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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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銀 (Ag)/銅 (Cu) 壓力燒結(jié)(見圖 1)是一種應(yīng)用于粉末材料(即納米顆粒)的熱處理工藝,以提供更高的強(qiáng)度、完整性和導(dǎo)電性。
2021-11-12 標(biāo)簽:熱敏電阻IGBT功率半導(dǎo)體 3505 0
電動(dòng)車用大功率 IGBT模塊測(cè)試解決方案
功率半導(dǎo)體器件種類眾多,按集成度可分為功率IC、功率模塊和功率分立器件三大類,其中功率分立器件中MOSFET、功率二極管、IGBT占比較大,是最主要的品類。
2020-11-25 標(biāo)簽:電動(dòng)車IGBT功率半導(dǎo)體 2779 0
SiC助力功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用結(jié)溫升高,將大大改變電力系統(tǒng)的設(shè)計(jì)格局
Yole Development 的市場調(diào)查報(bào)告表明,自硅功率半導(dǎo)體器件誕生以來,應(yīng)用的需求一直推動(dòng)著結(jié)溫升高,目前已達(dá)到150℃。
2020-11-16 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車電力系統(tǒng)CISSOID 2004 0
可再生能源系統(tǒng)中的SiC實(shí)現(xiàn)更高效,更小且更具成本效益的電力方案
風(fēng)能和太陽能等必不可少的可再生能源解決方案通常與能源存儲(chǔ)結(jié)合使用,是該行業(yè)增長最快的行業(yè)之一,寬帶隙碳化硅(SiC)技術(shù)是這些解決方案的核心。終端系統(tǒng)設(shè)...
2021-03-12 標(biāo)簽:電容器升壓轉(zhuǎn)換器DCDC 5131 0
什么是IGBT?功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)
除了IGBT外,功率半導(dǎo)體元器件(晶體管領(lǐng)域)的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等,它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。
SiCMOSFET如何實(shí)現(xiàn)降低功率轉(zhuǎn)換過程中能量損耗
人們普遍認(rèn)為,SiCMOSFET可以實(shí)現(xiàn)非??斓拈_關(guān)速度,有助于顯著降低電力電子領(lǐng)域功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗。然而,由于傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體封裝的限制,在實(shí)際...
2021-01-27 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體功率晶體管 3677 0
ITECH半導(dǎo)體測(cè)試方案解析,從容應(yīng)對(duì)全球功率半導(dǎo)體市場風(fēng)起云涌
功率模塊供應(yīng)商會(huì)搭建不同的產(chǎn)品解決方案,并進(jìn)行轉(zhuǎn)換效率,溫升等指標(biāo)驗(yàn)證,向下游的客戶(生產(chǎn)電機(jī)控制器,UPS,光伏逆變器制造商…)提供參考案例并證明其性...
2020-08-17 標(biāo)簽:IGBT功率模塊功率半導(dǎo)體 1112 0
基于功率半導(dǎo)體器件在風(fēng)力渦輪發(fā)電機(jī)中的應(yīng)用研究
先驅(qū)者們?cè)诙啻蟪潭壬辖鉀Q了困擾今天設(shè)計(jì)師的諸多問題,對(duì)此作出正確的估計(jì)是有益的。在這些問題中,最大的要數(shù)能量供給的可變性。普通的蒸汽渦輪機(jī)發(fā)電廠都用四個(gè)...
2020-04-28 標(biāo)簽:電網(wǎng)發(fā)電機(jī)功率半導(dǎo)體 1297 0
5G行情下氮化鎵(GaN)還存在哪些缺點(diǎn)?是下一個(gè)風(fēng)口?
由于2 月13 日小米在新品發(fā)表會(huì)中,除了推出小米10 系列外,更宣布采用氮化鎵(GaN) 作為原料的充電器,一時(shí)間原本GaN 在射頻領(lǐng)域熱燒的話題,快...
