采用電感耦合等離子體刻蝕法對氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)進行干法刻蝕，刻蝕氣體為氯氣，添加氣體為三氯化硼。研究了刻蝕氣體流量、電感耦合等離子體功率、射頻功率和室壓等關(guān)鍵工藝參數(shù)對氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)刻蝕
2022-04-26 14:07:28
1762 
等離子體工藝廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中。比如，IC制造中的所有圖形化刻蝕均為等離子體刻蝕或干法刻蝕，等離子體增強式化學(xué)氣相沉積(PECVD)和高密度等離子體化學(xué)氣相沉積 (HDP CVD)廣泛用于電介質(zhì)
2022-11-15 09:57:312626 等離子體圖形化刻蝕過程中，刻蝕圖形將影響刻蝕速率和刻蝕輪廓，稱為負(fù)載效應(yīng)。負(fù)載效應(yīng)有兩種:宏觀負(fù)載效應(yīng)和微觀負(fù)載效應(yīng)。
2023-02-08 09:41:262467 在干法蝕刻中，氣體受高頻（主要為 13.56 MHz 或 2.45 GHz）激發(fā)。在 1 到 100 Pa 的壓力下，其平均自由程為幾毫米到幾厘米。
2023-06-20 09:49:163694 
在半導(dǎo)體前端工藝第三篇中，我們了解了如何制作“餅干模具”。本期，我們就來講講如何采用這個“餅干模具”印出我們想要的“餅干”。這一步驟的重點，在于如何移除不需要的材料，即“刻蝕（Etching）工藝”。
2023-08-10 15:06:10506 濕法刻蝕由于精度較差，只適用于很粗糙的制程，但它還是有優(yōu)點的，比如價格便宜，適合批量處理，酸槽里可以一次浸泡25張硅片，所以有些高校和實驗室，還在用濕法做器件，芯片廠里也會用濕法刻蝕來顯露表面缺陷（defect），腐蝕背面多晶硅。
2023-08-28 09:47:44891 
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-09-24 17:42:03996 
但是里面也有幾個關(guān)鍵的工藝參數(shù)需要控制的。同樣Etch GaAs也可以用ICP干法刻蝕的工藝，比濕法工藝效果要好些，側(cè)壁也垂直很多。
2023-11-14 09:31:29407 干法刻蝕技術(shù)是一種在大氣或真空條件下進行的刻蝕過程，通常使用氣體中的離子或化學(xué)物質(zhì)來去除材料表面的部分，通過掩膜和刻蝕參數(shù)的調(diào)控，可以實現(xiàn)各向異性及各向同性刻蝕的任意切換，從而形成所需的圖案或結(jié)構(gòu)
2024-01-20 10:24:561114 
在半導(dǎo)體加工工藝中，常聽到的兩個詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching)，它們像倆兄弟一樣，一前一后的出現(xiàn)，有著千絲萬縷的聯(lián)系，這一節(jié)介紹半導(dǎo)體刻蝕工藝。
2024-01-26 10:01:58552 
（干法刻蝕硅）17、 RIE SiO2 （干法刻蝕二氧化硅）18、 RIE Si3N4 （干法刻蝕氮化硅）19、 RIE Al、AlN、Ti、TiN （干法刻蝕金屬，包括干法刻蝕鋁、干法刻蝕氮化
2015-01-07 16:15:47
不同特征尺寸的MOS晶體管,計算了由這些晶體管組成的靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)單粒子翻轉(zhuǎn)的臨界電荷Qcrit、LET閾值(LETth),建立了LETth與臨界電荷之間的解析關(guān)系,研究了特征工藝尺寸
2010-04-22 11:50:00
AOE刻蝕氧化硅可以，同時這個設(shè)備可以刻蝕硅嗎？大致的氣體配比是怎樣的，我這里常規(guī)的刻蝕氣體都有，但是過去用的ICP，還沒有用過AOE刻蝕硅，請哪位大佬指點一下，謝謝。
2022-10-21 07:20:28
實現(xiàn)，必須采用微加工技術(shù)制造。微加工技術(shù)包括硅的體微加工技術(shù)、表面微加工技術(shù)和特殊微加工技術(shù)。體加工技術(shù)是指沿著硅襯底的厚度方向?qū)枰r底進行刻蝕的工藝，包括濕法刻蝕和干法刻蝕，是實現(xiàn)三維結(jié)構(gòu)的重要方法
2016-12-09 17:46:21
技術(shù)、表面微加工技術(shù)和特殊微加工技術(shù)。體加工技術(shù)是指沿著硅襯底的厚度方向?qū)枰r底進行刻蝕的工藝，包括濕法刻蝕和干法刻蝕，是實現(xiàn)三維結(jié)構(gòu)的重要方法。表面微加工是采用薄膜沉積、光刻以及刻蝕工藝，通過在犧牲層
