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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)中IGBT全面解析
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),作為MOSFET和雙極晶體管的復(fù)合器件,是電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)的核心部件,以其高工作頻率、高電流性能和低開關(guān)損耗等特點(diǎn),確保...
2025-01-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT晶體管 1126 0
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件的功率端子
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低...
2025-01-06 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì) 520 0
中文相關(guān)的文章很少,英文稍多,基本都是會(huì)議文章,下了好多篇,慢慢看。 1200V/50A B6 ECP模塊與DBC模塊對(duì)比 ECP :Embedded ...
隨著功率器件的發(fā)展,正弦波脈寬調(diào)制(SPWM)技術(shù)得到了廣泛的應(yīng)用,SPWM 控制是在逆變器輸出交流電能的一個(gè)周期內(nèi),將直流電能斬成幅值相等而寬度根據(jù)正...
2024-12-27 標(biāo)簽:正弦波脈寬調(diào)制功率器件 1429 0
MOS產(chǎn)品朝著高性能、低功耗、高安全、高穩(wěn)定性和高可靠性等方向演進(jìn),如何才能做出更好的MOS產(chǎn)品?好的封裝是提升性能的一個(gè)關(guān)鍵。TOLL封裝是一種無引線...
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十)——功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)
樣品活動(dòng)進(jìn)行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì)...
2024-12-23 標(biāo)簽:功率器件函數(shù)熱設(shè)計(jì) 755 0
適用微型逆變器500-1000W控制板應(yīng)用方案,包含MCU設(shè)計(jì)參考例程,上海貝嶺功率mos,igbt,ldo,運(yùn)放,比較器,存儲(chǔ)器等在逆變器產(chǎn)品應(yīng)用的方案。
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散
樣品活動(dòng)進(jìn)行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì)...
2024-12-16 標(biāo)簽:功率器件測(cè)量功率半導(dǎo)體 1021 0
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(八)——利用瞬態(tài)熱阻計(jì)算二極管浪涌電流
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低...
隨著第三代半導(dǎo)體材料如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的快速發(fā)展,功率器件的性能要求日益提高。傳統(tǒng)的封裝材料已無法滿足功率器件在高功率密度和高溫環(huán)境下...
2024-12-07 標(biāo)簽:封裝功率器件半導(dǎo)體材料 1167 0
SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù),其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件,特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)日益顯現(xiàn)。Wol...
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(七)——熱等效模型
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、SiCMOSFET高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率...
2024-12-03 標(biāo)簽:功率器件熱設(shè)計(jì)等效模型 1268 0
功率器件在多次循環(huán)雙脈沖測(cè)試中的應(yīng)用
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率器件在電動(dòng)汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。這些應(yīng)用對(duì)功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特別是在電動(dòng)...
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(六)——瞬態(tài)熱測(cè)量
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...
2024-11-26 標(biāo)簽:功率器件測(cè)量熱設(shè)計(jì) 1273 0
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(五)——功率半導(dǎo)體熱容
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低...
2024-11-19 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì) 603 0
基于環(huán)流系統(tǒng)的碳化硅功率器件可靠性研究
近日,在西安·曲江國(guó)際會(huì)議中心舉辦的2024中國(guó)電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會(huì)暨中國(guó)電源學(xué)會(huì)第二十七屆學(xué)術(shù)年會(huì)及展覽會(huì)(CPEEC & CPSSC 20...
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