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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(四)——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測(cè)試方法
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...
2024-11-12 標(biāo)簽:芯片功率器件功率半導(dǎo)體 1357 0
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(三)——功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測(cè)試方法
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...
2024-11-05 標(biāo)簽:散熱器功率器件功率半導(dǎo)體 1668 0
被動(dòng)元件:電阻器、電感器和電容器如何在電路中發(fā)揮作用?
在電路中使用三種類型的被動(dòng)元件:電阻器、電感器和電容器。被動(dòng)元件意味著這些元件在電壓或電流波動(dòng)時(shí),其行為變化較小。其他元件被稱為有源元件,對(duì)電壓和電流的...
本文對(duì)IGBT領(lǐng)域的深入研究與綜合剖析成果,首先與您分享關(guān)于IGBT的基本原理及其構(gòu)成元素,如芯片、單管及模塊等方面的知識(shí)。接下來將共同關(guān)注的是IGBT...
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(一)——功率半導(dǎo)體的熱阻
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...
2024-10-22 標(biāo)簽:熱阻功率器件功率半導(dǎo)體 1528 0
隨著電動(dòng)汽車和可再生能源的不斷普及,功率半導(dǎo)體市場(chǎng)正迎來顯著增長,并在封裝領(lǐng)域發(fā)生巨大變革。封裝的復(fù)雜性逐漸增加,以適應(yīng)各種高功率和高溫條件的應(yīng)用。英飛...
2024-10-15 標(biāo)簽:封裝氮化鎵功率半導(dǎo)體 622 0
超結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)和優(yōu)勢(shì)
在我們進(jìn)入超結(jié)MOSFET的細(xì)節(jié)之前,我們先了解一些背景知識(shí)。
2024-10-15 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源MOS管 1041 0
針對(duì)應(yīng)用于2兆瓦范圍的電力電子系統(tǒng),當(dāng)下關(guān)注的焦點(diǎn)是采用何種技術(shù)以及具有多久的生命周期。
2024-09-27 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體Littelfuse 633 0
隨著功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展,半導(dǎo)體設(shè)備的發(fā)展也不斷興起。國家重要會(huì)議提出,到 2035 年要實(shí)現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng)。從半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的國產(chǎn)替代角度而言,目...
2024-09-12 標(biāo)簽:電源測(cè)試系統(tǒng)功率半導(dǎo)體 604 0
功率半導(dǎo)體器件是各類電子產(chǎn)品線路中不可或缺的重要組件。近年來,我國功率半導(dǎo)體器件制造企業(yè)通過持續(xù)的引進(jìn)消化吸收再創(chuàng)新以及自主創(chuàng)新,產(chǎn)品技術(shù)含量及性能水平...
2024-09-12 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體碳化硅 693 0
自20世紀(jì)80年代開發(fā)以來,IGBT已成為風(fēng)能、太陽能等高壓可再生能源應(yīng)用以及消費(fèi)和工業(yè)用途的電動(dòng)汽車和電動(dòng)機(jī)的關(guān)鍵。功率半導(dǎo)體、功率器件、IGBT三者...
半橋驅(qū)動(dòng)器和全橋驅(qū)動(dòng)器的差異
半橋驅(qū)動(dòng)器和全橋驅(qū)動(dòng)器是電力電子領(lǐng)域中兩種常見的電路驅(qū)動(dòng)器,它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)以及應(yīng)用場(chǎng)景等方面存在顯著差異。
2024-08-28 標(biāo)簽:全橋驅(qū)動(dòng)器功率半導(dǎo)體半橋驅(qū)動(dòng)器 5179 0
半橋驅(qū)動(dòng)器是一種在電力電子領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用的電路驅(qū)動(dòng)器,主要用于控制電機(jī)、電源轉(zhuǎn)換和其他負(fù)載設(shè)備。以下是對(duì)半橋驅(qū)動(dòng)器的詳細(xì)解析,包括其定義、工作原理及相關(guān)應(yīng)用。
2024-08-28 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體半橋驅(qū)動(dòng)器 4015 0
GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)作為一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件,在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢(shì),但同時(shí)也存在一些缺...
2024-08-15 標(biāo)簽:GaN功率半導(dǎo)體HEMT 2462 0
一文搞懂掃描電鏡(SEM)技術(shù)解讀與大功率半導(dǎo)體模塊封裝解析
從本質(zhì)上講,SEM "觀察"樣品表面的方式可以比作一個(gè)人獨(dú)自在暗室中使用手電筒(窄光束)掃描墻上的物體。從墻的一側(cè)到另一側(cè)進(jìn)行掃描,...
2024-08-08 標(biāo)簽:封裝SEM功率半導(dǎo)體 6315 0
寬禁帶半導(dǎo)體作為第三代半導(dǎo)體功率器件,在電源處理器中充當(dāng)了越來越重要的角色。其具有能量密度高、工作頻率高、操作溫度高等先天優(yōu)勢(shì),成為各種電源或電源模塊的...
2024-08-06 標(biāo)簽:處理器功率半導(dǎo)體是德科技 1124 0
隨著科技的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)已成為當(dāng)今電子設(shè)備不可或缺的核心技術(shù)之一。而在眾多半導(dǎo)體器件中,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)以其高效、可靠的特性廣泛應(yīng)用于...
2024-08-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT功率半導(dǎo)體 1850 0
功率半導(dǎo)體和寬禁半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料,它們?cè)陔娮悠骷械膽?yīng)用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區(qū)別: 材料類型:功率半導(dǎo)體通常由硅(S...
2024-07-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料功率半導(dǎo)體寬禁半導(dǎo)體 821 0
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