什么是功率半導(dǎo)體？IGBT 的下一步是什么？

BC-IGBT 由結(jié)構(gòu)頂部和底部的柵極組成。東京大學(xué)的研究員 Takuya Saraya 在論文中說：“IGBT 的一個主要缺點是其開關(guān)頻率相對較低，因...

2022-06-15 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 3.2萬 0

SiC MOSFET驅(qū)動電壓測試結(jié)果離譜的六大原因

開關(guān)特性是功率半導(dǎo)體開關(guān)器件最重要的特性之一，由器件在開關(guān)過程中的驅(qū)動電壓、端電壓、端電流表示。一般在進行器件評估時可以采用雙脈沖測試，而在電路設(shè)計時直...

2022-06-02 標(biāo)簽：變換器功率半導(dǎo)體驅(qū)動電壓 3609 0

功率半導(dǎo)體的創(chuàng)新驅(qū)動下一代能源網(wǎng)絡(luò)建設(shè)，構(gòu)建可持續(xù)發(fā)展的未來

全球變暖是人類面臨的最大挑戰(zhàn)。全球科學(xué)家已達成共識，必須將溫室氣體排放足跡減少到 2000 年的水平，將全球氣溫上升限制在 1.5oC 以下，才能擁有一...

2022-04-22 標(biāo)簽：安森美半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體能源網(wǎng)絡(luò) 7100 0

如何使用SBR提高電源轉(zhuǎn)換效率

對于幾乎任何電子或電氣系統(tǒng)的設(shè)計，最大限度地提高電源效率非常重要。在移動設(shè)備中，更好的電源效率可提供更長的電池壽命，這是一個關(guān)鍵賣點。對于基本上任何應(yīng)用...

2022-04-20 標(biāo)簽：SBR功率半導(dǎo)體 3663 0

RC-IGBT 技術(shù)帶來更多動力

多年來，市場對功率半導(dǎo)體的需求一直在增加，需要功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的小型化、成本的降低和性能的提高。這種性能增益是通過增加給定封裝尺寸的輸出功率來實現(xiàn)的，這與系...

2022-02-22 標(biāo)簽：電機IGBT功率半導(dǎo)體 4180 0

淺談功率半導(dǎo)體的燒結(jié)芯片貼裝技術(shù)

Micro-Punch 工具對模具的數(shù)量或位置沒有限制；它可以適應(yīng)任何 DBC 尺寸或配置，它可以獨立壓制最薄和最小的模具，即使它們彼此非常接近。

2022-02-06 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體 3879 0

淺談功率半導(dǎo)體燒結(jié)貼片技術(shù)

銀 （Ag）/銅 （Cu） 壓力燒結(jié)（見圖 1）是一種應(yīng)用于粉末材料（即納米顆粒）的熱處理工藝，以提供更高的強度、完整性和導(dǎo)電性。

2021-11-12 標(biāo)簽：熱敏電阻IGBT功率半導(dǎo)體 3551 0

NTC溫度傳感器溫度測量解決方案解析

NTC上的溫度測量值大約對應(yīng)于模塊下方散熱器的溫度。NTC可用于監(jiān)視環(huán)境和冷卻條件。

2021-05-03 標(biāo)簽：溫度傳感器NTC散熱器 6121 0

什么是IGBT？功率半導(dǎo)體元器件的特點

　除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。

2021-05-24 標(biāo)簽：MOSFET元器件雙極晶體管 1.6萬 0

SiCMOSFET如何實現(xiàn)降低功率轉(zhuǎn)換過程中能量損耗

人們普遍認為，SiCMOSFET可以實現(xiàn)非?？斓拈_關(guān)速度，有助于顯著降低電力電子領(lǐng)域功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗。然而，由于傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體封裝的限制，在實際...

2021-01-27 標(biāo)簽：SiC功率半導(dǎo)體功率晶體管 3820 0

ITECH半導(dǎo)體測試方案解析，從容應(yīng)對全球功率半導(dǎo)體市場風(fēng)起云涌

功率模塊供應(yīng)商會搭建不同的產(chǎn)品解決方案，并進行轉(zhuǎn)換效率，溫升等指標(biāo)驗證，向下游的客戶（生產(chǎn)電機控制器，UPS，光伏逆變器制造商…）提供參考案例并證明其性...

2020-08-17 標(biāo)簽：IGBT功率模塊功率半導(dǎo)體 1147 0

常用的功率半導(dǎo)體器件

MCT是一種新型MOS與雙極復(fù)合型器件。如圖所示。MCT是將MOSFET的高阻抗、低驅(qū)動圖MCT的功率、快開關(guān)速度的特性與晶閘管的高壓、大電流特型結(jié)合在...

2019-10-23 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 2757 0

關(guān)于功率半導(dǎo)體的性能分析和應(yīng)用介紹

Nexperia 是世界一流標(biāo)準產(chǎn)品的首選生產(chǎn)商、供應(yīng)商， 專注于邏輯、分立器件和 MOSFET 市場，擁有恩智浦半導(dǎo)體的設(shè)計部門， 以及位于英國和德國...

2019-09-02 標(biāo)簽：物聯(lián)網(wǎng)微處理器功率半導(dǎo)體 1.8萬 0