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功率半導(dǎo)體

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功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。

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功率半導(dǎo)體技術(shù)

13種常用的功率半導(dǎo)體器件介紹

電力電子器件（Power Electronic Device），又稱為功率半導(dǎo)體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率（通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電...

2018-12-27 標(biāo)簽：MOS 功率半導(dǎo)體 5.1萬 0

門極可關(guān)斷晶閘管(GTO) 和可控硅 (SCR) 的區(qū)別淺析

可控硅（SCR）和門極可關(guān)斷晶閘管（GTO）都是大功率半導(dǎo)體開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于電力控制和電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。

2024-02-01 標(biāo)簽：可控硅晶閘管 SCR 4.4萬 0

基于碰撞電離率的平行平面結(jié)及晶閘管研究

功率半導(dǎo)體器件設(shè)計的基礎(chǔ)是平行平面結(jié)，結(jié)的擊穿與體內(nèi)載流子的碰撞電離密切相關(guān)，本次研究的重點結(jié)構(gòu)是晶閘管，而晶閘管的阻斷與開啟都與體內(nèi)載流子的運動有關(guān)。

2023-11-27 標(biāo)簽：晶閘管擊穿電壓 MATLAB仿真 4.2萬 0

IGBT中米勒效應(yīng)的影響和處理方法

米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動過程中非常顯著?；陂T極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關(guān)斷期間會產(chǎn)生一個很高的瞬態(tài)dv/dt，這樣會引發(fā)門極VGE間電壓升高...

2019-02-04 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 功率半導(dǎo)體 4.0萬 0

可控硅的工作原理可控硅怎么接線

可控硅，也稱為硅控整流器（SCR），是一種大功率半導(dǎo)體器件，主要用于交流電路中的相位控制、整流、穩(wěn)壓、無觸點開關(guān)等應(yīng)用。

2024-05-29 標(biāo)簽：可控硅 SCR 交流電路 3.9萬 0

什么是功率半導(dǎo)體？IGBT 的下一步是什么？

BC-IGBT 由結(jié)構(gòu)頂部和底部的柵極組成。東京大學(xué)的研究員 Takuya Saraya 在論文中說：“IGBT 的一個主要缺點是其開關(guān)頻率相對較低，因...

2022-06-15 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 功率半導(dǎo)體 3.2萬 0

氧化鎵在電子器件應(yīng)用的現(xiàn)狀和潛在發(fā)展

氧化鎵應(yīng)用范圍從實現(xiàn)可用到可靠的組件，最后再到可插入可持續(xù)市場基礎(chǔ)設(shè)施等各個方面。但Ga2O3還是存在一個重要的直接缺點：它的導(dǎo)熱率很低（10-30 W...

2019-01-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體氧化鎵 1.9萬 0

關(guān)于功率半導(dǎo)體的性能分析和應(yīng)用介紹

Nexperia 是世界一流標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的首選生產(chǎn)商、供應(yīng)商，專注于邏輯、分立器件和 MOSFET 市場，擁有恩智浦半導(dǎo)體的設(shè)計部門，以及位于英國和德國...

2019-09-02 標(biāo)簽：物聯(lián)網(wǎng)微處理器功率半導(dǎo)體 1.8萬 0

英飛凌IGBT7和EmCon7分析和討論

為了研究FS設(shè)計和性能之間的影響，本文對三種設(shè)計的開關(guān)曲線展開了分析。圖6顯示了基于三種不同設(shè)計的新的二極管與EC4相比的二極管恢復(fù)特性。對二極管來說，...

2019-02-20 標(biāo)簽：英飛凌二極管變頻器 1.7萬 0

5G行情下氮化鎵（GaN）還存在哪些缺點？是下一個風(fēng)口？

由于2 月13 日小米在新品發(fā)表會中，除了推出小米10 系列外，更宣布采用氮化鎵(GaN) 作為原料的充電器，一時間原本GaN 在射頻領(lǐng)域熱燒的話題，快...

2020-04-14 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 功率半導(dǎo)體 1.7萬 1

IGBT上下橋關(guān)斷尖峰不一樣是何原因？

IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為一種功率半導(dǎo)體器件，在電力電子領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。在IGBT的開關(guān)過程中，上下橋臂的關(guān)斷尖峰現(xiàn)象是影響器件性能和可靠性的重要因素。

2024-05-29 標(biāo)簽：IGBT 晶體管功率半導(dǎo)體 1.6萬 0

什么是IGBT？功率半導(dǎo)體元器件的特點

　除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。

2021-05-24 標(biāo)簽：MOSFET 元器件雙極晶體管 1.6萬 0

功率MOSFET的基礎(chǔ)知識

我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對其進行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過...

2022-07-08 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 功率半導(dǎo)體 1.4萬 0

車載功率半導(dǎo)體概述！汽車級大功率IGBT發(fā)展趨勢

MOSFET 的優(yōu)點是較高的開關(guān)頻率，可以工作在百 kHz 到 MHz 之間；缺點是耐壓低，在高電壓、大電流應(yīng)用中損耗非常大，因而限制了其應(yīng)用。IGBT...

2018-07-26 標(biāo)簽：新能源汽車 IGBT 功率半導(dǎo)體 1.2萬 0

淺談功率半導(dǎo)體的技術(shù)與未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展

經(jīng)過了很長一段時間的發(fā)展，功率半導(dǎo)體在相關(guān)電源電路中的應(yīng)用已經(jīng)不可替代。尤其是在當(dāng)前太陽能著力發(fā)展的時代，功率半導(dǎo)體更是大踏步向前，雖然目前有著氮化鎵與...

2013-02-25 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 功率半導(dǎo)體 1.2萬 0

IGBT主要參數(shù)與應(yīng)用特點

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種雙極性功率半導(dǎo)體器件，由BJT（雙極型三極管）和MOS管復(fù)合而成，兼...

2023-02-26 標(biāo)簽：MOS管 IGBT 功率半導(dǎo)體 1.2萬 0

一文讀懂負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻

晶片制程允許較小的容差負(fù)溫度系數(shù)芯片熱敏電阻的另一個優(yōu)點是其較小的電和熱容差。這個精度是由特殊技術(shù)流程獲得的：分離元件之前，晶片的總電阻是由100 °C...

2018-05-07 標(biāo)簽：熱敏電阻晶片功率半導(dǎo)體 1.1萬 0

IGBT模塊的引腳說明

IGBT模塊是一種常用的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電力電子系統(tǒng)中。

2024-02-26 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體 IGBT模塊 1.1萬 0

功率半導(dǎo)體在三電平NPC和TNPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的控制和保護

三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)具有高效率和低諧波失真的特點，被廣泛應(yīng)用在UPS和太陽能等領(lǐng)域。最常見的三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有NPC和TNPC，如圖1所示。

2023-11-09 標(biāo)簽：變頻器 IGBT 功率半導(dǎo)體 1.1萬 0

電源管理IC芯片的8種類型介紹

電源管理半導(dǎo)體從所包含的器件來說，明確強調(diào)電源管理集成電路（電源管理IC，簡稱電源管理芯片）的位置和作用。電源管理半導(dǎo)體包括兩部分，即電源管理集成電路和...

2016-12-15 標(biāo)簽：電源管理ic 功率半導(dǎo)體 1.1萬 0

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快充技術(shù)

快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
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納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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LT8705

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”

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