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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(三)——功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測(cè)試方法
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...
2024-11-05 標(biāo)簽:散熱器功率器件功率半導(dǎo)體 1820 0
車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊散熱基板技術(shù)
散熱基板是IGBT功率模塊的核心散熱功能結(jié)構(gòu)與通道,也是模塊中價(jià)值占比較高的重要部件,車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊散熱基板必須具備良好的熱傳導(dǎo)性能、與芯片和覆銅...
2023-07-06 標(biāo)簽:IGBT功率模塊功率半導(dǎo)體 1811 0
摘要: 負(fù)載檢測(cè)是電源、通信、蓄電池、能源等領(lǐng)域的重要環(huán)節(jié)。傳統(tǒng)的測(cè)試電源負(fù)載常將電阻、電感、電容等進(jìn)行串并聯(lián)組合來模擬實(shí)際負(fù)載情況,這種方法的缺點(diǎn)是負(fù)...
2023-07-26 標(biāo)簽:放大器蓄電池功率半導(dǎo)體 1775 0
功率半導(dǎo)體是對(duì)功率進(jìn)行變頻、變壓、變流、功率放大及管理的半導(dǎo)體器件,不但實(shí)施電能的存儲(chǔ)、傳輸、處理和控制,保障電能安全、可靠、高效和經(jīng)濟(jì)的運(yùn)行,而且將能...
2023-02-06 標(biāo)簽:功率功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 1771 0
變頻器風(fēng)扇不轉(zhuǎn)會(huì)不會(huì)影響變頻器?
嚴(yán)重影響變頻器的正常運(yùn)行。逆變器的核心器件都是IGBT功率半導(dǎo)體開關(guān)元件。
2024-01-11 標(biāo)簽:變頻器IGBT功率半導(dǎo)體 1744 0
使用GaN(氮化鎵)的功率半導(dǎo)體作為節(jié)能/低碳社會(huì)的關(guān)鍵器件而受到關(guān)注。兩家日本公司聯(lián)手創(chuàng)造了一項(xiàng)新技術(shù),解決了導(dǎo)致其全面推廣的問題。
車規(guī)級(jí)IGBT有多重要?海外巨頭占據(jù)主要市場(chǎng) 國(guó)產(chǎn)替代正當(dāng)時(shí)
當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國(guó)內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多
電機(jī)是將電能轉(zhuǎn)換為機(jī)械能的裝置。它還可以被視為將能量從電源傳輸?shù)綑C(jī)械負(fù)載的裝置。
2023-11-14 標(biāo)簽:二極管直流電機(jī)電機(jī)驅(qū)動(dòng) 1691 0
功率半導(dǎo)體的類型有多種,其中最常用的是MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、IGBT(可控硅晶體管)和SCR(可控整流器)。MOSFET是一種可...
2023-02-15 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1686 0
高質(zhì)量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵,目前比較主流的生長(zhǎng)方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等,本文帶你了解以上三種SiC晶體生長(zhǎng)...
半導(dǎo)體IGBT采用銀燒結(jié)工藝(LTJT)的優(yōu)勢(shì)探討
隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在電力轉(zhuǎn)換與能源管理領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。其中,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以其顯著優(yōu)點(diǎn)在功率半導(dǎo)體器件中...
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(一)——功率半導(dǎo)體的熱阻
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...
2024-10-22 標(biāo)簽:熱阻功率器件功率半導(dǎo)體 1638 0
首先,以高純硅粉和高純碳粉為原料生長(zhǎng)SiC,通過物理氣相傳輸(PVT)制備單晶 第二,使用多線切割設(shè)備切割SiC,晶體切成薄片,厚度不超過1毫米 ...
2023-09-06 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體光刻膠碳化硅 1635 0
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢?今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手,全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種功率半導(dǎo)體器件,結(jié)合了絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極型晶體...
2024-01-22 標(biāo)簽:IGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管工業(yè)控制 1588 0
功率半導(dǎo)體器件,簡(jiǎn)稱功率器件,又稱電力電子器件,屬于半導(dǎo)體產(chǎn)品中的分立器件。功率集成電路也就是如下圖的【功率IC】,典型產(chǎn)品有【電源管理芯片】和【各類驅(qū)...
2023-06-27 標(biāo)簽:MOS功率半導(dǎo)體功率IC 1571 0
在功率分立器件銷售 2017 年占比中,MOSFET 占比最高,約占 31%,其次是二極管/整流橋占比約 29%,晶閘管和 BJT 等占分立器件約 21...
2023-08-16 標(biāo)簽:芯片分立器件功率半導(dǎo)體 1563 0
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(四)——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測(cè)試方法
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...
2024-11-12 標(biāo)簽:芯片功率器件功率半導(dǎo)體 1541 0
碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程主要包括前道的晶圓加工,包括長(zhǎng)晶、切割、研磨拋光、沉積外延;第二部分芯片加工,這部分跟硅基IGBT類似。
2024-01-25 標(biāo)簽:晶圓功率半導(dǎo)體碳化硅 1510 0
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