采用電感耦合等離子體刻蝕法對(duì)氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)進(jìn)行干法刻蝕，刻蝕氣體為氯氣，添加氣體為三氯化硼。研究了刻蝕氣體流量、電感耦合等離子體功率、射頻功率和室壓等關(guān)鍵工藝參數(shù)對(duì)氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)刻蝕
2022-04-26 14:07:28
1775 
等離子體圖形化刻蝕過程中，刻蝕圖形將影響刻蝕速率和刻蝕輪廓，稱為負(fù)載效應(yīng)。負(fù)載效應(yīng)有兩種:宏觀負(fù)載效應(yīng)和微觀負(fù)載效應(yīng)。
2023-02-08 09:41:262489 單晶硅刻蝕用來形成相鄰晶體管間的絕緣區(qū)，多晶硅刻蝕用于形成柵極和局部連線。
2023-02-13 11:13:235966 
在干法蝕刻中，氣體受高頻（主要為 13.56 MHz 或 2.45 GHz）激發(fā)。在 1 到 100 Pa 的壓力下，其平均自由程為幾毫米到幾厘米。
2023-06-20 09:49:163767 
濕法刻蝕由于精度較差，只適用于很粗糙的制程，但它還是有優(yōu)點(diǎn)的，比如價(jià)格便宜，適合批量處理，酸槽里可以一次浸泡25張硅片，所以有些高校和實(shí)驗(yàn)室，還在用濕法做器件，芯片廠里也會(huì)用濕法刻蝕來顯露表面缺陷（defect），腐蝕背面多晶硅。
2023-08-28 09:47:44908 
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-09-24 17:42:031020 
。常見的干法刻蝕設(shè)備有反應(yīng)離子刻蝕機(jī)（RIE）、電感耦合等離子體刻蝕機(jī)（ICP）、磁性中性線等離子體刻蝕機(jī)（NLD）、離子束刻蝕機(jī)（IBE），本文目的對(duì)各刻蝕設(shè)備的結(jié)構(gòu)進(jìn)行剖析，以及分析技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)。
2024-01-20 10:24:561160 
在半導(dǎo)體加工工藝中，常聽到的兩個(gè)詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching)，它們像倆兄弟一樣，一前一后的出現(xiàn)，有著千絲萬縷的聯(lián)系，這一節(jié)介紹半導(dǎo)體刻蝕工藝。
2024-01-26 10:01:58582 
隨著ALD厚度的增加，SiN /基底界面處的孔形狀從方形變?yōu)閳A形，并且逐漸變小。在足夠的ALD厚度下，菱形孔的尖端可視度有限，這會(huì)導(dǎo)致較低的刻蝕速率且刻蝕保持圓形。
2021-11-15 14:34:301697 
的成熟程度也間接決定了產(chǎn)品的良率和吞吐量。 ? 這每一道工序中，都有所需的對(duì)應(yīng)設(shè)備，比如光刻所需的EUV、DUV光刻機(jī)，刻蝕所需的干法、濕法刻蝕機(jī)，以及化學(xué)、物理氣相沉積所需的CVD、PVD設(shè)備等等。光刻機(jī)作為半導(dǎo)體制造的核心
2023-07-30 03:24:481564 
（干法刻蝕硅）17、 RIE SiO2 （干法刻蝕二氧化硅）18、 RIE Si3N4 （干法刻蝕氮化硅）19、 RIE Al、AlN、Ti、TiN （干法刻蝕金屬，包括干法刻蝕鋁、干法刻蝕氮化
2015-01-07 16:15:47
AOE刻蝕氧化硅可以，同時(shí)這個(gè)設(shè)備可以刻蝕硅嗎？大致的氣體配比是怎樣的，我這里常規(guī)的刻蝕氣體都有，但是過去用的ICP，還沒有用過AOE刻蝕硅，請(qǐng)哪位大佬指點(diǎn)一下，謝謝。
2022-10-21 07:20:28
新加坡知名半導(dǎo)體晶圓代工廠招聘資深刻蝕工藝工程師和刻蝕設(shè)備主管！此職位為內(nèi)部推薦，深刻蝕工藝工程師需要有LAM 8寸機(jī)臺(tái)poly刻蝕經(jīng)驗(yàn)。刻蝕設(shè)備主管需要熟悉LAM8寸機(jī)臺(tái)。待遇優(yōu)厚。有興趣的朋友可以將簡(jiǎn)歷發(fā)到我的郵箱sternice81@gmail.com，我會(huì)轉(zhuǎn)發(fā)給HR。
