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TOLL封裝功率器件的優(yōu)勢(shì)

芯長(zhǎng)征科技 ? 來(lái)源:國(guó)產(chǎn)IC ? 2025-01-23 11:13 ? 次閱讀

來(lái)源 :國(guó)產(chǎn)IC,作者:米飯

隨著半導(dǎo)體功率器件的使用環(huán)境和性能要求越來(lái)越高,器件散熱能力要求也隨之提高。器件散熱問(wèn)題導(dǎo)致的失效占了總失效的一半以上,而通過(guò)封裝技術(shù)升級(jí),是提高器件散熱能力的有效途徑之一。

--TOLL的優(yōu)勢(shì)--

在BMS與電機(jī)控制產(chǎn)品中,輸出功率越來(lái)越大而體積空間則要求越來(lái)越輕薄短小,除了DFN5X6和TO263封裝外,現(xiàn)在市面上使用TOLL封裝的場(chǎng)景越來(lái)越多,且成趨勢(shì)。

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總結(jié)TOLL有著如下優(yōu)點(diǎn):

1. 低封裝寄生和電感效應(yīng),具有更低的導(dǎo)通阻抗;

2. 最多能放置6根20mil的金屬打線(如圖二),最大ID電流約360A左右,封裝電阻可以降低到0.2mR;

3. 較D2PAK封裝布局縮小30%,厚度只有其50%,但是較DNF5X6大的多;

4. 擁有可焊?jìng)?cè)翼,可光學(xué)AOI檢查器件上板焊點(diǎn)連接質(zhì)量,適用于汽車(chē)應(yīng)用市場(chǎng);

散熱面積較DFN5X6大得多,故能承受更多的功耗,散熱好;

5. 封裝尺寸厚度較DFN5X6高,但仍?xún)H有2.3mm,對(duì)比其他周邊零件還是有不占空間高度的優(yōu)勢(shì);

結(jié)論 : 綜合上述特性TOLL封裝在BMS與電機(jī)控制器產(chǎn)品中,可以發(fā)揮出并聯(lián)數(shù)量少、較大的PD功率、散熱效率好等,讓產(chǎn)品更容易設(shè)計(jì)及符合電氣規(guī)范要求。

--雙面散熱DFN56--

雙面散熱DFN56在兼容傳統(tǒng)DFN56尺寸的情況下,則采用Cu—clip工藝,焊接面大、散熱強(qiáng)、寄生參數(shù)小、雙面散熱封裝設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)更好的散熱性能。

頂部散熱的主要優(yōu)勢(shì)在于:

1.滿(mǎn)足更大功率需求:優(yōu)化利用電路板空間,采用開(kāi)爾文源極連接,減少源極寄生電感.

2.提高功率密度:頂部散熱可實(shí)現(xiàn)最高電路板利用率;

3.提高效率: 經(jīng)優(yōu)化的結(jié)構(gòu)具有低電阻和超低寄生電感,可實(shí)現(xiàn)更高效率;

4.減輕重量:綜合優(yōu)化散熱和發(fā)熱,有助于打造更小巧的外殼,從而減少用料,減輕重量。

wKgZO2eRs_KAAijBAABHuHwjDi8597.jpg

在PDFN5X6的封裝方式下,熱量從功率產(chǎn)生的結(jié)散發(fā)到環(huán)境中去,主要可能有兩種途徑,朝下或朝上。由于面積小,側(cè)面途徑幾乎可以忽略。

如下圖,封裝簡(jiǎn)化的電氣等效熱網(wǎng)絡(luò), 熱阻(Rth)主要由硅芯片,焊料(底部/頂部),夾子/引線組成。

wKgZPGeRs_KALfafAAD8T4DL0jc320.jpg

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上述數(shù)字清楚表明,若想提高功率密度,設(shè)計(jì)師應(yīng)該使用雙面散熱器件,因?yàn)榕c傳統(tǒng)的PDFN5X6相比,從結(jié)到頂部的熱阻優(yōu)勢(shì)相當(dāng)明顯,大約低4~5倍。

總結(jié),

TOLL與雙面散熱DFN56在電流能力與體積上各有優(yōu)勢(shì),客戶(hù)可以結(jié)合自身應(yīng)用進(jìn)行有效選擇,隨著封裝工藝的不斷優(yōu)化提升,更多更新的封裝工藝也在豐富應(yīng)用市場(chǎng)的選擇。

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原文標(biāo)題:功率器件封裝TOLL與雙面散熱DFN56的各自?xún)?yōu)勢(shì)

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