2018-11-12 10:51:35
３０ ｄＢｍ，增益大于５ ｄＢ。關(guān)鍵詞：碳化硅；金屬?半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管；犧牲氧化；干法刻蝕；等平面工藝
2009-10-06 09:48:48
表面的預(yù)處理 治療2.2 GaN襯底的CMP處理2.3 GaN襯底的ICP干法刻蝕2.4 表面處理后的表面和次表面評估3. 結(jié)果和討論3.1 GaN襯底的CMP處理3.2 GaN襯底的ICP干法刻蝕
2021-07-07 10:26:01
新加坡知名半導(dǎo)體晶圓代工廠招聘資深刻蝕工藝工程師和刻蝕設(shè)備主管！此職位為內(nèi)部推薦，深刻蝕工藝工程師需要有LAM 8寸機臺poly刻蝕經(jīng)驗。刻蝕設(shè)備主管需要熟悉LAM8寸機臺。待遇優(yōu)厚。有興趣的朋友可以將簡歷發(fā)到我的郵箱sternice81@gmail.com，我會轉(zhuǎn)發(fā)給HR。
2017-04-29 14:23:25
提到?；谄渚窒扌钥紤]，干法刻蝕被用于先進電路的小特征尺寸精細刻蝕中。干法刻蝕是一個通稱術(shù)語，是指以氣體為主要媒體的刻蝕技術(shù)，晶圓不需要液體化學(xué)品或沖洗。晶圓在干燥的狀態(tài)進出系統(tǒng)。三種干法刻蝕技術(shù)
2018-12-21 13:49:20
半導(dǎo)體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
的有氧化爐、沉積設(shè)備、光刻機、刻蝕設(shè)備、離子注入機、清洗機、化學(xué)研磨設(shè)備等。以上是今日Enroo關(guān)于晶圓制造工藝及半導(dǎo)體設(shè)備的相關(guān)分享。
2018-10-15 15:11:22
擊穿電壓。同時，還簡要描述了這種器件的制造工藝。關(guān)鍵詞：靜電感應(yīng)晶閘管；埋柵結(jié)構(gòu)；臺面刻蝕；柵陰擊穿；表面缺
2009-10-06 09:30:24
形成電路，而“濕法”刻蝕（使用化學(xué)?。┲饕糜谇鍧嵕A。 干法刻蝕是半導(dǎo)體制造中最常用的工藝之一。 開始刻蝕前，晶圓上會涂上一層光刻膠或硬掩膜（通常是氧化物或氮化物），然后在光刻時將電路圖形曝光在晶圓
2017-10-09 19:41:52
基于汽車音響的發(fā)展和現(xiàn)狀，本文總結(jié)了未來汽車多媒體的5大發(fā)展特征、系統(tǒng)理念和系統(tǒng)架構(gòu)，并對未來汽車多媒體的發(fā)展趨勢進行了簡單的介紹。
2021-05-13 06:48:50
煙氣循環(huán)流化床干法脫硫工藝系統(tǒng)設(shè)計中的技術(shù)關(guān)鍵
2009-09-11 01:00:04
負(fù)責(zé)兼顧wet制程設(shè)備（清洗&刻蝕&剝離）。任職資格：1. 本科以上學(xué)歷,5年以上相關(guān)工作經(jīng)驗；2. 熟悉LTPS工藝者佳，熟悉干法刻蝕段所有設(shè)備的工藝需求；3. 具有良好的英文書
2017-02-04 10:04:52
（清洗&刻蝕&剝離）。任職資格：1. 本科以上學(xué)歷,5年以上相關(guān)工作經(jīng)驗；2. 熟悉LTPS工藝者佳，熟悉干法刻蝕段所有設(shè)備的工藝需求；3. 具有良好的英文書面表達能力，可以使用英語或
2016-12-16 11:45:29
混合液(也稱緩沖氫氟酸液)，氮化硅膜的腐蝕液為180 oC左右的熱磷酸；鋁的腐蝕液為磷酸溶液(磷酸：醋酸：硝酸=250：20：3,55 + - 5 oC。 2 干法腐蝕 干法刻蝕分為各向同性刻蝕
2019-08-16 11:11:34
、具有半導(dǎo)體器件工藝開發(fā)工作經(jīng)歷，3年以上工作經(jīng)驗,4、具有良好的團隊合作精神和進取精神三、半導(dǎo)體刻蝕工藝工程師職責(zé)描述：1、 獨立負(fù)責(zé)干法、濕法刻蝕工藝,進行刻蝕工藝菜單的調(diào)試; 2、優(yōu)化干法刻蝕、濕法
2016-10-26 17:05:04
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 編輯
釋放MEMS機械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35
2013-11-04 11:51:00