2017-04-29 14:23:25
蒸發(fā)，所以刻蝕要在一個(gè)裝有冷卻蓋的密封回流容器中進(jìn)行。主要問題是光刻膠層經(jīng)不起刻蝕劑的溫度和高刻蝕速率。因此，需要一層二氧化硅或其他材料來阻擋刻蝕劑。這兩個(gè)因素已導(dǎo)致對(duì)于氮化硅使用干法刻蝕技術(shù)。蒸汽刻蝕
2018-12-21 13:49:20
的加工工藝流程，加工過程中需要運(yùn)用刻蝕機(jī)在晶圓上把復(fù)雜的3D圖形一層一層“堆疊”起來，實(shí)現(xiàn)單片機(jī)IC芯片的更小化。芯片，本質(zhì)上是一片載有集成電路（IC：Integrated circuit）的半導(dǎo)體元件
2018-08-23 17:34:34
臺(tái)面
刻蝕深度對(duì)埋柵SITH柵陰擊穿的影響針對(duì)臺(tái)面
刻蝕深度對(duì)埋柵型靜電感應(yīng)晶閘管（ＳＩＴＨ）柵陰擊穿特性的影響做了實(shí)驗(yàn)研究。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，隨著臺(tái)面
刻蝕深度的增大，器件柵陰擊穿由原來的軟擊穿變?yōu)橛矒舸?/div>
2009-10-06 09:30:24
就能對(duì)層上的特定部分進(jìn)行選擇性地移除。在有的情況中，罩的材料為光阻性的，這和光刻中利用的原理類似。而在其他情況中，刻蝕罩需要耐受某些化學(xué)物質(zhì)，氮化硅就可以用來制造這樣的“罩”?！?b class="flag-6" style="color: red">干法”（等離子）刻蝕用于
2017-10-09 19:41:52
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 編輯
釋放MEMS機(jī)械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35
2013-11-04 11:51:00
因產(chǎn)品配置不同, 價(jià)格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)全自動(dòng)離子刻蝕機(jī) MEL 3100伯東公司日本原裝進(jìn)口全自動(dòng)離子刻蝕機(jī) MEL 3100
2022-11-07 17:22:14
摘要 利用Cl2/BCl3/CH4電感應(yīng)耦合等離子體(ICP)干法刻蝕技術(shù),實(shí)現(xiàn)了對(duì)AlGaInAs,InP材料的非選擇性刻蝕。AlGaInAs與InP的刻蝕速率分別為820nm/min與770nm/min,獲得了刻蝕深度為4.9μm,垂直光滑的A
2010-11-30 14:58:45
17 釋放MEMS機(jī)械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)
濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35 Microstructures在SEMICON C
2009-11-18 09:17:32882 干法刻蝕原理
刻蝕作用：去除邊緣PN結(jié)，防止上下短路。干法刻蝕原理：利用高頻輝光放電反應(yīng)，使CF4氣體激活成活性粒子，這些活性
2010-07-18 11:28:205650 本文在淺溝槽隔離刻蝕過程中發(fā)現(xiàn)，當(dāng)刻蝕腔室上石英窗口的溫度超過85℃時(shí)，刻蝕終止出現(xiàn)在300mm晶圓的中心。我們認(rèn)為刻蝕終止的原因是由于某些低揮發(fā)SiOxCly刻蝕產(chǎn)物再淀積。石英
2012-05-04 17:09:372810 
晶體硅太陽能電池生產(chǎn)線刻蝕工序培訓(xùn) 1、刻蝕的作用及方法；2、刻蝕的工藝設(shè)備、操作流程及常用化學(xué)品；3、主要檢測(cè)項(xiàng)目及標(biāo)準(zhǔn)；4、常見問題及解決方法；5、未來工藝的發(fā)展方向；
2017-09-29 10:29:0924 目前市場(chǎng)上，一臺(tái)新的干法刻蝕設(shè)備使用的射頻源售價(jià)大概在1萬美金左右，而維修一臺(tái)射頻源的費(fèi)用一般也要1萬元人民幣以上，可見其費(fèi)用相當(dāng)昂貴。本著節(jié)約成木的原則，本單位對(duì)在使用中出現(xiàn)故障的射頻源進(jìn)行自主
