(huì)變得粗糙。

2024-11-05 標(biāo)簽：硅晶圓蝕刻光刻膠 1142 0

EUV光刻膠開(kāi)發(fā)面臨哪些挑戰(zhàn)？

EUV光刻膠材料是光敏物質(zhì)，當(dāng)受到EUV光子照射時(shí)會(huì)發(fā)生化學(xué)變化。這些材料在解決半導(dǎo)體制造中的各種挑戰(zhàn)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，包括提高靈敏度、控制分辨率、減...

2023-09-11 標(biāo)簽：顯示器 car 半導(dǎo)體制造 1135 0

頂層金屬AI工藝的制造流程

頂層金屬 AI工藝是指形成頂層金屬 AI 互連線。因?yàn)?Cu很容易在空氣中氧化，形成疏松的氧化銅，而且不會(huì)形成保護(hù)層防止銅進(jìn)一步氧化，另外，Cu 是軟金...

2024-11-25 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻膠 1112 0

雙層膠工藝是什么

隨著線條寬度的不斷縮小，為了防止膠上圖形出現(xiàn)太大的深寬比，提高對(duì)比度，應(yīng)該采用很薄的光刻膠。但薄膠會(huì)遇到耐腐蝕性的問(wèn)題。由此開(kāi)發(fā)出了雙層光刻膠技術(shù)，這...

2024-10-21 標(biāo)簽：芯片工藝光刻膠 1062 0

光刻膠國(guó)內(nèi)市場(chǎng)及國(guó)產(chǎn)化率詳解

KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進(jìn)行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術(shù)已廣泛應(yīng)用于0.13μm工藝的生產(chǎn)中,主要應(yīng)用于150 , 200...

2023-11-29 標(biāo)簽：集成電路 pcb 光刻技術(shù) 1016 0

半導(dǎo)體材料介紹 | 光刻膠及生產(chǎn)工藝重點(diǎn)企業(yè)

光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過(guò)紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹(shù)脂、增...

2025-03-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料電子束光刻膠 960 0

微型晶體管怎么做出來(lái)的

微型晶體管的制造過(guò)程 1. 硅晶圓的制備微型晶體管的制造始于硅晶圓的制備。硅晶圓是半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料，通常采用高純度的單晶硅制成。硅晶圓的制備過(guò)程包...

2024-10-15 標(biāo)簽：晶圓晶體管半導(dǎo)體制造 957 0

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IoT是Internet of Things的縮寫(xiě)，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門(mén)設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號(hào)，它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度（稱為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的。可以通過(guò)控制脈沖個(gè)數(shù)來(lái)控制角位移量，從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的；同時(shí)可以通過(guò)控制脈沖頻率來(lái)控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度，從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
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cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路，其特點(diǎn)是電源電壓范圍寬（為3V－18V），輸入阻抗高（約100MΩ），動(dòng)態(tài)功耗小，在中心頻率f0為10kHz下功耗僅為600μW，屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有，CD4046的功能 cd4046鎖相環(huán)電路，CD4046無(wú)線發(fā)射，cd4046運(yùn)用，cd4046鎖相環(huán)電路圖。
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COMSOL集團(tuán)是全球多物理場(chǎng)建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊(duì)、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過(guò)模擬，賦予設(shè)計(jì)理念以生命。
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加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員，到目前為止尚沒(méi)有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國(guó)家對(duì)服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識(shí)不同。
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四軸飛行器，又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī)，簡(jiǎn)稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過(guò)改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
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802.11ac與11基站測(cè)試（base station tests）在基站設(shè)備安裝完畢后，對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別，802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng)，802.11n怎么安裝。
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　　SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包，軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
ESP8266

ESP8266

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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。

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