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標(biāo)簽 > 功率器件

功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

高速風(fēng)筒一站式解決方案

高速風(fēng)筒一站式解決方案

電吹風(fēng)是居家生活必備物品。傳統(tǒng)的吹風(fēng)機(jī)轉(zhuǎn)速通常在2萬(wàn)轉(zhuǎn)左右,干發(fā)速度較慢(中長(zhǎng)發(fā)常常超過(guò)10分鐘以上);利用高溫干發(fā),還容易損傷頭發(fā);噪聲比較大的同時(shí)重...

2023-09-19 標(biāo)簽:PWM電機(jī)emc 4172 0

第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車行業(yè)的應(yīng)用

第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車行業(yè)的應(yīng)用

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢(shì)引領(lǐng)功率器件新變革。

2023-09-19 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體IGBT 2134 0

關(guān)于MOS管燒毀的原因有哪些?

關(guān)于MOS管燒毀的原因有哪些?

大電流的快速切換會(huì)導(dǎo)致電源軌上的電壓驟降和瞬態(tài)尖峰。如果電源和控制電子設(shè)備共用一個(gè)或多個(gè)電源軌,則可能會(huì)對(duì)控制電路產(chǎn)生干擾。

2023-09-19 標(biāo)簽:二極管MOS管導(dǎo)通電阻 1301 0

超結(jié)理論應(yīng)用:平面VDMOS結(jié)構(gòu)與超結(jié)MOSFET技術(shù)介紹

超結(jié)理論應(yīng)用:平面VDMOS結(jié)構(gòu)與超結(jié)MOSFET技術(shù)介紹

功率器件要得到較高的擊穿電壓,就必須使用較厚的外延層漂移區(qū)與較低的摻雜濃度,常規(guī)VDMOS的特征導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系如下式所示。

2023-09-18 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻驅(qū)動(dòng)電路功率器件 6990 0

功率器件的分類及對(duì)比分析

功率器件的分類及對(duì)比分析

作為新能源汽車電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件,新能源汽車產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為功率器件需求增加最快的領(lǐng)域,并且將進(jìn)一步保持增長(zhǎng)到2025年將成為需求量最大的領(lǐng)域。

2023-09-15 標(biāo)簽:新能源汽車MOSFET逆變器 1644 0

怎么解決功率器件塑封過(guò)程中引腳壓傷的問(wèn)題?

怎么解決功率器件塑封過(guò)程中引腳壓傷的問(wèn)題?

引線框架的引腳壓傷是嚴(yán)重的質(zhì)量問(wèn)題。引腳壓傷不僅會(huì)影響產(chǎn)品的外觀質(zhì)量,嚴(yán)重時(shí)會(huì) 導(dǎo)致產(chǎn)品的電性能異常,甚至導(dǎo)致終端使用時(shí)發(fā)生短路、尖端放電等問(wèn)題。

2023-09-14 標(biāo)簽:功率器件 2982 0

DBA直接覆鋁陶瓷基板將成為未來(lái)電子材料領(lǐng)域的新寵

DBA直接覆鋁陶瓷基板將成為未來(lái)電子材料領(lǐng)域的新寵

隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,各種新型材料也不斷涌現(xiàn)。其中,直接覆鋁陶瓷基板(DBA基板)因其優(yōu)良的性能表現(xiàn)備受矚目,成為電子行業(yè)中備受關(guān)注的材料之一。

2023-09-14 標(biāo)簽:功率器件SAMDBA 2070 0

貼片元件溫度(散熱)的影響

貼片元件溫度(散熱)的影響

對(duì)應(yīng)于同樣的貼片測(cè)試任務(wù),貼片機(jī)的冷態(tài)Cpk值較貼片機(jī)的熱態(tài)Cpk值要好。通常設(shè)備制造商都經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的出廠前測(cè)試,熱態(tài)Cpk值是通過(guò)將貼片機(jī)連續(xù)高速空運(yùn)行...

2023-09-13 標(biāo)簽:功率器件貼片機(jī)cpk 973 0

數(shù)明半導(dǎo)體單通道隔離門極驅(qū)動(dòng)芯片簡(jiǎn)述

數(shù)明半導(dǎo)體單通道隔離門極驅(qū)動(dòng)芯片簡(jiǎn)述

數(shù)明半導(dǎo)體最新推出的SiLM59xx和SiLM58xx系列是帶有主動(dòng)保護(hù)和高CMTI的單通道隔離門極驅(qū)動(dòng)芯片,擁有強(qiáng)勁的驅(qū)動(dòng)能力、完善的保護(hù)功能、超高的...