2020-04-14 標(biāo)簽:氮化鎵GaN功率半導(dǎo)體 1.7萬 1
NV612X GaNFast? 功率半導(dǎo)體器件的熱處理
介紹 最新的納微GaNFast 電源集成電路NV6123/25/27,集成在6mmx8mm的QFN封裝內(nèi)。這個(gè)封裝增加了一個(gè)大的冷卻片,用于降低封裝的熱...
MCT是一種新型MOS與雙極復(fù)合型器件。如圖所示。MCT是將MOSFET的高阻抗、低驅(qū)動(dòng)圖MCT的功率、快開關(guān)速度的特性與晶閘管的高壓、大電流特型結(jié)合在...
2019-10-23 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 2704 0
關(guān)于功率半導(dǎo)體的性能分析和應(yīng)用介紹
Nexperia 是世界一流標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的首選生產(chǎn)商、供應(yīng)商, 專注于邏輯、分立器件和 MOSFET 市場,擁有恩智浦半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)部門, 以及位于英國和德國...
2019-09-02 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)微處理器功率半導(dǎo)體 1.8萬 0
關(guān)于功率半導(dǎo)體對(duì)汽車的重要性分析
半導(dǎo)體元器件在汽車中的用量成倍增長,而功率半導(dǎo)體對(duì)硅片的消耗量巨大,一般情況下,一片8英寸硅片僅能切割70~80顆IGBT芯片。目前,電動(dòng)車尚處于滲透率...
2019-08-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車元器件功率半導(dǎo)體 4152 0
電子工業(yè)正在盡可能地將硅最大化應(yīng)用,但其畢竟還是有局限的,這就是為什么研究人員正在探索其它材料,如碳化硅,氮化鎵和氧化鎵。雖然氧化鎵的導(dǎo)熱性能較差,但其...
2019-08-29 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車氮化鎵功率半導(dǎo)體 4284 0
開關(guān)電源知多少!開關(guān)電源工作原理分析
反觀線性電源,它的設(shè)計(jì)理念就是功率至上,即便負(fù)載電路并不需要很大電流。這樣做的后果就是所有元件即便非必要的時(shí)候也工作在滿負(fù)荷下,結(jié)果產(chǎn)生高很多的熱量。
2019-08-01 標(biāo)簽:開關(guān)電源功率半導(dǎo)體開關(guān)元件 3991 0
車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體的技術(shù)及應(yīng)用前景
近期,半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域非常熱鬧。芯片是工業(yè)的“糧食”,是支持整個(gè)社會(huì)發(fā)展和經(jīng)濟(jì)發(fā)展的基礎(chǔ)性核心產(chǎn)業(yè),是國民經(jīng)濟(jì)的命脈。功率半導(dǎo)體作為能源物聯(lián)網(wǎng)的“CPU”...
2019-05-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體 8568 0
為了研究FS設(shè)計(jì)和性能之間的影響,本文對(duì)三種設(shè)計(jì)的開關(guān)曲線展開了分析。圖6顯示了基于三種不同設(shè)計(jì)的新的二極管與EC4相比的二極管恢復(fù)特性。對(duì)二極管來說,...
氧化鎵在電子器件應(yīng)用的現(xiàn)狀和潛在發(fā)展
氧化鎵應(yīng)用范圍從實(shí)現(xiàn)可用到可靠的組件,最后再到可插入可持續(xù)市場基礎(chǔ)設(shè)施等各個(gè)方面。但Ga2O3還是存在一個(gè)重要的直接缺點(diǎn):它的導(dǎo)熱率很低(10-30 W...
2019-01-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體氧化鎵 1.9萬 0
米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動(dòng)過程中非常顯著?;陂T極G與集電極C之間的耦合,在IGBT關(guān)斷期間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很高的瞬態(tài)dv/dt,這樣會(huì)引發(fā)門極VGE間電壓升高...
2019-02-04 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 4.0萬 0
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