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標(biāo)簽 > 內(nèi)存芯片
“內(nèi)存顆?!笔侵袊?guó)港臺(tái)地區(qū)對(duì)內(nèi)存芯片的一種稱(chēng)呼(僅對(duì)內(nèi)存),其他的芯片則稱(chēng)為“晶片”。晶片經(jīng)過(guò)封裝之后就成為一個(gè)閃存顆粒。
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DRAM測(cè)試發(fā)生在晶圓探針和封裝測(cè)試。最終組裝的封裝、終端系統(tǒng)要求和成本考慮推動(dòng)了測(cè)試流程,包括ATE要求和相關(guān)測(cè)試內(nèi)容。
計(jì)算機(jī)是處理數(shù)字格式信息的電子機(jī)器。他們不像人們那樣理解單詞和數(shù)字,而是將這些單詞和數(shù)字更改為由零和一組成的字符串,稱(chēng)為二進(jìn)制(有時(shí)稱(chēng)為“二進(jìn)制代碼”)。
單條1TB容量的內(nèi)存條真的要實(shí)現(xiàn)了?
最新的32Gb DDR5內(nèi)存芯片,繼續(xù)采用12nm級(jí)別工藝制造,相比三星1983年推出的4Kb容量的第一款內(nèi)存產(chǎn)品,容量已經(jīng)增加了50多萬(wàn)倍!
內(nèi)存芯片制造工藝 DRAM工藝流程 堆疊式DRAM工藝流程
內(nèi)存芯片在驅(qū)動(dòng)ic市場(chǎng)和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場(chǎng)上兩個(gè)主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。
可制造性案例│DDR內(nèi)存芯片的PCB設(shè)計(jì)
DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片,其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種,由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性,因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采...
2023-07-28 標(biāo)簽:DDR內(nèi)存芯片PCB設(shè)計(jì) 4783 0
美光預(yù)測(cè)芯片過(guò)剩情況緩解,宣布減產(chǎn)至約30%!
美光科技最近發(fā)布了一份聲明,對(duì)芯片行業(yè)的前景做出了樂(lè)觀預(yù)測(cè)。盡管在中國(guó)市場(chǎng)面臨挑戰(zhàn),但產(chǎn)能過(guò)剩情況有所改善。
內(nèi)存芯片的發(fā)展史 DRAM技術(shù)的現(xiàn)狀
當(dāng)時(shí),半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)被分為ROM和RAM兩個(gè)方向。ROM是只讀存儲(chǔ)器,存儲(chǔ)數(shù)據(jù)不會(huì)因?yàn)閿嚯姸鴣G失,也稱(chēng)外存。而RAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,用于存儲(chǔ)運(yùn)算數(shù)據(jù),...
長(zhǎng)鑫原廠DRAM顆粒的臺(tái)電騰龍G40內(nèi)存詳細(xì)測(cè)評(píng)方案
一、前言:長(zhǎng)鑫DRAM芯片的普及需要更多的大陸內(nèi)存廠商 可能很多同學(xué)提到臺(tái)電內(nèi)存,可能會(huì)覺(jué)得他們不是一線(xiàn)頂尖品牌,顆粒使用上也不會(huì)有什么亮點(diǎn),不過(guò)這一次...
2020-10-30 標(biāo)簽:DRAM內(nèi)存芯片合肥長(zhǎng)鑫 7484 0
8個(gè)接內(nèi)存總線(xiàn)的數(shù)據(jù)線(xiàn),一個(gè)芯片接一個(gè)數(shù)據(jù)組也就是8根線(xiàn)組成的一個(gè)數(shù)據(jù)組,依次為Data[0:7], Data[8:15], …, Data[56:63...
三星將EUV與10nm工藝結(jié)合推出LPDDR5內(nèi)存芯片
CFan曾在《芯希望來(lái)自新工藝!EUV和GAAFET技術(shù)是個(gè)什么鬼?》一文中解讀過(guò)EUV(極紫外光刻),它原本是用于生產(chǎn)7nm或更先進(jìn)制程工藝的技術(shù),特...
處理器和顯卡對(duì)性能的影響是立竿見(jiàn)影,很容易通過(guò)跑分軟件量化對(duì)比。然而,在筆記本身上還有很多芯片在偷摸著影響性能,進(jìn)而有損實(shí)際體驗(yàn)。
其實(shí) ODT 技術(shù)的具體內(nèi)部構(gòu)造并不十分復(fù)雜。在內(nèi)存各種引腳與內(nèi)存模組的內(nèi)部緩沖器中間設(shè)有一個(gè) EMRS 擴(kuò)展模式寄存器,通過(guò)其內(nèi)部的一個(gè)控制引腳可以控...
存儲(chǔ)單元數(shù)量=行數(shù)*列數(shù)(得到一個(gè)L-Bank的存儲(chǔ)單元數(shù)量)*L-Bank的數(shù)量也可用M*W的方式表示芯片的容量,M是該芯片中存儲(chǔ)單元的總數(shù),單位是兆...
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