內(nèi)存模組n/a怎么解決?

一、內(nèi)存模組n/a問題概述 1.1 內(nèi)存模組的定義 內(nèi)存模組，又稱為RAM（Random Access Memory），是計算機系統(tǒng)中用于存儲數(shù)據(jù)的硬件...

2024-10-14 標(biāo)簽：硬件內(nèi)存模組計算機系統(tǒng) 2266 0

威剛將為英特爾 12 代 Alder Lake 平臺開發(fā)最高 64GB 容量的 DDR5-8400 內(nèi)存模組

WCCFTech 報道稱，威剛（ADATA）已透露將為英特爾 12 代 Alder Lake 平臺開發(fā)最高 64GB 容量的 DDR5-8400 內(nèi)存模...

2021-01-08 標(biāo)簽：英特爾DDR內(nèi)存模組 2602 0

SK海力士開發(fā)出業(yè)界最快的服務(wù)器內(nèi)存模組MCR DIMM

* 業(yè)界最快的DDR5服務(wù)器，實現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸速率高達8Gbps? * 與英特爾、瑞薩電子合作，SK海力士領(lǐng)航MCR DIMM開發(fā)? * 努力尋求技術(shù)突破，...

2022-12-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體內(nèi)存模組 1910 0

三星推出全球首款LPCAMM內(nèi)存，面向PC和筆記本電腦平臺

LPCAMM技術(shù)有望解決LPDDR和SO-DIMM的缺陷，作為可拆卸的內(nèi)存模組，LPCAMM能夠顯著減少設(shè)備內(nèi)部空間占用，同時提高性能和能效。

2023-09-27 標(biāo)簽：DRAM內(nèi)存模組LPDDR 1838 0

高性能、高可靠，佰維推出高品質(zhì)DDR5內(nèi)存模組

佰維DDR5 UDIMM和SODIMM內(nèi)存模組數(shù)據(jù)傳輸速率達4800Mbps，突發(fā)長度和預(yù)取長度擴展到16位，使得存儲器單一讀寫指令可存取的數(shù)據(jù)量是DD...

2022-12-21 標(biāo)簽：服務(wù)器內(nèi)存模組DDR5 1567 0

去庫存化進入尾聲，內(nèi)存模組廠加速復(fù)蘇

近期，半導(dǎo)體市場開始傳遞復(fù)蘇信號，國內(nèi)大型半導(dǎo)體制造商紛紛提到明年將迎來多款消費性電子產(chǎn)品的需求回升，這表明半導(dǎo)體設(shè)計庫存的去化即將進入尾聲。另一個重要...

2023-11-03 標(biāo)簽：DRAM內(nèi)存模組SSD 1183 0

全球內(nèi)存模組市場衰退 金士頓穩(wěn)居龍頭

Trendforce 旗下記憶儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新全球內(nèi)存模組廠排名調(diào)查顯示，由于 2015 年標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存價格下跌與 DIY 市場...

2016-10-11 標(biāo)簽：DRAM內(nèi)存模組金士頓 1060 0

三星計劃采用12納米技術(shù)，提升內(nèi)存模組容量

日前有信息稱，三星將采用 12納米 (nm) 級工藝技術(shù)，生產(chǎn)ERP開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，而這樣就可以在相同封裝尺寸下，容量是...

2023-09-04 標(biāo)簽：DRAM納米技術(shù)內(nèi)存模組 942 0

存儲器價格波動變化也逐步向下游傳導(dǎo)

佰維存儲同時構(gòu)建了基于IPD管理理念的產(chǎn)品研發(fā)體系，通過組建包括市場、開發(fā)、生產(chǎn)制造、財務(wù)、質(zhì)量等多領(lǐng)域員工參與的PDT集成開發(fā)團隊，實現(xiàn)了從市場需求分...

2023-12-15 標(biāo)簽：存儲器晶圓IC設(shè)計 864 0

英偉達開發(fā)新型內(nèi)存模組SOCAMM，或年底量產(chǎn)

據(jù)韓媒近日報道，英偉達已在內(nèi)部成功研發(fā)出一種新型內(nèi)存模組，命名為SOCAMM。這一創(chuàng)新成果不僅標(biāo)志著英偉達在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的又一次突破，也預(yù)示著其在商業(yè)化...

2025-02-19 標(biāo)簽：內(nèi)存模組AI英偉達 694 0