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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱(chēng)為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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IGBT功率半導(dǎo)體的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些?
IGBT模塊可以分為低壓(600V以下),中壓(600V-1200V)和壓(1200V-6700V),IGBT主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電...
2023-02-22 標(biāo)簽:變頻器IGBT功率半導(dǎo)體 1974 0
在功率器件中,IGBT模塊備受各行業(yè)青睞,甚至還入選了我國(guó)重大科技專(zhuān)項(xiàng)重點(diǎn)扶持項(xiàng)目。它兼具M(jìn)OSFET(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)及BJT(雙極型三極管)兩類(lèi)器...
2023-02-22 標(biāo)簽:模塊IGBT功率半導(dǎo)體 614 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模塊是一種功率半導(dǎo)體器件,它是由多個(gè)IGBT芯片、反并聯(lián)二極管、驅(qū)動(dòng)電路、...
2023-02-20 標(biāo)簽:模塊IGBT功率半導(dǎo)體 6758 0
超大功率晶閘管(Ultra-large Power Thyristor,簡(jiǎn)稱(chēng)ULTRA-T)是一種用于高電壓、高電流場(chǎng)合的功率半導(dǎo)體器件,通常應(yīng)用于工...
2023-02-20 標(biāo)簽:晶閘管高電壓功率半導(dǎo)體 2906 0
開(kāi)關(guān)電源是采用功率半導(dǎo)體器件作為開(kāi)關(guān)元件,通過(guò)周期性通斷開(kāi)關(guān),控制開(kāi)關(guān)元件的占空比來(lái)調(diào)整輸出電壓。開(kāi)關(guān)電源的工作原理,簡(jiǎn)單的說(shuō)是將交流電先整流成直流電,...
2023-02-20 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源交流電功率半導(dǎo)體 8414 0
功率半導(dǎo)體是一類(lèi)能夠控制和調(diào)節(jié)大電流和高電壓的半導(dǎo)體器件。它可以將小信號(hào)控制電流或電壓轉(zhuǎn)換成大信號(hào)輸出,廣泛應(yīng)用于電力電子、工業(yè)自動(dòng)化、交通運(yùn)輸、新能源...
2023-02-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件功率半導(dǎo)體 2592 0
功率半導(dǎo)體是指用于高電壓、高電流應(yīng)用的半導(dǎo)體器件,其功能包括但不限于以下幾個(gè)方面: 開(kāi)關(guān)控制:功率半導(dǎo)體器件常常用于開(kāi)關(guān)控制電路中,通過(guò)控制其導(dǎo)通和截止...
2023-02-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件功率半導(dǎo)體 2558 0
氮化鎵技術(shù)是誰(shuí)突破的技術(shù) 作為支撐“新基建”建設(shè)的關(guān)鍵核心器件,氮化鎵應(yīng)用范圍非常廣泛,氮化鎵在數(shù)據(jù)中心,新能源汽車(chē)等領(lǐng)域都有運(yùn)用。那么這么牛的氮化鎵技...
小編在這里給大家分享一下什么是氮化鎵技術(shù)指標(biāo)?什么是氮化鎵技術(shù)指標(biāo)體系? 以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體,具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、...
功率半導(dǎo)體的類(lèi)型有多種,其中最常用的是MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、IGBT(可控硅晶體管)和SCR(可控整流器)。MOSFET是一種可...
2023-02-15 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1686 0
淺談各種SiC IGBT器件的制作過(guò)程與相關(guān)性能
通常來(lái)講,全控型半導(dǎo)體器件可以依照其導(dǎo)通狀態(tài)下的載流子類(lèi)型分為單極型半導(dǎo)體器件和雙極型半導(dǎo)體器件,在每一類(lèi)中又可以分為電流控制型和電壓控制型。
2023-02-13 標(biāo)簽:IGBTSiC功率半導(dǎo)體 2372 0
僅從物理特性來(lái)看,氮化鎵比碳化硅更適合做功率半導(dǎo)體的材料。研究人員還將碳化硅與氮化鎵的“Baliga特性指標(biāo)(與硅相比,硅是1)相比,4H-SiC是50...
2023-02-10 標(biāo)簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體 2392 0
功率半導(dǎo)體是電能轉(zhuǎn)換的載體,22 年全球功率器件市場(chǎng)約為281億美元,2022- 25年CAGR 8.2%。功率半導(dǎo)體是功率器件與電源管理IC的集合...
多種功率半導(dǎo)體在不同領(lǐng)域具有的優(yōu)勢(shì)
功率半導(dǎo)體器件是電力電子電路的重要組成部分,理想的功率半導(dǎo)體器件應(yīng)具有良好的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性,在截止?fàn)顟B(tài)下能夠承受高電壓和小泄漏電流。在接通狀態(tài)下,可...
2023-02-08 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1234 0
氮化鎵半導(dǎo)體器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體技術(shù)和模塊式設(shè)計(jì)的進(jìn)步,使得微波頻率的高功率連續(xù)波(CW)和脈沖放大器成為可能。
2023-02-08 標(biāo)簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體脈沖放大器 781 0
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,與傳統(tǒng)的硅基器件相比,具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(chǎng)(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(...
功率半導(dǎo)體包括兩部分:功率器件和功率IC,功率器件是功率半導(dǎo)體分立器件的分支,而功率IC則是將功率半導(dǎo)體分立器件與各種功能的外圍電路集成而得來(lái)。
2023-02-06 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體功率IC 4157 0
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2023-02-06 標(biāo)簽:器件功率半導(dǎo)體功率密度 2873 0
功率半導(dǎo)體又稱(chēng)作電力半導(dǎo)體,是用來(lái)對(duì)電能進(jìn)行轉(zhuǎn)換,對(duì)電路進(jìn)行控制,改變電力變換裝置中的電壓或電流的波形?幅值?相位?頻率等參數(shù)的一種半導(dǎo)體器件。
2023-02-06 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件電力半導(dǎo)體 4614 0
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