數(shù)明半導(dǎo)體最新推出的SiLM59xx和SiLM58xx系列是帶有主動(dòng)保護(hù)和高CMTI的單通道隔離門極驅(qū)動(dòng)芯片，擁有強(qiáng)勁的驅(qū)動(dòng)能力、完善的保護(hù)功能、超高的CMTI能力。其中，SiLM59xx系列提供12A的拉電流和灌電流能力，SiLM58xx系列提供3A的拉電流和6A的灌電流能力。SiLM59xx和SiLM58xx系列適用于驅(qū)動(dòng)IGBT，SiC和MOSFET等功率器件，可廣泛的適用于新能源汽車、光伏逆變、工業(yè)電源等應(yīng)用領(lǐng)域，如車載主逆變器、可再生能源逆變器、交流和無刷直流電機(jī)、工業(yè)電源等。

SiLM5992SH正、負(fù)電源驅(qū)動(dòng)應(yīng)用圖

SiLM5991SH典型應(yīng)用圖

SiLM5932SHO典型應(yīng)用圖

SiLM5852SH典型應(yīng)用圖

SiLM5851NH典型應(yīng)用圖

01強(qiáng)勁的驅(qū)動(dòng)能力

SiLM59xx系列提供12A的拉電流和12A的灌電流驅(qū)動(dòng)能力，能直接驅(qū)動(dòng)大功率的IGTB和SiC功率器件。分離的輸出引腳，使外圍器件更少，使用更加方便。以下是在VCC2=15V, Cout=220nF, 用電容法測試的輸出電流。

拉電流：11.44A

灌電流：11.99A

02超高的CMTI

SiLM59xx系列和SiLM58xx系列具有超高的抗共模瞬態(tài)抑制能力,典型的CMTI高達(dá)200kV/μs，使其能夠在高壓、快速開關(guān)切換的系統(tǒng)中可靠的運(yùn)行。

CH1: OUT, CH2: VCM

CMTI_R=201 kV/μs

VCM上升時(shí)OUT的CMTI

CH1: OUT, CH2: VCM

CMTI_F=208 kV/μs

VCM下降時(shí)OUT的CMTI

03主動(dòng)短路保護(hù)

主動(dòng)短路(ASC：Active Short Circuit)是電機(jī)應(yīng)用中的一種安全保護(hù)機(jī)制，防止系統(tǒng)損壞。在電機(jī)的應(yīng)用中，電機(jī)轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)會(huì)產(chǎn)生反電勢，轉(zhuǎn)速越高反電勢越大。如果電機(jī)處于過高轉(zhuǎn)速運(yùn)行，反電勢大于母線電壓，則會(huì)發(fā)生電流倒灌，相當(dāng)于給母線充電，使母線電壓過高，有擊穿母線電容和損壞其他高壓器件的風(fēng)險(xiǎn)。在這種情況下，需控制逆變器進(jìn)入主動(dòng)短路（ASC）模式，即上三橋臂或下三橋臂全開通，與電機(jī)U V W三項(xiàng)形成短路，通過電機(jī)定子繞組將產(chǎn)生的反電勢耗散掉。

為方便用戶的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，SiLM5932SHO提供兩個(gè)ASC引腳，分別為原本控制側(cè)的ASC1引腳和副邊驅(qū)動(dòng)側(cè)的ASC2引腳。在ASC引腳為高的時(shí)候， SiLM5932SHO會(huì)屏蔽其他的輸入控制信號（IN+, IN-, /RST），強(qiáng)制驅(qū)動(dòng)輸出為高。實(shí)際應(yīng)用中，可以用三顆SiLM5932SHO驅(qū)動(dòng)三個(gè)下橋臂的功率管，然后將三顆SiLM5932SHO的ASC2連在一起。當(dāng)檢測到電機(jī)轉(zhuǎn)速異常或母線電壓過高時(shí)，將ASC2置為高電平，強(qiáng)制讓三個(gè)下橋臂管開通。

產(chǎn)品特性

1. 驅(qū)動(dòng)電流能力

- SiLM59xx：12A/12A

- SiLM58xx：3A/6A

2. 拉電流和灌電流引腳分開

- 方便驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)

3. 驅(qū)動(dòng)輸出電壓最高可達(dá)30V

4. 輸入電壓范圍：3V到5.5V

5. 集成快速響應(yīng)的退飽和保護(hù)功能

6. 支持軟關(guān)斷

7. 支持米勒鉗位

8. 提供故障報(bào)警和系統(tǒng)恢復(fù)接口

- 電源良好指示腳（RDY）

-退飽和保護(hù)報(bào)警腳（/FLT）

-系統(tǒng)復(fù)位輸入腳（/RST）

9. 支持主動(dòng)短路保護(hù)功能（ASC）

-支持型號：SiLM5932SHO

10. 典型傳輸延時(shí)：90ns

11. 高CMTI性能：典型200kV/us

12. 靜電放電 (ESD)：±8kV HBM

13. 封裝：SOP16W

14. 隔離耐壓：5000VRMS

15. 工作溫度范圍：-40°C到125°C

16. AEC-Q100 車規(guī)認(rèn)證

產(chǎn)品選型表

審核編輯：湯梓紅