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功率半導(dǎo)體

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功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。

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功率半導(dǎo)體技術(shù)

半橋驅(qū)動(dòng)器和全橋驅(qū)動(dòng)器是電力電子領(lǐng)域中兩種常見(jiàn)的電路驅(qū)動(dòng)器，它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)以及應(yīng)用場(chǎng)景等方面存在顯著差異。

2024-08-28 標(biāo)簽：全橋驅(qū)動(dòng)器功率半導(dǎo)體半橋驅(qū)動(dòng)器 6084 0

半橋驅(qū)動(dòng)器的工作原理和應(yīng)用

半橋驅(qū)動(dòng)器是一種在電力電子領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用的電路驅(qū)動(dòng)器，主要用于控制電機(jī)、電源轉(zhuǎn)換和其他負(fù)載設(shè)備。以下是對(duì)半橋驅(qū)動(dòng)器的詳細(xì)解析，包括其定義、工作原理及相關(guān)應(yīng)用。

2024-08-28 標(biāo)簽：MOSFET 功率半導(dǎo)體半橋驅(qū)動(dòng)器 4793 0

GaN HEMT有哪些優(yōu)缺點(diǎn)

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）作為一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件，在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢(shì)，但同時(shí)也存在一些缺...

2024-08-15 標(biāo)簽：GaN 功率半導(dǎo)體 HEMT 2836 0

一文搞懂掃描電鏡（SEM）技術(shù)解讀與大功率半導(dǎo)體模塊封裝解析

從本質(zhì)上講，SEM "觀察"樣品表面的方式可以比作一個(gè)人獨(dú)自在暗室中使用手電筒（窄光束）掃描墻上的物體。從墻的一側(cè)到另一側(cè)進(jìn)行掃描，...

2024-08-08 標(biāo)簽：封裝 SEM 功率半導(dǎo)體 7091 0

功率半導(dǎo)體雙脈沖測(cè)試方案

寬禁帶半導(dǎo)體作為第三代半導(dǎo)體功率器件，在電源處理器中充當(dāng)了越來(lái)越重要的角色。其具有能量密度高、工作頻率高、操作溫度高等先天優(yōu)勢(shì)，成為各種電源或電源模塊的...

2024-08-06 標(biāo)簽：處理器功率半導(dǎo)體是德科技 1386 0

探秘銅基板：IGBT高效散熱的關(guān)鍵所在

隨著科技的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)已成為當(dāng)今電子設(shè)備不可或缺的核心技術(shù)之一。而在眾多半導(dǎo)體器件中，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）以其高效、可靠的特性廣泛應(yīng)用于...

2024-08-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT 功率半導(dǎo)體 2161 0

功率半導(dǎo)體和寬禁半導(dǎo)體的區(qū)別

功率半導(dǎo)體和寬禁半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料，它們?cè)陔娮悠骷械膽?yīng)用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區(qū)別：材料類型：功率半導(dǎo)體通常由硅（S...

2024-07-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料功率半導(dǎo)體寬禁半導(dǎo)體 965 0

直接液體冷卻功率半導(dǎo)體器件的影響

在電力電子領(lǐng)域，面臨的挑戰(zhàn)是如何在更小的設(shè)備中實(shí)現(xiàn)更高的功率傳輸并降低成本。這些目標(biāo)往往相互矛盾，導(dǎo)致必須做出妥協(xié)。更高的電流會(huì)導(dǎo)致器件內(nèi)部的熱應(yīng)力增加...

2024-07-25 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 494 0

功率半導(dǎo)體的封裝方式有哪些

功率半導(dǎo)體的封裝方式多種多樣，這些封裝方式不僅保護(hù)了功率半導(dǎo)體芯片，還提供了電氣和機(jī)械連接，確保了器件的穩(wěn)定性和可靠性。以下是對(duì)功率半導(dǎo)體主要封裝方式的...

2024-07-24 標(biāo)簽：封裝晶體管功率半導(dǎo)體 2387 0

三菱電機(jī)功率器件發(fā)展史

三菱電機(jī)從事功率半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)已有六十多年的歷史，從早期的二極管、晶閘管，到MOSFET、IGBT和SiC器件，三菱電機(jī)一直致力于功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)和...

