全方位理解功率MOSFET的雪崩失效現(xiàn)象

功率MOSFET在電力電子設(shè)備中應(yīng)用十分廣泛，因其故障而引起的電子設(shè)備損壞也比較常見。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果，對于MOSFET的進(jìn)一步...

2023-12-04 標(biāo)簽：三極管MOSFET晶體管 8104 0

IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異（2）

下面對電場積分，我們看看隨著增長，即耗盡區(qū)深度的增長，柱面結(jié)與平面結(jié)所承受電壓分布的差異。

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBTPN結(jié)擊穿電壓 1313 0

IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型（3）

這里需要注意的是，載流子電流為零并不意味著載流子濃度為零，反之亦然。對于PIN1結(jié)構(gòu)，因為陽極和陰極的多子濃度遠(yuǎn)大于少子濃度，所以可以忽略少子電流；

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBTMOSPN結(jié) 1196 0

芯片的幾個重要測試環(huán)節(jié)-CP、FT、WAT

半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造，晶圓測試，芯片封裝和封裝后測試組成。而測試環(huán)節(jié)主要集中在CP（chip probing）、FT（Final Test）和WAT...

2023-12-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓芯片封裝 8651 0

一文了解IGBT的極限值

在文件數(shù)據(jù)表中，按照IGBT 模塊（IGBT，二極管，殼體，溫度傳感器等）的各個組成部分別給出它們的極限值。

2023-12-01 標(biāo)簽：二極管晶體管擊穿電壓 2649 0

基于碰撞電離率模型的Miller公式S參數(shù)擬合分析

我們應(yīng)用簡單的Fulop模型對平行平面結(jié)進(jìn)行了分析，對復(fù)雜的Chynoweth模型進(jìn)行了化簡，由化簡的公式可得碰撞電離率積分和外加電壓之間存在一定的關(guān)系。

2023-11-27 標(biāo)簽：二極管PN結(jié)擊穿電壓 1741 0

基于碰撞電離率的平行平面結(jié)及晶閘管研究

功率半導(dǎo)體器件設(shè)計的基礎(chǔ)是平行平面結(jié)，結(jié)的擊穿與體內(nèi)載流子的碰撞電離密切相關(guān)，本次研究的重點結(jié)構(gòu)是晶閘管，而晶閘管的阻斷與開啟都與體內(nèi)載流子的運(yùn)動有關(guān)。

2023-11-27 標(biāo)簽：晶閘管擊穿電壓MATLAB仿真 4.8萬 0

PN結(jié)曲率效應(yīng)的產(chǎn)生及其對擊穿電壓的影響

在我們現(xiàn)有的功率半導(dǎo)體器件中，PN結(jié)占據(jù)了極其重要的地位，其正向阻斷能力的優(yōu)劣直接決定著功率半導(dǎo)體器件的可靠性及適用范圍。

2023-11-24 標(biāo)簽：PN結(jié)擊穿電壓功率半導(dǎo)體 2691 0

UIS測試是什么？雪崩能量對實際應(yīng)用的影響

UIS：英文全稱Unclamped Inductive Switching，中文譯為非嵌位感性負(fù)載開關(guān)過程。

2023-11-24 標(biāo)簽：MOSFETUIS擊穿電壓 1.3萬 0

功率二極管噪聲特性

根據(jù)實際電參數(shù)指標(biāo)要求，在25℃室溫情況下，當(dāng)測試電流IR=5μA時，器件反向重復(fù)峰值電壓（VRRM）需高于1200V。

2023-07-12 標(biāo)簽：功率二極管電阻器單晶硅電池 515 0

高頻小功率晶體管設(shè)計

產(chǎn)品發(fā)射區(qū)結(jié)構(gòu)設(shè)計為梳狀結(jié)構(gòu)。晶體管版圖中發(fā)射區(qū)半寬度選擇為30μm。

2023-07-05 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻晶體管擊穿電壓 1069 0

齊納二極管的特性簡介及設(shè)計案例

齊納二極管（Zener diode）又叫穩(wěn)壓二極管，也是一種特殊用途二極管，但由于齊納二極管的是如此之重要，內(nèi)容又比較多，所以這里單獨拉出來作為一個小節(jié)講。

2023-02-07 標(biāo)簽：二極管電路穩(wěn)壓二極管 2711 0

有源鉗位吸收器電路設(shè)計與數(shù)字實現(xiàn)方式

隨著MOSFET擊穿電壓額定值的增大，導(dǎo)通電阻也會增大。在這樣場景中如何消除同步整流器上的電壓尖峰和振鈴，另外有源-鉗位方案優(yōu)勢有哪些？

2019-01-15 標(biāo)簽：MOSFET有源鉗位電流吸收器 0 0

擊穿電壓是什么_擊穿電壓的工作原理是什么

本文開始介紹了擊穿電壓的概念和擊穿電壓的主要因素，其次闡述了擊穿電壓的工作原理以及介紹了影響介電擊穿強(qiáng)度的因素，最后介紹了電壓擊穿儀器使用時的注意事項。

2018-04-03 標(biāo)簽：擊穿電壓 6.3萬 0