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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測(cè)試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1777個(gè) 瀏覽：91813次 帖子：50個(gè)

      功率器件技術(shù)

      SJMOS微逆變是什么？有哪些優(yōu)點(diǎn)？

      “光伏”是當(dāng)下新能源行業(yè)的熱門話題。隨著全球能源危機(jī)不斷加劇，太陽(yáng)能作為一種綠色、可再生的能源逐漸受到人們的關(guān)注。在太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)中，光伏逆變器的作用不...

      2024-10-15 標(biāo)簽：太陽(yáng)能功率器件光伏逆變器 497 0

      IGBT短路耐受時(shí)間的重要性

      IGBT短路耐受時(shí)間的重要性

      IGBT等功率器件具有稱為“短路耐受時(shí)間（SCWT：Short Circuit Withstand Time）”的電氣特性（參數(shù)）。通常，在IGBT等功...

      2024-10-08 標(biāo)簽：IGBT功率器件功率元器件 764 0

      功率器件模塊：一種滿足EMI規(guī)范的捷徑

      功率器件模塊：一種滿足EMI規(guī)范的捷徑

      由于功率模塊的設(shè)計(jì)和幾何形狀可以實(shí)現(xiàn) EMI 建模，從而使設(shè)計(jì)人員能夠在設(shè)計(jì)流程的早期預(yù)測(cè)和了解其系統(tǒng)中的 EMI 反應(yīng)。

      2024-09-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體emi電磁干擾 515 0

      碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

      碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

      碳化硅（SiC）功率器件近年來(lái)在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，使其在高效能、高頻率和高溫...

      2024-09-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1029 0

      碳化硅功率器件的優(yōu)越性能

      碳化硅功率器件的優(yōu)越性能

      碳化硅（SiC）功率器件是近年來(lái)半導(dǎo)體行業(yè)中的重要發(fā)展方向。相比傳統(tǒng)的硅（Si）功率器件，SiC功率器件具有更高的耐高溫、高壓和高頻性能，廣泛應(yīng)用于電力...

      2024-09-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 579 0

      碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

      碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

      在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件正以其獨(dú)特的性能和優(yōu)勢(shì)，逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)...

      2024-09-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1204 0

      功率半導(dǎo)體器件測(cè)試解決方案

      功率半導(dǎo)體器件測(cè)試解決方案

      功率半導(dǎo)體器件是各類電子產(chǎn)品線路中不可或缺的重要組件。近年來(lái)，我國(guó)功率半導(dǎo)體器件制造企業(yè)通過(guò)持續(xù)的引進(jìn)消化吸收再創(chuàng)新以及自主創(chuàng)新，產(chǎn)品技術(shù)含量及性能水平...

      2024-09-12 標(biāo)簽：功率器件功率半導(dǎo)體碳化硅 693 0

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      IGBT熱管理解決方案

      自20世紀(jì)80年代開(kāi)發(fā)以來(lái)，IGBT已成為風(fēng)能、太陽(yáng)能等高壓可再生能源應(yīng)用以及消費(fèi)和工業(yè)用途的電動(dòng)汽車和電動(dòng)機(jī)的關(guān)鍵。功率半導(dǎo)體、功率器件、IGBT三者...

      2024-09-12 標(biāo)簽：IGBT功率器件熱管理 1045 0

      碳化硅功率器件的原理簡(jiǎn)述

      碳化硅功率器件的原理簡(jiǎn)述

      隨著科技的飛速發(fā)展，電力電子領(lǐng)域也迎來(lái)了前所未有的變革。在這場(chǎng)變革中，碳化硅（SiC）功率器件憑借其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，逐漸成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。本文將深入探...

      2024-09-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1045 0

      碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

      碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

      碳化硅（SiliconCarbide，簡(jiǎn)稱SiC）功率器件是近年來(lái)電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅功率器件在性能和效率方面...

      2024-09-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 883 0

      碳化硅功率器件的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

      隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，傳統(tǒng)的硅基功率器件因其物理特性的限制，已經(jīng)逐漸難以滿足日益增長(zhǎng)的高性能、高效率、高可靠性的應(yīng)用需求。在這一背景下，碳化硅（S...

      2024-09-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 523 0

      碳化硅功率器件的發(fā)展趨勢(shì)

      隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)型和電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為新一代半導(dǎo)體材料，正逐漸成為電力電子領(lǐng)域的璀璨明星。其獨(dú)特的物理和化學(xué)屬性，...

      2024-09-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 759 0

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      碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的電力電子器件，近年來(lái)在功率電子領(lǐng)域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅（Si）功率器件相比，碳化硅器件具有更高的...

      2024-09-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 972 0

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      SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和SiC SBD（碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管）是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導(dǎo)體器件，它們...

      2024-09-10 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 2869 0

      什么是SiC功率器件？它有哪些應(yīng)用？

      SiC（碳化硅）功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導(dǎo)體器件，它是繼硅（Si）和氮化鎵（GaN）之后的第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一。SiC以其優(yōu)異...

      2024-09-10 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 3569 0

      mosfet的三種工作狀態(tài)及工作條件是什么

      MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是電子工...

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      CoolGaN和增強(qiáng)型GaN（通常指的是增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管，即e-mode HEMT）在概念上有所重疊，但具體來(lái)說(shuō)，它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾...

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      由于對(duì)提高功率密度的需求，功率器件、封裝和冷卻技術(shù)面臨獨(dú)特的挑戰(zhàn)。在功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中，高溫和溫度波動(dòng)限制了設(shè)備的最大功率能力、系統(tǒng)性能和可靠性。本文將總結(jié)...

      2024-09-03 標(biāo)簽：芯片功率器件功率模塊 716 0

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      第一代半導(dǎo)體材料以硅（Si）和鍺（Ge）為代表，它們?yōu)榘雽?dǎo)體行業(yè)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。隨著技術(shù)的發(fā)展，第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵（GaAs）和銻化銦（InSb...

      2024-08-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件GaN 903 0

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      2024-08-19 標(biāo)簽：電感驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)功率器件 631 0

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