2024-07-24 標(biāo)簽：MOSFET 三菱電機(jī)功率器件 1095 0

半導(dǎo)體IGBT采用銀燒結(jié)工藝（LTJT）的優(yōu)勢(shì)探討

隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在電力轉(zhuǎn)換與能源管理領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。其中，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）以其顯著優(yōu)點(diǎn)在功率半導(dǎo)體器件中...

2024-07-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT 晶體管 1676 0

一文看懂功率半導(dǎo)體-IGBT

共讀好書文章大綱 IGBT是電子電力行業(yè)的“CPU” ? ? ?? · IGBT是功率器件中的“結(jié)晶” ? ? ? ?· IGBT技術(shù)不斷迭代，產(chǎn)品推...

2024-07-21 標(biāo)簽：IGBT 功率半導(dǎo)體 2141 0

使用泰克示波器的功率半導(dǎo)體雙脈沖測(cè)試方案

實(shí)施雙脈沖測(cè)試，不僅能精確測(cè)量功率設(shè)備的開(kāi)關(guān)特性和損耗，而且能進(jìn)一步優(yōu)化電力轉(zhuǎn)換過(guò)程。通過(guò)Tektronix 4B/5B/6B 系列 MSO 上的WBG...

2024-07-03 標(biāo)簽：示波器泰克功率半導(dǎo)體 1323 0

英飛凌帶您解鎖電子電力學(xué)寶庫(kù)

2024-06-19 標(biāo)簽：英飛凌交流電功率半導(dǎo)體 729 0

功率半導(dǎo)體技術(shù)如何助力節(jié)碳減排

相信大家都知道，全球氣候變暖問(wèn)題日益嚴(yán)重，節(jié)碳減排已經(jīng)成為了全球的共同使命。而功率半導(dǎo)體技術(shù)，作為電子設(shè)備的核心技術(shù)之一，在節(jié)碳減排方面發(fā)揮著重要作用。...

2024-06-12 標(biāo)簽：電子設(shè)備晶體管功率半導(dǎo)體 797 0

可控硅的工作原理可控硅怎么接線

可控硅，也稱為硅控整流器（SCR），是一種大功率半導(dǎo)體器件，主要用于交流電路中的相位控制、整流、穩(wěn)壓、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)等應(yīng)用。

2024-05-29 標(biāo)簽：可控硅 SCR 交流電路 4.7萬(wàn) 0

IGBT上下橋關(guān)斷尖峰不一樣是何原因？

IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為一種功率半導(dǎo)體器件，在電力電子領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。在IGBT的開(kāi)關(guān)過(guò)程中，上下橋臂的關(guān)斷尖峰現(xiàn)象是影響器件性能和可靠性的重要因素。

2024-05-29 標(biāo)簽：IGBT 晶體管功率半導(dǎo)體 1.6萬(wàn) 0

晶閘管的作用及特點(diǎn)有哪些

晶閘管（SCR）是一種大功率半導(dǎo)體器件，主要用于電力電子領(lǐng)域中的電壓和電流控制。

2024-05-24 標(biāo)簽：晶閘管 SCR 功率半導(dǎo)體 5411 0

晶閘管的工作原理晶閘管的主要參數(shù)

晶閘管，也稱為可硅控整流器（SCR），是一種大功率半導(dǎo)體器件，主要用于交流電路中的電壓和功率控制。

2024-05-24 標(biāo)簽：晶閘管 SCR 功率半導(dǎo)體 2221 0

用于三相功率轉(zhuǎn)換的橋式拓?fù)涞腟iC MOSFET

效率、生產(chǎn)力和立法是當(dāng)今電力應(yīng)用的主要市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)力。利用更少的能源生產(chǎn)更多的產(chǎn)品，節(jié)約能源成本，更加關(guān)注更好的轉(zhuǎn)換效率和更小、更輕的系統(tǒng)。在這方面，功率...

2024-04-29 標(biāo)簽：三相功率轉(zhuǎn)換 SiC 2811 0

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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