2023-09-13 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 3240 1

氮化鎵功率器就是電容嗎 氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點(diǎn)

氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料,具有優(yōu)異的電特性,例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度。這使得氮化鎵功率器具有低導(dǎo)通電阻、高工作頻率和高開...

2023-09-11 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻功率器件氮化鎵 796 0

碳化硅為什么如此火爆呢

碳化硅為什么如此火爆呢

隨著新能源汽車市場(chǎng)的爆發(fā),電動(dòng)汽車已經(jīng)成為碳化硅最大的下游應(yīng)用市場(chǎng),行業(yè)普遍預(yù)估,2027年車用碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模能達(dá)到60億美元。

2023-09-11 標(biāo)簽:逆變器功率器件SiC 608 0

IGBT:能效革命中的不可或缺角色

IGBT:能效革命中的不可或缺角色

根據(jù)Mordor Intelligence的數(shù)據(jù),從2020年IGBT市場(chǎng)的價(jià)值就達(dá)到60.47億美元,預(yù)計(jì)到2026年將增長(zhǎng)至110.1億美元。報(bào)告指...

2023-09-07 標(biāo)簽:晶閘管IGBT功率器件 542 0

功率器件igbt工藝流程圖解

功率器件igbt工藝流程圖解

功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫。當(dāng)然功率半導(dǎo)體元件除了IGBT之外,還有MOSFET、BIP...

2023-09-07 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 4066 0

PCB布局設(shè)計(jì)關(guān)鍵要點(diǎn)

已確定優(yōu)選工藝路線,所有器件已放置板面。

2023-09-05 標(biāo)簽:pcbBGA功率器件 870 0

pcb電路板散熱技巧有哪些

對(duì)溫度比較敏感的器件最好安置在溫度最低的區(qū)域(如設(shè)備的底部),千萬(wàn)不要將它放在發(fā)熱器件的正上方,多個(gè)器件最好是在水平面上交錯(cuò)布局。

2023-09-04 標(biāo)簽:集成電路pcb電路板 314 0

電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的組成和作用

電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的組成和作用

電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)是新能源汽車的核心技術(shù)之一,它的主要任務(wù)是按駕駛員的駕駛意圖,將動(dòng)力電池的化學(xué)能高效地轉(zhuǎn)化為機(jī)械能,經(jīng)過(guò)變速器、驅(qū)動(dòng)軸等機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)車輪...

2023-09-04 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車電機(jī)控制變速器 3162 0

PCB需要解決什么問(wèn)題 芯片需要解決什么問(wèn)題

PCB需要解決什么問(wèn)題 芯片需要解決什么問(wèn)題

PCB作為各種元器件的載體與電路信號(hào)傳輸?shù)臉屑~,是電子產(chǎn)品最關(guān)鍵的部分,其質(zhì)量的好壞直接決定了整機(jī)設(shè)備的質(zhì)量與可靠性。

2023-08-31 標(biāo)簽:電子產(chǎn)品pcb元器件 782 0

不同類型的碳化硅功率器件

目前市場(chǎng)上出現(xiàn)的碳化硅半導(dǎo)體包括的類型相對(duì)較多,常見的主要有二極管、金屬氧化物、半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)、晶體管、晶閘管、結(jié)算場(chǎng)、效應(yīng)晶體管等等這些不同類型的碳化硅...

2023-08-31 標(biāo)簽:二極管MOSFET半導(dǎo)體 773 0

功率MOSFET選型指南

功率MOSFET選型指南

俗話說(shuō)“人無(wú)遠(yuǎn)慮必有近憂”,對(duì)于電子設(shè)計(jì)工程師,在項(xiàng)目開始之前,器件選型之初,就要做好充分考慮,選擇最適合自己需要的器件,才能保證項(xiàng)目的成功。

2023-08-25 標(biāo)簽:MOSFET封裝MOS 1027 0

量產(chǎn)GaN晶圓的KABRA工藝流程

量產(chǎn)GaN晶圓的KABRA工藝流程

半導(dǎo)體制造設(shè)備廠商DISCO Corporation(總部:東京都大田區(qū);總裁:Kazuma Sekiya)采用了KABRA(一種使用激光加工的晶錠切片...

2023-08-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓功率器件 1249 0

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編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題

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放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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