2018-06-08 09:19:007416 
鈍化層刻蝕對(duì)厚鋁鋁須缺陷影響的研究
2018-03-06 09:02:505616 反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時(shí)采用的（如當(dāng)平坦化硅片表面時(shí)需要減小形貌特征）。光刻膠是另一個(gè)剝離的例子?？偟膩碚f，有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。為了復(fù)制硅片表面材料上的掩膜圖形，刻蝕必須滿足一些特殊的要求。
2018-12-14 16:05:2768554 深反應(yīng)離子刻蝕工藝，是實(shí)現(xiàn)高深寬比特性的重要方式，已成為微加工技術(shù)的基石。這項(xiàng)刻蝕技術(shù)在眾多領(lǐng)域均得到了應(yīng)用：1)MEMS電容式慣性傳感器；2) 宏觀設(shè)備的微型化；3) 三維集成電路堆疊技術(shù)的硅通孔工藝。
2020-10-09 14:17:3512760 
北方華創(chuàng)（Naura）官方宣布，ICP等離子刻蝕機(jī)第1000腔交付儀式近日在北京亦莊基地舉行，NAURA刻蝕機(jī)研發(fā)團(tuán)隊(duì)見證了這一歷史性時(shí)刻。
2020-12-11 15:30:092183 北方華創(chuàng)（Naura）官方宣布，ICP等離子刻蝕機(jī)第1000腔交付儀式近日在北京亦莊基地舉行，NAURA刻蝕機(jī)研發(fā)團(tuán)隊(duì)見證了這一歷史性時(shí)刻。 北方華創(chuàng)表示，這不僅是公司發(fā)展征程中的重要里程碑，更是
2020-12-11 15:37:382665 摘要：在半導(dǎo)體制造工藝的濕法刻蝕中，用熱磷酸刻蝕氮化硅和氮氧化硅是其中一個(gè)相對(duì)復(fù)雜又難以控制的工藝。在這個(gè)工藝中，熱磷酸刻蝕后的去離子水（ＤＩＷ）清洗更是一個(gè)非常重要的步驟。主要分析了由于去離子水
2020-12-29 14:36:072523 
形貌。在優(yōu)化后的刻蝕工藝條件下ＧａＮ材料刻蝕速率達(dá)到３４０ｎｍ／ｍｉｎ，側(cè)墻傾斜度大于８Ｏ。且刻蝕表均方根粗糙度小于３ｎｍ。對(duì)引起干法刻蝕損傷的因索進(jìn)行了討論，并介紹了幾種減小刻蝕損傷的方法。 氮化鎵（ＧａＮ
2020-12-29 14:39:292911 
在集成電路的制造過程中，刻蝕就是利用化學(xué)或物理方法有選擇性地從硅片表面去除不需要的材料的過程。從工藝上區(qū)分，刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。前者的主要特點(diǎn)是各向同性刻蝕；后者是利用等離子體來進(jìn)行
2020-12-29 14:42:588568 
兼容性好．采用電感耦合等離子體源(inductivelycoupledpla蛐，I凹)技術(shù)對(duì)金屬鈦進(jìn)行三雛深刻蝕，采用不同刻蝕掩模、氯基刻蝕氣體，研究了線圈功率、平板功率和娼流量對(duì)刻蝕速率和選擇比等工藝參數(shù)的影響，并對(duì)砸深刻蝕參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化，得到0．
2020-12-29 14:47:002385 摘要：簡(jiǎn)述了在SiC材料半導(dǎo)體器件制造工藝中,對(duì)SiC材料采用干法刻蝕工藝的必要性.總結(jié)了近年來SiC干法刻蝕技術(shù)的工藝發(fā)展?fàn)顩r. 半導(dǎo)體器件已廣泛應(yīng)用于各種場(chǎng)合,近年來其應(yīng)用領(lǐng)域已拓展至許多
2020-12-30 10:30:117689 
芯片制造有三大核心環(huán)節(jié)：薄膜沉積、光刻與刻蝕。其中，光刻環(huán)節(jié)成本最高，其次便是刻蝕環(huán)節(jié)。光刻是將電路圖畫在晶圓之上，刻蝕則是沿著這一圖案進(jìn)行雕刻。這一過程中，會(huì)用到的設(shè)備便是刻蝕機(jī)。
2021-01-18 11:34:224048 刻蝕是半導(dǎo)體制造中十分關(guān)鍵的一環(huán)，刻蝕通過物理或化學(xué)方法將硅片表面不需要的材料去除，從而將掩膜圖形正確的復(fù)制到涂膠硅片上。
