擊穿電壓是什么_擊穿電壓的工作原理是什么

本文開始介紹了擊穿電壓的概念和擊穿電壓的主要因素，其次闡述了擊穿電壓的工作原理以及介紹了影響介電擊穿強(qiáng)度的因素，最后介紹了電壓擊穿儀器使用時(shí)的注意事項(xiàng)。

2018-04-03 標(biāo)簽：擊穿電壓 6.3萬 0

電源設(shè)計(jì)中電容的工作原理 各類電源中電容器的正確選用規(guī)則

電源往往是我們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)過程中最容易忽略的環(huán)節(jié)。作為一款優(yōu)秀的設(shè)計(jì)，電源設(shè)計(jì)應(yīng)當(dāng)是很重要的，它很大程度影響了整個(gè)系統(tǒng)的性能和成本。

2024-03-22 標(biāo)簽：電容器電源設(shè)計(jì)變換器 6.1萬 0

基于碰撞電離率的平行平面結(jié)及晶閘管研究

功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)是平行平面結(jié)，結(jié)的擊穿與體內(nèi)載流子的碰撞電離密切相關(guān)，本次研究的重點(diǎn)結(jié)構(gòu)是晶閘管，而晶閘管的阻斷與開啟都與體內(nèi)載流子的運(yùn)動(dòng)有關(guān)。

2023-11-27 標(biāo)簽：晶閘管擊穿電壓MATLAB仿真 4.8萬 0

UIS測(cè)試是什么？雪崩能量對(duì)實(shí)際應(yīng)用的影響

UIS：英文全稱Unclamped Inductive Switching，中文譯為非嵌位感性負(fù)載開關(guān)過程。

2023-11-24 標(biāo)簽：MOSFETUIS擊穿電壓 1.3萬 0

ESD器件的工作原理？CMOS I/O上的內(nèi)部ESD保護(hù)實(shí)現(xiàn)

靜電保護(hù)器件（ESD） 是由一個(gè)或多個(gè) TVS 晶粒采用不同的電路拓?fù)渲瞥删哂刑囟üδ艿亩嗦坊騿温?ESD 保護(hù)器件。

2024-02-17 標(biāo)簽：CMOSESD保護(hù)擊穿電壓 1.2萬 0

芯片的幾個(gè)重要測(cè)試環(huán)節(jié)-CP、FT、WAT

半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造，晶圓測(cè)試，芯片封裝和封裝后測(cè)試組成。而測(cè)試環(huán)節(jié)主要集中在CP（chip probing）、FT（Final Test）和WAT...

2023-12-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓芯片封裝 8651 0

全方位理解功率MOSFET的雪崩失效現(xiàn)象

功率MOSFET在電力電子設(shè)備中應(yīng)用十分廣泛，因其故障而引起的電子設(shè)備損壞也比較常見。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果，對(duì)于MOSFET的進(jìn)一步...

2023-12-04 標(biāo)簽：三極管MOSFET晶體管 8104 0

被保護(hù)電路的正常工作電壓高于TVS二極管的擊穿電壓會(huì)損壞TVS嗎？答案出乎意料

在電路正常工作情況下，TVS二極管應(yīng)該處于截止?fàn)顟B(tài)，即TVS的額定反向關(guān)斷電壓VRM應(yīng)大于被保護(hù)電路的最高工作電壓，但是我們有時(shí)候會(huì)發(fā)現(xiàn)在一些電路中TV...

2024-12-16 標(biāo)簽：保護(hù)電路TVSTVS二極管 2933 0

氮化鎵的發(fā)展難題及技術(shù)突破盤點(diǎn)

同為第三代半導(dǎo)體材料，氮化鎵時(shí)常被人用來與碳化硅作比較，雖然沒有碳化硅發(fā)展的時(shí)間久，但氮化鎵依舊憑借著禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、飽和電子漂移速度...

2024-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵MOCVD 2741 0

齊納二極管的特性簡(jiǎn)介及設(shè)計(jì)案例

齊納二極管（Zener diode）又叫穩(wěn)壓二極管，也是一種特殊用途二極管，但由于齊納二極管的是如此之重要，內(nèi)容又比較多，所以這里單獨(dú)拉出來作為一個(gè)小節(jié)講。

2023-02-07 標(biāo)簽：二極管電路穩(wěn)壓二極管 2711 0

PN結(jié)曲率效應(yīng)的產(chǎn)生及其對(duì)擊穿電壓的影響

在我們現(xiàn)有的功率半導(dǎo)體器件中，PN結(jié)占據(jù)了極其重要的地位，其正向阻斷能力的優(yōu)劣直接決定著功率半導(dǎo)體器件的可靠性及適用范圍。

2023-11-24 標(biāo)簽：PN結(jié)擊穿電壓功率半導(dǎo)體 2691 0

一文了解IGBT的極限值

在文件數(shù)據(jù)表中，按照IGBT 模塊（IGBT，二極管，殼體，溫度傳感器等）的各個(gè)組成部分別給出它們的極限值。

2023-12-01 標(biāo)簽：二極管晶體管擊穿電壓 2649 0

12V系統(tǒng)車燈驅(qū)動(dòng)電源口浪涌過壓防反接防護(hù)方案詳解

從圖中可知，方案針對(duì)車燈驅(qū)動(dòng)電路電源輸入口的浪涌過壓防反接防護(hù)。在車載12V系統(tǒng)中，電源線上面的瞬態(tài)浪涌主要來源于拋負(fù)載。

2024-04-07 標(biāo)簽：TVS二極管驅(qū)動(dòng)電路電源線 2642 0

TVS二極管規(guī)格書中的工作電壓、擊穿電壓和箝位電壓怎么靈活使用呢

在TVS二極管的規(guī)格書中，工作電壓、擊穿電壓和箝位電壓，帶回掃 TVS，低內(nèi)阻TVS，這些參數(shù)，怎么靈活使用呢?

2024-03-07 標(biāo)簽：TVS二極管擊穿電壓 2602 0