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標(biāo)簽 > 刻蝕

刻蝕

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刻蝕,英文為Etch,它是半導(dǎo)體制造工藝,微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻 [1] 相聯(lián)系的圖形化(pattern)處理的一種主要工藝。所謂刻蝕,實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕,先通過光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理,然后通過其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕技術(shù)

淺談刻蝕的終點(diǎn)控制

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當(dāng)?shù)入x子體轉(zhuǎn)變到這種狀態(tài)時(shí),電子密度處于最低水平。一般來說,等離子體密度下降的水平取決于占空比和脈沖頻率。通過調(diào)整脈沖的占空比,可以將時(shí)間平均離子能量分...

2024-04-09 標(biāo)簽:集成電路等離子體芯片制造 1164 0

淺析反應(yīng)離子刻蝕工藝技術(shù)

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刻蝕氣體在等離子體中分解電離,形成離子和自由基等刻蝕類物質(zhì),稱為Enchant → Enchant到達(dá)晶圓表面的過程。

2024-03-27 標(biāo)簽:集成電路晶圓刻蝕 3197 0

什么是線刻蝕 干法線刻蝕的常見形貌介紹

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刻蝕過程中形成幾乎完全垂直于晶圓表面的側(cè)壁,是一種各向異性的刻蝕??涛g后的側(cè)壁非常垂直,底部平坦。這是理想的刻蝕形態(tài),它能夠非常精確地復(fù)制掩膜上的圖案。

2024-03-27 標(biāo)簽:晶圓刻蝕 1022 0

3D NAND的溝道通孔刻蝕工藝步驟

3D NAND的溝道通孔刻蝕工藝步驟

溝道通孔(Channel Hole)指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面,穿過多層存儲(chǔ)單元的細(xì)長孔洞。這些通孔貫穿整個(gè)堆疊結(jié)構(gòu),并填充了導(dǎo)電材料,它們?cè)诿總€(gè)...

2024-03-20 標(biāo)簽:刻蝕3d nand 1708 0

微帶天線的四種基本饋電方式

射頻饋電(Microstrip Feed): 這是最常見的微帶天線饋電方式之一。射頻信號(hào)通過微帶線傳輸?shù)教炀€的輻射部分,通常是通過微帶線和輻射貼片之間的...

2024-03-19 標(biāo)簽:天線微帶天線刻蝕 5445 0

集成電路芯片制造工藝全流程

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一般來說SiO2是作為大部分器件結(jié)構(gòu)中的絕緣體 或 在器件制作過程中作為擴(kuò)散或離子注入的阻擋層。

2024-03-11 標(biāo)簽:集成電路芯片制造光刻技術(shù) 5304 0

PCB正片和負(fù)片的區(qū)別

通常正片工藝是以堿性蝕刻工藝為基礎(chǔ)的。底片上面,所需的路徑或銅表面是黑色的,而不需要的部分是完全透明的。同樣,在路線工藝曝光后,完全透明的部分被暴露在紫...

2024-01-17 標(biāo)簽:線路板刻蝕PCB 1901 0

半導(dǎo)體芯片的制造過程及原理

對(duì)于電子設(shè)備來說,它藏在內(nèi)部,又非常重要,相當(dāng)于汽車的發(fā)動(dòng)機(jī)、人的心臟,所以叫“芯”。從形態(tài)來看,它是一片一片的,所以叫“片”。合起來,就是“芯片”。

2024-01-15 標(biāo)簽:集成電路芯片制造半導(dǎo)體芯片 1790 0

為什么深硅刻蝕中C4F8能起到鈍化作用?

為什么深硅刻蝕中C4F8能起到鈍化作用?

對(duì)DRIE刻蝕,是基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術(shù)。與RIE刻蝕原理相同,利用硅的各向異性,通過化學(xué)作用和物理作用進(jìn)行刻蝕。不同之處在于,兩個(gè)射頻源:將...

2024-01-14 標(biāo)簽:射頻高能電子刻蝕 3626 0

如何在刻蝕鋁之后保護(hù)鋁不被腐蝕?

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需要鋁金屬的地方太多了,在DRAM和flash等存儲(chǔ)器產(chǎn)品中,鋁連線由于成本低廉和加工簡便仍被廣泛使用。這些存儲(chǔ)器設(shè)備通常不像高性能邏輯芯片那樣對(duì)電阻和...

2023-12-25 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器等離子體半導(dǎo)體封裝 1308 0

光柵耦合器學(xué)習(xí)筆記

光柵耦合器學(xué)習(xí)筆記

  耦合一直是硅光集成的一個(gè)難點(diǎn),目前主要有兩種解決方案。

2023-12-06 標(biāo)簽:光柵帶寬耦合器 1997 0

流片Corner Wafer介紹

流片Corner Wafer介紹

芯片制造是一個(gè)物理過程,存在著工藝偏差(包括摻雜濃度、擴(kuò)散深度、刻蝕程度等),導(dǎo)致不同批次之間,同一批次不同晶圓之間,同一晶圓不同芯片之間情況都是不相同...