2021-02-23 16:41:573386 本文研究了濕化學(xué)清洗過程中硅(001)表面形成的天然氧化物的均勻性。均勻性由光激發(fā)氟刻蝕初始階段的表面形貌決定。由于光激發(fā)氟蝕刻硅的速度比蝕刻氧化硅快40倍，它突出了硅表面上的硅原生氧化物，使它們
2021-12-30 15:14:12316 
刻蝕機(jī)不能代替光刻機(jī)。光刻機(jī)的精度和難度的要求都比刻蝕機(jī)高出很多，在需要光刻機(jī)加工的時(shí)候刻蝕機(jī)有些不能辦到，并且刻蝕機(jī)的精度十分籠統(tǒng)，而光刻機(jī)對(duì)精度的要求十分細(xì)致，所以刻蝕機(jī)不能代替光刻機(jī)。
2022-02-05 15:47:0039932 刻蝕速率是指在刻蝕過程中去除硅片表面材料的速度通常用?/min表示， 刻蝕窗口的深度稱為臺(tái)階高度。 為了高的產(chǎn)量， 希望有高的刻蝕速率。 在采用單片工藝的設(shè)備中， 這是一個(gè)很重要的參數(shù)。 刻蝕速率由工藝和設(shè)備變量決定， 如被刻蝕材料類型、 蝕機(jī)的結(jié)構(gòu)配置、 使用的刻蝕氣體和工藝參數(shù)設(shè)置。
2022-03-15 13:41:592921 
我們研究了堿性刻蝕表面形貌對(duì)p型單晶硅片少數(shù)壽命的影響，在恒溫下分別使用30%和23%的氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，表面狀態(tài)通過計(jì)算算術(shù)平均粗糙度(Ra)和U-V-可見光-近紅外光學(xué)反射率來表征，而電學(xué)
2022-04-24 14:59:54442 
我們測(cè)量了硅化物膜(CoSi2、NiSi2、TiSi2和WSi)的濺射刻蝕速率，并研究了離子能量的依賴性，發(fā)現(xiàn)它們與二氧化硅薄膜的相對(duì)濺射刻蝕速率幾乎與濺射離子能量無關(guān)，從相對(duì)濺射蝕刻速率和計(jì)算
2022-05-07 15:41:461139 
我們?nèi)A林科納研究了一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法，能夠通過調(diào)整蝕刻參數(shù)，如等離子體強(qiáng)度、溫度和持續(xù)時(shí)間，從邊緣控制蝕刻，蝕刻過程歸因于碳原子的氫化和揮發(fā)，蝕刻動(dòng)力學(xué)與甲烷形成一致，這種簡(jiǎn)單、干凈、可控且可擴(kuò)展的技術(shù)與現(xiàn)有的半導(dǎo)體處理技術(shù)兼容。
2022-05-19 17:06:461785 
刻蝕室半導(dǎo)體IC制造中的至關(guān)重要的一道工藝，一般有干法刻蝕和濕法刻蝕兩種，干法刻蝕和濕法刻蝕一個(gè)顯著的區(qū)別是各向異性，更適合用于對(duì)形貌要求較高的工藝步驟。
2022-06-13 14:43:316 濕法刻蝕也稱腐蝕。硅的濕法刻蝕是 MEMS 加工中常用的技術(shù)。其中，各向同性 （Isotropic）濕法刻蝕常用的腐蝕劑是由氫氟酸（HF）、硝酸（ HNO3）和乙酸（CH3COOH）組成的混合物
2022-10-08 09:16:323605 在 MEMS 制造工藝中，常用的干法刻蝕包括反應(yīng)離子刻蝕 （Reactive lon Etching， RIE）、深反應(yīng)離子刻蝕（Deep Reactive lon Etching， DRIE） 和XerF2各向同性蝕刻。
2022-10-10 10:12:153290 干法刻蝕工藝流程為，將刻蝕氣體注入真空反應(yīng)室，待壓力穩(wěn)定后，利用射頻輝光放電產(chǎn)生等離子體；受高速電子撞擊后分解產(chǎn)生自由基，并擴(kuò)散到圓片表面被吸附。
2022-11-10 09:54:193301 濕法刻蝕是集成電路制造工藝最早采用的技術(shù)之一。雖然由于受其刻蝕的各向同性的限制，使得大部分的濕法刻蝕工藝被具有各向異性的干法刻蝕替代，但是它在尺寸較大的非關(guān)鍵層清洗中依然發(fā)揮著重要的作用。
2022-11-11 09:34:187311 每一臺(tái)刻蝕設(shè)備都需做好在最佳條件下運(yùn)行的準(zhǔn)備。我們的刻蝕工藝工程師運(yùn)用精湛的制造技術(shù)，完成這一細(xì)節(jié)工藝的處理。
