IGBT功率半導(dǎo)體的主要引用領(lǐng)域有哪些

功率半導(dǎo)體器件也被稱作電力電子器件或功率器件，它是具有包括變頻、變壓、變流、功率管理等功率管理能力的一種特殊開關(guān)。在計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)電子、新能源、汽車...

2023-02-02 標(biāo)簽：變頻器計(jì)算機(jī)IGBT 932 0

硅片半導(dǎo)體制造工藝詳細(xì)圖文版科普

硅錠生長是一個(gè)將多晶硅制成單晶硅的工序，將多晶硅加熱成液體后，精密控制熱環(huán)境，成長為高品質(zhì)的單晶。

2023-02-01 標(biāo)簽：硅片功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體制造 9192 0

智能化與電動(dòng)化雙輪驅(qū)動(dòng)，汽車MOSFET大有可為

MOSFET最早出現(xiàn)在大概上世紀(jì)60年代，首先出現(xiàn)在模擬電路的應(yīng)用。功率MOSFET在上世紀(jì)80年代開始興起，在如今電力電子功率器件中，無疑成為了最重要...

2022-11-30 標(biāo)簽：MOSFET場效應(yīng)晶體管功率半導(dǎo)體 1012 0

碳化硅器件制造那些事兒

離子注入是一種向半導(dǎo)體材料內(nèi)加入一定數(shù)量和種類的雜質(zhì)，以改變其電學(xué)性能的方法，可以精確控制摻入的雜質(zhì)數(shù)量和分布情況。

2022-11-30 標(biāo)簽：制造功率半導(dǎo)體碳化硅 2663 0

深度解析七大汽車芯片產(chǎn)業(yè)等細(xì)分領(lǐng)域機(jī)遇與挑戰(zhàn)

在車載鏡頭領(lǐng)域，舜宇光學(xué)（02382.HK）龍頭地位穩(wěn)固，其車載鏡頭出貨量已連續(xù)9年穩(wěn)居世界第一，2020年市占率32%，與第二名份額拉開較大差距。

2022-11-02 標(biāo)簽：mcuMOSFETIGBT 2301 0

Trench MOSFET結(jié)構(gòu)模型分析

本文基于仿真和實(shí)驗(yàn)方法，開展了 100VN 溝槽 MOSFET 的設(shè)計(jì)研究工作。通過溝槽深度，體區(qū)注入劑量和柵氧化層厚度拉偏，獲得了對擊穿電壓，閾值電壓...

2022-10-08 標(biāo)簽：MOSFET功率半導(dǎo)體 1.0萬 0

汽車功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化的號角吹響 國產(chǎn)功率半導(dǎo)體未來可期

在新能源汽車的供應(yīng)鏈上電池、電機(jī)、電控、功率半導(dǎo)體、視頻傳感器、激光雷達(dá)、控制器、執(zhí)行器件等硬件正在成為新的重要組成部分。

2022-09-05 標(biāo)簽：新能源汽車功率器件功率半導(dǎo)體 960 0

IGBT技術(shù)及應(yīng)用介紹

功率半導(dǎo)體是半導(dǎo)體行業(yè)的細(xì)分領(lǐng)域，雖不像集成電路一樣被大眾熟知，但其重要性不可忽視。IGBT是功率半導(dǎo)體的一種，作為電子電力裝置和系統(tǒng)中的“CPU”，高...

2022-08-08 標(biāo)簽：cpu功率半導(dǎo)體 2367 0

深度解析IGBT功率半導(dǎo)體框架

IGBT行業(yè)需求增長： IGBT廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車、通信及消費(fèi)電子領(lǐng)域，主要電壓應(yīng)用范圍在600V到1200V之間。由于經(jīng)濟(jì)的飛速發(fā)展，我國能源需求大...

2022-08-08 標(biāo)簽：IGBT功率半導(dǎo)體 1163 0

不常見的半導(dǎo)體功率器件有哪些

1940年貝爾實(shí)驗(yàn)室在研究雷達(dá)探測整流器時(shí)，發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng)，1958年美國通用電氣（GE）公司研發(fā)出世界上第一個(gè)工業(yè)用普通晶閘管，標(biāo)志著電力電子技...

2022-07-14 標(biāo)簽：二極管晶閘管功率器件 1432 0

功率MOSFET的基礎(chǔ)知識

我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過...

2022-07-08 標(biāo)簽：二極管MOSFET功率半導(dǎo)體 1.4萬 0