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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1827個(gè) 瀏覽：92444次 帖子：50個(gè)

      功率器件技術(shù)

      碳化硅功率器件的特點(diǎn)和應(yīng)用現(xiàn)狀

      　　隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件...

      2023-12-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1054 0

      SiC功率器件輻照效應(yīng)研究進(jìn)展概述

      SiC功率器件輻照效應(yīng)研究進(jìn)展概述

      隨著微電子技術(shù)日新月異的發(fā)展，作為傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的硅（Si）與砷化鎵（GaAs）在半導(dǎo)體器件中表現(xiàn)出的電學(xué)性能已逐漸接近其理論極限。

      2023-12-13 標(biāo)簽：新能源汽車MOSFET功率器件 5827 0

      碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域及未來趨勢

      隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子設(shè)備在各種領(lǐng)域中的應(yīng)用越來越廣泛。然而，傳統(tǒng)的硅基功率器件已逐漸達(dá)到其性能極限。為了滿足不斷增長的性能需求，碳化硅（SiC）...

      2023-12-13 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1001 0

      碳化硅的優(yōu)勢和難處

      碳化硅的優(yōu)勢和難處

      　碳化硅（SiC）具有更低的阻抗和更寬的禁帶寬度，使其能夠承受更大的電流和電壓，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和更高的效率。

      2023-12-11 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 4200 0

      LM7805穩(wěn)壓電源電路原理圖

      LM7805穩(wěn)壓電源電路原理圖

      線性電源功率器件工作在線性狀態(tài)，如我們常用的穩(wěn)壓芯片LM7805、LM317、SPX1117等。下圖1是LM7805穩(wěn)壓電源電路原理圖。

      2023-12-08 標(biāo)簽：pcb開關(guān)電源電源電路 7470 0

      氮化鎵(GaN)器件基礎(chǔ)技術(shù)問題分享

      氮化鎵(GaN)器件基礎(chǔ)技術(shù)問題分享

      作為一種新型功率器件，GaN 器件在電源的高密小型化方面極具優(yōu)勢。

      2023-12-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管功率器件 4738 0

      新型電力系統(tǒng)面臨的發(fā)展要求和挑戰(zhàn)

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      高比例新能源的技術(shù)挑戰(zhàn)在于抗擾性弱，暫態(tài)電壓失穩(wěn)，慣量缺失。新能源滲透率提高，電網(wǎng)強(qiáng)度下降，暫態(tài)穩(wěn)定性問題更加凸顯。Grid Forming構(gòu)網(wǎng)技術(shù)是解...

      2023-12-06 標(biāo)簽：電力系統(tǒng)IGBT功率器件 1600 0

      LDMOS在ESD設(shè)計(jì)中的應(yīng)用設(shè)計(jì)思路

      LDMOS在ESD設(shè)計(jì)中的應(yīng)用設(shè)計(jì)思路

      LDMOS屬于功率半導(dǎo)體器件，主要應(yīng)用于高壓場合。而針對高壓芯片的ESD防護(hù)領(lǐng)域，可采取GGNLDMOS的設(shè)計(jì)思路。

      2023-12-06 標(biāo)簽：ESD功率器件LDMOS 7863 0

      碳化硅(SiC)功率器件的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

      隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子設(shè)備在我們的日常生活和工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著越來越重要的作用。然而，隨著電力電子設(shè)備向著更高效、更小型化以及更可靠的方向發(fā)展，傳統(tǒng)...

      2023-12-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 2069 0

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      碳化硅（SiC）是一種由硅和碳組成的半導(dǎo)體材料，用于制造電動(dòng)汽車（EV）、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)...

      2023-12-05 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體功率器件 1101 0

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      如何為功率器件找到合適的驅(qū)動(dòng)芯片

      每一個(gè)功率器件都需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)芯片，合適的驅(qū)動(dòng)芯片總能帶來事半功倍的效果，為客戶提供全面、高效的產(chǎn)品和解決方案

      2023-12-04 標(biāo)簽：整流器驅(qū)動(dòng)IC功率器件 418 0

      碳化硅功率器件在儲(chǔ)能領(lǐng)域的應(yīng)用示例

      碳化硅功率器件在儲(chǔ)能領(lǐng)域的應(yīng)用示例

      碳化硅功率器件目前被廣泛用于電源、用于電池充電和牽引驅(qū)動(dòng)的電池電動(dòng)汽車（BEV）電源轉(zhuǎn)換、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及太陽能和風(fēng)力發(fā)電逆變器等可再生能源發(fā)電系統(tǒng)等應(yīng)...

      2023-12-03 標(biāo)簽：太陽能功率器件SiC 1291 0

      什么是外延工藝？什么是單晶與多晶？哪些地方會(huì)涉及到外延工藝？

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      外延工藝的介紹，單晶和多晶以及外延生長的方法介紹。

      2023-11-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 4766 0

      功率器件介紹、市場概況、產(chǎn)業(yè)鏈分析，您想了解的都在這里了

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      變流器把直流電轉(zhuǎn)換成交流電。變流器幾乎使用在所有的電力和電子產(chǎn)品中， 如供電電路中的電壓波動(dòng)整形、產(chǎn)生變頻輸出功率來控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)速度，后者 在變頻空調(diào)、...

      2023-11-30 標(biāo)簽：IGBT功率器件產(chǎn)業(yè)鏈 8899 0

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      由于電遷移效應(yīng)，金屬線可能會(huì)斷裂并短路。EM會(huì)增加導(dǎo)線電阻，這會(huì)導(dǎo)致電壓下降，從而導(dǎo)致設(shè)備降速。由于短路或開路，它還可能導(dǎo)致電路永久性故障。

      2023-11-30 標(biāo)簽：電流MOS管電源模塊 2380 0

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      通常采用半絕緣多晶硅（Semi-Insulating Polycrystalline Silicon，SIPOS），其兩端分別與器件的兩個(gè)電極相連，因?yàn)?..

      2023-11-30 標(biāo)簽：集成電路MOSFET功率器件 5866 0

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      在電源應(yīng)用中，哪怕已經(jīng)確定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、頻率和負(fù)載范圍等需求，工程師短時(shí)間內(nèi)也很難判斷哪一種開關(guān)技術(shù)最好……“品質(zhì)因數(shù)”（Figure of Merit, ...

      2023-11-28 標(biāo)簽：MOSFETFOM功率器件 9406 0

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      2023-11-27 標(biāo)簽：英飛凌晶圓IGBT 1466 0

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      倍思氮化鎵充電器是一款優(yōu)秀的充電器，具有高效、快速、安全、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)。下面我們將詳細(xì)介紹倍思氮化鎵充電器的優(yōu)缺點(diǎn)、使用體驗(yàn)和與其他產(chǎn)品的比較，幫助您更好...

      2023-11-24 標(biāo)簽：電阻充電器功率器件 2410 0

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      IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管（BJT）和絕緣柵型場效應(yīng)管（MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。

      2023-11-24 標(biāo)簽：cpuIGBT晶體管 3022 0

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        JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口?；谶@些接口，調(diào)試器可以及時(shí)地了解目標(biāo)虛擬機(jī)的狀態(tài)，例如查看目標(biāo)虛擬機(jī)上有哪些類和實(shí)例等。
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        　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計(jì)算機(jī)一樣。
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