2023-01-07 14:08:363176 刻蝕是移除晶圓表面材料，達(dá)到IC設(shè)計(jì)要求的一種工藝過程。刻蝕有兩種:一種為圖形 化刻蝕，這種刻蝕能將指定區(qū)域的材料去除，如將光刻膠或光刻版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底薄膜 上
2023-02-01 09:09:351767 刻蝕速率是測(cè)量刻蝕物質(zhì)被移除的速率。由于刻蝕速率直接影響刻蝕的產(chǎn)量，因此刻蝕速率是一個(gè)重要參數(shù)。
2023-02-06 15:06:264054 濕法刻蝕利用化學(xué)溶液溶解晶圓表面的材料，達(dá)到制作器件和電路的要求。濕法刻蝕化學(xué)反應(yīng)的生成物是氣體、液體或可溶于刻蝕劑的固體。
2023-02-10 11:03:184108 刻蝕有三種:純化學(xué)刻蝕、純物理刻蝕，以及介于兩者之間的反應(yīng)式離子刻蝕（ReactiveIonEtch,RIE）。
2023-02-20 09:45:072612 。本研究采用電感耦合等離子體刻
蝕法對(duì)氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)進(jìn)行干法刻蝕，刻蝕氣體為氯氣，添加氣體為三氯化硼。研究了刻蝕氣體流量、電感耦合等離
子體功率、射頻功率和室壓等關(guān)鍵工藝參數(shù)對(duì)氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)刻蝕性
2023-02-22 15:45:410 從下圖中可以看出結(jié)合使用XeF2氣流和氯離子轟擊的刻蝕速率最高，明顯高于這兩種工藝單獨(dú)使用時(shí)的刻蝕速率總和。
2023-02-23 17:17:202717 等離子體最初用來刻蝕含碳物質(zhì)，例如用氧等離子體剝除光刻膠，這就是所謂的等離子體剝除或等離子體灰化。等離子體中因高速電子分解碰撞產(chǎn)生的氧原子自由基會(huì)很快與含碳物質(zhì)中的碳和氫反應(yīng)，形成易揮發(fā)的co,co2和h2o并且將含碳物質(zhì)有效地從表面移除。這個(gè)過程是在帶有刻蝕隧道的桶狀系統(tǒng)中進(jìn)行的（見下圖）。
2023-03-06 13:50:481081 嚴(yán)重的離子轟擊將產(chǎn)生大量的熱量，所以如果沒有適當(dāng)?shù)睦鋮s系統(tǒng)，晶圓溫度就會(huì)提高。對(duì)于圖形化刻蝕，晶圓上涂有一層光刻膠薄膜作為圖形屏蔽層，如果晶圓溫度超過150攝氏度,屏蔽層就會(huì)被燒焦，而且化學(xué)刻蝕速率
2023-03-06 13:52:33832 對(duì)于濕法刻蝕，大部分刻蝕的終點(diǎn)都取決于時(shí)間，而時(shí)間又取決于預(yù)先設(shè)定的刻蝕速率和所需的刻蝕厚度。由于缺少自動(dòng)監(jiān)測(cè)終點(diǎn)的方法，所以通常由操作員目測(cè)終點(diǎn)。濕法刻蝕速率很容易受刻蝕劑溫度與濃度的影響，這種影響對(duì)不同工作站和不同批量均有差異，因此單獨(dú)用時(shí)間決定刻蝕終點(diǎn)很困難，一般釆用操作員目測(cè)的方式。
2023-03-06 13:56:031786 DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162230 金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制，防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時(shí)鋁中如果 有少量銅就會(huì)引起殘余物問題，因?yàn)镃u Cl2的揮發(fā)性極低且會(huì)停留在晶圓表面。