煙氣循環(huán)流化床干法脫硫工藝系統(tǒng)設(shè)計中的技術(shù)關(guān)鍵：煙氣循環(huán)流化床干法脫硫工藝系統(tǒng)設(shè)計中的技術(shù)關(guān)鍵可歸納為“循環(huán)流化、一頭一尾”八個字，即物料循環(huán)系統(tǒng)、吸收塔系統(tǒng)
2009-05-31 12:39:31
28 本文以金屬刻蝕去膠腔為背景，簡述干刻清洗工藝開發(fā)和評價過程。針對實際應(yīng)用中的問題，展開討論。通過實際案例分析,展示了干刻清洗工藝的應(yīng)用價值。關(guān)鍵字：干刻清
2009-12-14 11:06:1016 刻蝕•光刻就是在光刻膠上形成圖形•下一步就是將光刻膠上的圖形通過刻蝕轉(zhuǎn)移到光刻膠下面的層上•刻蝕工藝分為濕法和干法刻蝕的品質(zhì)•刻
2010-06-21 17:29:4072 摘要 利用Cl2/BCl3/CH4電感應(yīng)耦合等離子體(ICP)干法刻蝕技術(shù),實現(xiàn)了對AlGaInAs,InP材料的非選擇性刻蝕。AlGaInAs與InP的刻蝕速率分別為820nm/min與770nm/min,獲得了刻蝕深度為4.9μm,垂直光滑的A
2010-11-30 14:58:4517 釋放MEMS機械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)
濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35 Microstructures在SEMICON C
2009-11-18 09:17:32880 干法刻蝕原理
刻蝕作用：去除邊緣PN結(jié)，防止上下短路。干法刻蝕原理：利用高頻輝光放電反應(yīng)，使CF4氣體激活成活性粒子，這些活性
2010-07-18 11:28:205637 蘋果設(shè)計和工程團隊研究出一種新型的鍵盤刻蝕工藝，利用不同的激光來制作蘋果背光鍵盤.
2011-12-16 09:43:20764 
本文實現(xiàn)了一種正面開口的熱電堆結(jié)構(gòu)，采用XeF2作為工作氣體干法刻蝕工藝釋放器件。相對于刻蝕硅，XeF2氣體對鋁等材料的刻蝕速率極小，這樣就可以采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝中最常用的材料
2012-05-02 17:26:133612 
本文在淺溝槽隔離刻蝕過程中發(fā)現(xiàn)，當(dāng)刻蝕腔室上石英窗口的溫度超過85℃時，刻蝕終止出現(xiàn)在300mm晶圓的中心。我們認(rèn)為刻蝕終止的原因是由于某些低揮發(fā)SiOxCly刻蝕產(chǎn)物再淀積。石英
2012-05-04 17:09:372803 
LED 芯片的制造工藝流程：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2 腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。
2016-08-05 17:45:2117422 
晶體硅太陽能電池生產(chǎn)線刻蝕工序培訓(xùn) 1、刻蝕的作用及方法；2、刻蝕的工藝設(shè)備、操作流程及常用化學(xué)品；3、主要檢測項目及標(biāo)準(zhǔn)；4、常見問題及解決方法；5、未來工藝的發(fā)展方向；
2017-09-29 10:29:0924 目前市場上，一臺新的干法刻蝕設(shè)備使用的射頻源售價大概在1萬美金左右，而維修一臺射頻源的費用一般也要1萬元人民幣以上，可見其費用相當(dāng)昂貴。本著節(jié)約成木的原則，本單位對在使用中出現(xiàn)故障的射頻源進行自主
2018-06-08 09:19:007395 
左藍微電子（www.sappland.com）專注于MEMS射頻器件的研發(fā)，公司擁有國際一流的實驗室設(shè)備和工藝加工能力。薄膜沉積，ALN鍍膜，各種光刻工藝，干法刻蝕和濕法刻蝕，先進的圖像分析和測量儀器等。歡迎共享，合作交流！請聯(lián)系李志鵬，手機號碼1885168273。
2018-03-13 11:25:00206 左藍微電子專注于MEMS射頻器件的研發(fā)，公司擁有國際一流的實驗室設(shè)備和工藝加工能力。薄膜沉積，ALN鍍膜，各種光刻工藝，干法刻蝕和濕法刻蝕，先進的圖像分析和測量儀器等。歡迎共享，合作交流！請聯(lián)系李志鵬，手機號碼1885168273。
2018-03-13 11:27:45198 反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時采用的（如當(dāng)平坦化硅片表面時需要減小形貌特征）。光刻膠是另一個剝離的例子。總的來說，有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術(shù)來實現(xiàn)。為了復(fù)制硅片表面材料上的掩膜圖形，刻蝕必須滿足一些特殊的要求。