2023-12-01 標(biāo)簽:晶圓NMOS芯片制造 3542 0

半導(dǎo)體前端工藝(第四篇):刻蝕——有選擇性地刻蝕材料,以創(chuàng)建所需圖形

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2023-11-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM晶圓 1116 0

脊型GaAs基LD激光芯片工藝過程簡述

但是里面也有幾個(gè)關(guān)鍵的工藝參數(shù)需要控制的。同樣Etch GaAs也可以用ICP干法刻蝕的工藝,比濕法工藝效果要好些,側(cè)壁也垂直很多。

2023-11-14 標(biāo)簽:封裝GaAs芯片工藝 1510 0

淺談芯片制程工序中片內(nèi)&片間均勻性的定義和計(jì)算

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均勻性是衡量工藝在晶圓上一致性的一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)。比如薄膜沉積工序中薄膜的厚度;刻蝕工序中被刻蝕材料的寬度,角度等等,都可以考慮其均勻性。

2023-11-01 標(biāo)簽:晶圓光刻半導(dǎo)體工藝 4302 0

什么是干法刻蝕的凹槽效應(yīng)?凹槽效應(yīng)的形成機(jī)理和抑制方法

什么是干法刻蝕的凹槽效應(yīng)?凹槽效應(yīng)的形成機(jī)理和抑制方法

但是,在刻蝕SOI襯底時(shí),通常會(huì)發(fā)生一種凹槽效應(yīng),導(dǎo)致刻蝕的形貌與預(yù)想的有很大出入。那么什么是凹槽效應(yīng)?什么原因引起的?怎么抑制這種異常效應(yīng)呢?

2023-10-20 標(biāo)簽:芯片SOI刻蝕 1834 0

基于銻化銦紅外焦平面探測器的微透鏡陣列方案

基于銻化銦紅外焦平面探測器的微透鏡陣列方案

該微透鏡陣列的制作工藝簡單,與探測器制作工藝相兼容。得到的微透鏡陣列的均勻性較好。直接在探測器背面用銻化銦材料制成,耦合精度高,不存在由于其他材料微透鏡...

2023-10-17 標(biāo)簽:探測器紅外探測器光電技術(shù) 681 0

FIB-TEM進(jìn)行微納加工和原位研究分析

FIB-TEM進(jìn)行微納加工和原位研究分析

聚焦離子束與電子束曝光系統(tǒng)相似,由發(fā)射源、離子光柱、工作臺(tái)、真空與控制系統(tǒng)等結(jié)構(gòu)組成,其核心為離子光學(xué)系統(tǒng),適用的是液態(tài)金屬離子源(例如鎵離子源)。

2023-10-10 標(biāo)簽:SEMfib光電探測器 3390 0

半導(dǎo)體制造之光刻原理、工藝流程

半導(dǎo)體制造之光刻原理、工藝流程

光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一,是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成,是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化...

2023-10-09 標(biāo)簽:電路圖光刻光刻機(jī) 4209 0

泛林的等離子刻蝕介紹

泛林的等離子刻蝕介紹

通常,我們需要將巖性模式轉(zhuǎn)換為多個(gè)。一次蝕刻通道中的膠片類型

2023-09-26 標(biāo)簽:等離子泛林科技刻蝕 477 0

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    TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè),我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營覆蓋 35 個(gè)國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè),員工是我們的立足之本。德州儀器(TI)的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工,還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司:業(yè)務(wù)覆蓋超過35個(gè)國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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    羅姆
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    提供最新的羅姆公司產(chǎn)品,最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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    廣州金升陽科技有限公司,成立于1998年7月,是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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      賽靈思公司(Xilinx)推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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  • 華星光電
    華星光電
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      Cortex-A 系列處理器是一系列處理器,支持ARM32或64位指令集,向后完全兼容早期的ARM處理器,包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
  • Mobileye
    Mobileye
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    Mobileye在單目視覺高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 的開發(fā)方面走在世界前列,提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能,例如車道偏離警告 (LDW)、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告 (FCW)、車距監(jiān)測 (HMW)、行人探測、智能前燈控制 (IHC)、交通標(biāo)志識(shí)別 (TSR)、僅視覺自適應(yīng)巡航控制 (ACC) 等。
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    CC2541
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    CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) (SoC) 解決方案。
  • 超級(jí)本
    超級(jí)本
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    超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后,定義的全新品類筆記本產(chǎn)品,集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能,超極本是完整的電腦。
  • G3-PLC
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無刷電機(jī) FOC IGBT 逆變器 文心一言 5G 英飛凌 羅姆
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microchip TDK Rohm Silicon Labs 圣邦微電子 安費(fèi)諾工業(yè) ixys Isocom Compo
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Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
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Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
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時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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