2023-04-10 09:40:542360 壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時(shí)也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會(huì)改變電子和離子的平均自由程(MFP),進(jìn)而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:431959 但是，HCl為基體的刻蝕溶液，會(huì)嚴(yán)重地侵蝕Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe，使金屬硅化物阻值升高。這就要求有一種刻蝕劑是無氯基體，而且對(duì)Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe無傷害、對(duì)金屬選擇性又高。這就是目前常用的高溫硫酸和雙氧水混合液
2023-05-29 10:48:271479 
硅的堿性刻蝕液：氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，晶片加工中，會(huì)用到強(qiáng)堿作表面腐蝕或減薄，器件生產(chǎn)中，則傾向于弱堿，如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒，一部分機(jī)理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011614 光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。
2023-06-08 10:52:353412 
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:571188 
：使用特定的化學(xué)溶液進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)來去除氧化膜的濕法刻蝕，以及使用氣體或等離子體的干法刻蝕。1、濕法刻蝕使用化學(xué)溶液去除氧化膜的濕法刻蝕具有成本低、刻蝕速度快和生產(chǎn)率高
2022-07-12 15:49:251462 
Dimension, CD)小型化(2D視角)，刻蝕工藝從濕法刻蝕轉(zhuǎn)為干法刻蝕，因此所需的設(shè)備和工藝更加復(fù)雜。由于積極采用3D單元堆疊方法，刻蝕工藝的核心性能指數(shù)出現(xiàn)波動(dòng)，從而刻蝕工藝與光刻工藝成為半導(dǎo)體制造的重要工藝流程之一。
2023-06-26 09:20:10822 
第一種是間歇式刻蝕方法(BOSCH)，即多次交替循環(huán)刻蝕和淀積工藝，刻蝕工藝使用的是SF6氣體，淀積工藝使用的是C4F8氣體
2023-07-14 09:54:463306 
刻蝕（Etching）的目的是在材料表面上刻出所需的圖案和結(jié)構(gòu)。刻蝕的原理是利用化學(xué)反應(yīng)或物理過程，通過移除材料表面的原子或分子，使材料發(fā)生形貌變化。
2023-08-01 16:33:383977 PVP可以在刻蝕過程中形成一層保護(hù)性的膜，降低刻蝕劑對(duì)所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙，并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不需要的蝕刻或損傷，提高刻蝕的選擇性。
2023-08-17 15:39:392916 9月17日，北方華創(chuàng)在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，公司前期已經(jīng)發(fā)布了首臺(tái)國產(chǎn)12英寸CCP晶邊干法刻蝕設(shè)備研發(fā)成功有關(guān)信息，目前已在客戶端實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，其優(yōu)秀的工藝均勻性、穩(wěn)定性贏得客戶高度評(píng)價(jià)。
2023-09-20 10:09:49562 在半導(dǎo)體制造中，刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術(shù)各有優(yōu)勢(shì)，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關(guān)重要的。
2023-09-26 18:21:003375 
有過深硅刻蝕的朋友經(jīng)常會(huì)遇到這種情況：在一片晶圓上不同尺寸的孔或槽刻蝕速率是不同的。
2023-10-07 11:29:171506 