2018-12-14 16:05:2768523 外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。
2019-03-27 16:58:1520979 摘要：對比了ＲＩＥ，ＥＣＲ，ＩＣＰ等幾種ＧａＮ７干法刻蝕方法的特點?；仡櫫耍牵幔危狈?b class="flag-6" style="color: red">刻蝕領(lǐng)域的研究進展。以ＩＣＰ刻蝕ＧａＮ和ＡＩＧａＮ材料為例，通過工藝參數(shù)的優(yōu)化，得到了高刻蝕速率和理想的選擇比及
2020-12-29 14:39:292909 
在集成電路的制造過程中，刻蝕就是利用化學(xué)或物理方法有選擇性地從硅片表面去除不需要的材料的過程。從工藝上區(qū)分，刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。前者的主要特點是各向同性刻蝕；后者是利用等離子體來進行
2020-12-29 14:42:588547 
摘要：簡述了在SiC材料半導(dǎo)體器件制造工藝中,對SiC材料采用干法刻蝕工藝的必要性.總結(jié)了近年來SiC干法刻蝕技術(shù)的工藝發(fā)展狀況. 半導(dǎo)體器件已廣泛應(yīng)用于各種場合,近年來其應(yīng)用領(lǐng)域已拓展至許多
2020-12-30 10:30:117638 
刻蝕速率是指在刻蝕過程中去除硅片表面材料的速度通常用?/min表示， 刻蝕窗口的深度稱為臺階高度。 為了高的產(chǎn)量， 希望有高的刻蝕速率。 在采用單片工藝的設(shè)備中， 這是一個很重要的參數(shù)。 刻蝕速率由工藝和設(shè)備變量決定， 如被刻蝕材料類型、 蝕機的結(jié)構(gòu)配置、 使用的刻蝕氣體和工藝參數(shù)設(shè)置。
2022-03-15 13:41:592907 
我們?nèi)A林科納研究了一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法，能夠通過調(diào)整蝕刻參數(shù)，如等離子體強度、溫度和持續(xù)時間，從邊緣控制蝕刻，蝕刻過程歸因于碳原子的氫化和揮發(fā)，蝕刻動力學(xué)與甲烷形成一致，這種簡單、干凈、可控且可擴展的技術(shù)與現(xiàn)有的半導(dǎo)體處理技術(shù)兼容。
2022-05-19 17:06:461781 
刻蝕室半導(dǎo)體IC制造中的至關(guān)重要的一道工藝，一般有干法刻蝕和濕法刻蝕兩種，干法刻蝕和濕法刻蝕一個顯著的區(qū)別是各向異性，更適合用于對形貌要求較高的工藝步驟。
2022-06-13 14:43:316 灰化，簡單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳氫有機物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。
2022-07-21 11:20:174871 在 MEMS 制造工藝中，常用的干法刻蝕包括反應(yīng)離子刻蝕 （Reactive lon Etching， RIE）、深反應(yīng)離子刻蝕（Deep Reactive lon Etching， DRIE） 和XerF2各向同性蝕刻。
2022-10-10 10:12:153281 干法刻蝕工藝流程為，將刻蝕氣體注入真空反應(yīng)室，待壓力穩(wěn)定后，利用射頻輝光放電產(chǎn)生等離子體；受高速電子撞擊后分解產(chǎn)生自由基，并擴散到圓片表面被吸附。
2022-11-10 09:54:193264 濕法刻蝕是集成電路制造工藝最早采用的技術(shù)之一。雖然由于受其刻蝕的各向同性的限制，使得大部分的濕法刻蝕工藝被具有各向異性的干法刻蝕替代，但是它在尺寸較大的非關(guān)鍵層清洗中依然發(fā)揮著重要的作用。
2022-11-11 09:34:187251 目前制作硅通孔的主要手段有濕法刻蝕,激光加工和干法刻蝕(深反應(yīng)離子刻蝕, DRIE )三種。
2022-12-07 11:26:20282 其制造工藝流程如下：首先形成補償側(cè)墻 (Offset Spacer)，經(jīng)n+/p+輕摻雜源漏后，選擇性地進行圖形化，在p型源漏區(qū)先進行干法刻蝕，使其凹陷適當(dāng)?shù)纳疃?30~100nm)；然后采用濕法各向異性刻蝕形成“鉆石”形腔（Diamond Cavity，又稱“∑”形狀）
2023-01-05 14:08:312145 清洗硅晶片，在其上形成諸如金屬或絕緣膜的薄膜，并且通過光刻形成用于電路圖案的抗蝕劑掩模。然后，通過干法蝕刻進行實際加工，去除并清洗不需要的抗蝕劑，并檢查圖案尺寸。在這里，光刻和干法蝕刻這兩種技術(shù)被稱為微細加工。
