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標簽 > 功率半導體
功率半導體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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功率循環(huán)試驗中最重要的是準確在線測量結(jié)溫,直接影響試驗結(jié)果和結(jié)論。比較總結(jié)了各種溫度測量方法的一致性、線性、靈敏度、難度和物理意義?;谕☉B(tài)特性的電學參...
通過種種信息,我們應該都能發(fā)現(xiàn),氮化鎵充電器目前已經(jīng)快要與普通充電器市場持平,而且,氮化鎵充電器是近幾年新開發(fā)出來的,從剛開始出現(xiàn)的30W到現(xiàn)在的14...
『集成電路IC』,指采用半導體制備工藝,把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊晶片上,然后封裝好,成為具有一定功能...
功率半導體用于電力電子領(lǐng)域。使用固態(tài)設(shè)備,電力電子控制和轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的電力。這些包括汽車、手機、電源、太陽能逆變器、火車和風力渦輪機。 常常有人將功...
功率半導體器件也被稱作電力電子器件或功率器件,它是具有包括變頻、變壓、變流、功率管理等功率管理能力的一種特殊開關(guān)。在計算機、通信、消費電子、新能源、汽車...
硅錠生長是一個將多晶硅制成單晶硅的工序,將多晶硅加熱成液體后,精密控制熱環(huán)境,成長為高品質(zhì)的單晶。
MOSFET最早出現(xiàn)在大概上世紀60年代,首先出現(xiàn)在模擬電路的應用。功率MOSFET在上世紀80年代開始興起,在如今電力電子功率器件中,無疑成為了最重要...
離子注入是一種向半導體材料內(nèi)加入一定數(shù)量和種類的雜質(zhì),以改變其電學性能的方法,可以精確控制摻入的雜質(zhì)數(shù)量和分布情況。
深度解析七大汽車芯片產(chǎn)業(yè)等細分領(lǐng)域機遇與挑戰(zhàn)
在車載鏡頭領(lǐng)域,舜宇光學(02382.HK)龍頭地位穩(wěn)固,其車載鏡頭出貨量已連續(xù)9年穩(wěn)居世界第一,2020年市占率32%,與第二名份額拉開較大差距。
本文基于仿真和實驗方法,開展了 100VN 溝槽 MOSFET 的設(shè)計研究工作。通過溝槽深度,體區(qū)注入劑量和柵氧化層厚度拉偏,獲得了對擊穿電壓,閾值電壓...
汽車功率半導體國產(chǎn)化的號角吹響 國產(chǎn)功率半導體未來可期
在新能源汽車的供應鏈上電池、電機、電控、功率半導體、視頻傳感器、激光雷達、控制器、執(zhí)行器件等硬件正在成為新的重要組成部分。
功率半導體是半導體行業(yè)的細分領(lǐng)域,雖不像集成電路一樣被大眾熟知,但其重要性不可忽視。IGBT是功率半導體的一種,作為電子電力裝置和系統(tǒng)中的“CPU”,高...
IGBT行業(yè)需求增長: IGBT廣泛應用于工業(yè)、汽車、通信及消費電子領(lǐng)域,主要電壓應用范圍在600V到1200V之間。由于經(jīng)濟的飛速發(fā)展,我國能源需求大...
1940年貝爾實驗室在研究雷達探測整流器時,發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應,1958年美國通用電氣(GE)公司研發(fā)出世界上第一個工業(yè)用普通晶閘管,標志著電力電子技...
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