刻蝕（或蝕刻）是從晶圓表面去除特定區(qū)域的材料以形成相應(yīng)微結(jié)構(gòu)。但是，在目標(biāo)材料被刻蝕時(shí)，通常伴隨著其他層或掩膜的刻蝕。
2023-10-07 14:19:252125 
但是，在刻蝕SOI襯底時(shí)，通常會(huì)發(fā)生一種凹槽效應(yīng)，導(dǎo)致刻蝕的形貌與預(yù)想的有很大出入。那么什么是凹槽效應(yīng)？什么原因引起的？怎么抑制這種異常效應(yīng)呢？
2023-10-20 11:04:21471 
據(jù)工信部網(wǎng)站11月16日消息，工信部公開征集了《半導(dǎo)體設(shè)備 集成電路制造用干法刻蝕設(shè)備測(cè)試方法》等196個(gè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、1個(gè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外文版、38個(gè)推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)計(jì)劃項(xiàng)目的意見。
2023-11-16 17:04:49655 
半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形
2023-11-27 16:54:26259 
濕法刻蝕由于成本低、操作簡(jiǎn)單和一些特殊應(yīng)用，所以它依舊普遍。
2023-11-27 10:20:17470 
W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體，并通過加入N2以增加對(duì)光刻膠的選擇比，加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步，第一步是快速均勻地刻掉大部分W，第二步則降低刻蝕速率減弱負(fù)載效應(yīng)，避免產(chǎn)生凹坑，并使用對(duì)TiN有高選擇比的化學(xué)氣體進(jìn)行刻蝕。
2023-12-06 09:38:531642 該專利詳細(xì)闡述了一種針對(duì)含硅有機(jī)介電層的高效刻蝕方法及相應(yīng)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備。它主要涉及到通過交替運(yùn)用至少兩個(gè)刻蝕步驟來刻蝕含硅有機(jī)介電層。這兩個(gè)步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。
2023-12-06 11:58:16381 
在紅外探測(cè)器的制造技術(shù)中，臺(tái)面刻蝕是完成器件電學(xué)隔離的必要環(huán)節(jié)。
2024-01-08 10:11:01213 
對(duì)DRIE刻蝕，是基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術(shù)。與RIE刻蝕原理相同，利用硅的各向異性，通過化學(xué)作用和物理作用進(jìn)行刻蝕。不同之處在于，兩個(gè)射頻源：將等離子的產(chǎn)生和自偏壓的產(chǎn)生分離
2024-01-14 14:11:59541 
使用SEMulator3D?工藝步驟進(jìn)行刻蝕終點(diǎn)探測(cè) 作者：泛林集團(tuán) Semiverse Solutions 部門軟件應(yīng)用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導(dǎo)體行業(yè)一直專注于使用先進(jìn)的刻蝕
2024-01-19 16:02:42136 
影響深硅刻蝕的關(guān)鍵參數(shù)有：氣體流量、上電極功率、下電極功率、腔體壓力和冷卻器。
2024-02-25 10:44:39312 
刻蝕機(jī)的刻蝕過程和傳統(tǒng)的雕刻類似，先用光刻技術(shù)將圖形形狀和尺寸制成掩膜，再將掩膜與待加工物料模組裝好，將樣品置于刻蝕室內(nèi)，通過化學(xué)腐蝕或物理磨蝕等方式將待加工物料表面的非掩膜區(qū)域刻蝕掉，以得到所需的凹槽和溝槽。
2024-03-11 15:38:24572 
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