2023-01-05 14:16:052622 刻蝕是移除晶圓表面材料，達到IC設(shè)計要求的一種工藝過程。刻蝕有兩種:一種為圖形 化刻蝕，這種刻蝕能將指定區(qū)域的材料去除，如將光刻膠或光刻版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底薄膜 上
2023-02-01 09:09:351748 刻蝕速率是測量刻蝕物質(zhì)被移除的速率。由于刻蝕速率直接影響刻蝕的產(chǎn)量，因此刻蝕速率是一個重要參數(shù)。
2023-02-06 15:06:263998 干法電極工藝特點是工藝過程簡單、電極更厚、無溶劑化。電極制造過程沒有溶劑參與的固液兩相懸浮液混合，濕涂層的干燥過程，工藝更簡單，更靈活性。
2023-02-12 11:18:263200 。本研究采用電感耦合等離子體刻
蝕法對氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)進行干法刻蝕，刻蝕氣體為氯氣，添加氣體為三氯化硼。研究了刻蝕氣體流量、電感耦合等離
子體功率、射頻功率和室壓等關(guān)鍵工藝參數(shù)對氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)刻蝕性
2023-02-22 15:45:410 對于濕法刻蝕，大部分刻蝕的終點都取決于時間，而時間又取決于預(yù)先設(shè)定的刻蝕速率和所需的刻蝕厚度。由于缺少自動監(jiān)測終點的方法，所以通常由操作員目測終點。濕法刻蝕速率很容易受刻蝕劑溫度與濃度的影響，這種影響對不同工作站和不同批量均有差異，因此單獨用時間決定刻蝕終點很困難，一般釆用操作員目測的方式。
2023-03-06 13:56:031773 FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作，這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝，如CD、深度和輪廓。
2023-03-30 09:39:182461 DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162200 圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。
2023-04-28 11:24:271074 
采用干法刻蝕。采用高頻輝光放電反應(yīng)，采用高頻輝光放電反應(yīng)，使反應(yīng)氣體激活成活性粒子，如原子或各種游離基，這些活性粒子擴散到硅片邊緣，在那里與硅進行反應(yīng)，形成揮發(fā)性生成物四氟化硅而被去除。
2023-05-06 15:08:232911 
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:571181 
：使用特定的化學(xué)溶液進行化學(xué)反應(yīng)來去除氧化膜的濕法刻蝕，以及使用氣體或等離子體的干法刻蝕。1、濕法刻蝕使用化學(xué)溶液去除氧化膜的濕法刻蝕具有成本低、刻蝕速度快和生產(chǎn)率高
2022-07-12 15:49:251454 
離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量，它們會撞擊表面的材料。晶圓垂直或傾斜入離子束，蝕刻過程是絕對
2023-06-20 09:48:563990 
Dimension, CD)小型化(2D視角)，刻蝕工藝從濕法刻蝕轉(zhuǎn)為干法刻蝕，因此所需的設(shè)備和工藝更加復(fù)雜。由于積極采用3D單元堆疊方法，刻蝕工藝的核心性能指數(shù)出現(xiàn)波動，從而刻蝕工藝與光刻工藝成為半導(dǎo)體制造的重要工藝流程之一。
2023-06-26 09:20:10816 
干法電極工藝再獲國際車企巨頭“力挺”。
2023-06-28 09:55:171028 第一種是間歇式刻蝕方法(BOSCH)，即多次交替循環(huán)刻蝕和淀積工藝，刻蝕工藝使用的是SF6氣體，淀積工藝使用的是C4F8氣體
2023-07-14 09:54:463214 
雙色紅外探測器具有抗干擾能力強、探測波段范圍廣、目標(biāo)特征信息豐富等優(yōu)點，因此被廣泛應(yīng)用于導(dǎo)彈預(yù)警、氣象服務(wù)、精確制導(dǎo)、光電對抗和遙感衛(wèi)星等領(lǐng)域。雙色紅外探測技術(shù)可降低虛警率，實現(xiàn)復(fù)雜背景下的目標(biāo)
2023-08-25 09:16:42886 
半導(dǎo)體工程裝備、北方華創(chuàng)的主要品種是刻蝕、薄膜、清洗、熱處理、晶體生長等核心技術(shù)裝備，廣泛應(yīng)用邏輯部件，存儲半導(dǎo)體零部件、先進封裝、第三代半導(dǎo)體照明、微機電系統(tǒng)、新型顯示、新能源，襯底材料制造等工藝過程。
2023-09-18 09:47:19578 9月17日，北方華創(chuàng)在投資者互動平臺表示，公司前期已經(jīng)發(fā)布了首臺國產(chǎn)12英寸CCP晶邊干法刻蝕設(shè)備研發(fā)成功有關(guān)信息，目前已在客戶端實現(xiàn)量產(chǎn)，其優(yōu)秀的工藝均勻性、穩(wěn)定性贏得客戶高度評價。
2023-09-20 10:09:49559 在半導(dǎo)體制造中，刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術(shù)各有優(yōu)勢，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關(guān)重要的。
2023-09-26 18:21:003307 
有過深硅刻蝕的朋友經(jīng)常會遇到這種情況：在一片晶圓上不同尺寸的孔或槽刻蝕速率是不同的。
2023-10-07 11:29:171454 
但是，在刻蝕SOI襯底時，通常會發(fā)生一種凹槽效應(yīng)，導(dǎo)致刻蝕的形貌與預(yù)想的有很大出入。那么什么是凹槽效應(yīng)？什么原因引起的？怎么抑制這種異常效應(yīng)呢？
2023-10-20 11:04:21461 
在芯片制程中，很多金屬都能用等離子的方法進行刻蝕，例如金屬Al，W等。但是唯獨沒有聽說過干法刻銅工藝，聽的最多的銅互連工藝要數(shù)雙大馬士革工藝，為什么？
2023-11-14 18:25:332644 
據(jù)工信部網(wǎng)站11月16日消息，工信部公開征集了《半導(dǎo)體設(shè)備 集成電路制造用干法刻蝕設(shè)備測試方法》等196個行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、1個行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外文版、38個推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)計劃項目的意見。
2023-11-16 17:04:49652 
半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形
2023-11-27 16:54:26256 
通過CFD流場模擬技術(shù)對溫度流場和混合流場進行優(yōu)化，提升脫硫效率，對改進的SDS干法脫硫工藝設(shè)計起到了指導(dǎo)作用。
2023-12-01 14:51:55347 
W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體，并通過加入N2以增加對光刻膠的選擇比，加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步，第一步是快速均勻地刻掉大部分W，第二步則降低刻蝕速率減弱負(fù)載效應(yīng)，避免產(chǎn)生凹坑，并使用對TiN有高選擇比的化學(xué)氣體進行刻蝕。
2023-12-06 09:38:531538 該專利詳細闡述了一種針對含硅有機介電層的高效刻蝕方法及相應(yīng)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備。它主要涉及到通過交替運用至少兩個刻蝕步驟來刻蝕含硅有機介電層。這兩個步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。
2023-12-06 11:58:16370 
在芯片制程中，幾乎所有的干法制程，如PVD，CVD,干法刻蝕等，都逃不過輝光放電現(xiàn)象。
2023-12-09 10:00:54751 
GaN和相關(guān)合金由于其優(yōu)異的特性以及大的帶隙、高的擊穿電場和高的電子飽和速度而成為有吸引力的材料之一，與優(yōu)化工藝過程相關(guān)的成熟材料是有源/無源射頻光電子器件近期發(fā)展的關(guān)鍵問題。專用于三元結(jié)構(gòu)的干法蝕刻工藝特別重要，因為這種器件通常包括異質(zhì)結(jié)構(gòu)。因此，GaN基光電器件的制造部分或全部依賴于干法刻蝕。
2023-12-11 15:04:20188 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論