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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測(cè)試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1826個(gè) 瀏覽：92442次 帖子：50個(gè)

      功率器件技術(shù)

      功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（三）——功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測(cè)試方法

      功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（三）——功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測(cè)試方法

      功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本...

      2024-11-05 標(biāo)簽：散熱器功率器件功率半導(dǎo)體 1819 0

      陶瓷墊片的性能特點(diǎn)和安裝工藝

      陶瓷墊片的性能特點(diǎn)和安裝工藝

      陶瓷墊片 是一種高導(dǎo)熱性能的材料，主要由氧化鋁組成（氧化鋁含量高達(dá)96%以上），外觀(guān)呈純白色，質(zhì)地堅(jiān)硬，主要用于功率器件與散熱器之間的傳熱和電氣隔離。它...

      2024-11-01 標(biāo)簽：三極管散熱功率器件 1412 0

      軌道牽引用3.3kV SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊

      軌道牽引用3.3kV SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊

      三菱電機(jī)新開(kāi)發(fā)了3.3kV金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管碳化硅模塊（SiC-MOSFET），采用了嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管（SBD-Embedded）技術(shù)，可以...

      2024-10-31 標(biāo)簽：MOSFET嵌入式三菱電機(jī) 1349 0

      碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

      碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù)，因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理、特點(diǎn)以及在能源轉(zhuǎn)換中的...

      2024-10-30 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 555 0

      遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件的耐高壓測(cè)試

      遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件的耐高壓測(cè)試

      氮化鎵（GaN），作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，近年來(lái)在電子領(lǐng)域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開(kāi)關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢(shì)...

      2024-10-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 1001 0

      功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（二）——熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)

      功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（二）——熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)

      /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低...

      2024-10-29 標(biāo)簽：熱阻功率器件SiC 874 0

      功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（一）——功率半導(dǎo)體的熱阻

      功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（一）——功率半導(dǎo)體的熱阻

      功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本...

      2024-10-22 標(biāo)簽：熱阻功率器件功率半導(dǎo)體 1638 0

      宇宙輻射如何影響半導(dǎo)體功率器件的故障率?

      宇宙輻射如何影響半導(dǎo)體功率器件的故障率?

      能量粒子以多種方式影響半導(dǎo)體芯片，例如存儲(chǔ)器、處理器以及模擬和電源設(shè)備。器件的故障率取決于其所暴露的輻射量，這不僅是空間應(yīng)用中至關(guān)重要的因素，在地面電源...

      2024-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體輻射功率器件 723 0

      SiC功率器件中的溝槽結(jié)構(gòu)測(cè)量

      SiC功率器件中的溝槽結(jié)構(gòu)測(cè)量

      汽車(chē)和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應(yīng)更高的電壓，擁有更快的開(kāi)關(guān)速度，并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC 功率...

      2024-10-16 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 776 0

      Microchip的SiC解決方案解析

      Microchip的SiC解決方案解析

      在電子交通、可再生能源和數(shù)據(jù)中心等具有重大創(chuàng)新的行業(yè)的推動(dòng)下，對(duì)功率器件的需求不斷增加。當(dāng)今的功率應(yīng)用具有持續(xù)更嚴(yán)格的要求，最重要的是與實(shí)現(xiàn)更高的效率（...

      2024-10-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體microchipIGBT 847 0

      RC-IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理及優(yōu)勢(shì)

      RC-IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理及優(yōu)勢(shì)

      因?yàn)镮GBT大部分應(yīng)用場(chǎng)景都是感性負(fù)載，在IGBT關(guān)斷的時(shí)候，感性負(fù)載會(huì)產(chǎn)生很大的反向電流，IGBT不能反向?qū)?，需要在IGBT的兩端并聯(lián)一個(gè)快速恢復(fù)二...

      2024-10-15 標(biāo)簽：二極管IGBT晶體管 3169 0

      原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用

      原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用

      本文小編分享一篇文章，本文介紹的是原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用，本文介紹了原子層鍍膜技術(shù)在碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件中的應(yīng)用，并介紹了原子層鍍膜技...

      2024-10-15 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵鍍膜 786 0

      SJMOS微逆變是什么？有哪些優(yōu)點(diǎn)？

      “光伏”是當(dāng)下新能源行業(yè)的熱門(mén)話(huà)題。隨著全球能源危機(jī)不斷加劇，太陽(yáng)能作為一種綠色、可再生的能源逐漸受到人們的關(guān)注。在太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)中，光伏逆變器的作用不...

      2024-10-15 標(biāo)簽：太陽(yáng)能功率器件光伏逆變器 620 0

      IGBT短路耐受時(shí)間的重要性

      IGBT短路耐受時(shí)間的重要性

      IGBT等功率器件具有稱(chēng)為“短路耐受時(shí)間（SCWT：Short Circuit Withstand Time）”的電氣特性（參數(shù)）。通常，在IGBT等功...

      2024-10-08 標(biāo)簽：IGBT功率器件功率元器件 919 0

      功率器件模塊：一種滿(mǎn)足EMI規(guī)范的捷徑

      功率器件模塊：一種滿(mǎn)足EMI規(guī)范的捷徑

      由于功率模塊的設(shè)計(jì)和幾何形狀可以實(shí)現(xiàn) EMI 建模，從而使設(shè)計(jì)人員能夠在設(shè)計(jì)流程的早期預(yù)測(cè)和了解其系統(tǒng)中的 EMI 反應(yīng)。

      2024-09-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體emi電磁干擾 608 0

      碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

      碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

      碳化硅（SiC）功率器件近年來(lái)在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，使其在高效能、高頻率和高溫...

      2024-09-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1194 0

      碳化硅功率器件的優(yōu)越性能

      碳化硅功率器件的優(yōu)越性能

      碳化硅（SiC）功率器件是近年來(lái)半導(dǎo)體行業(yè)中的重要發(fā)展方向。相比傳統(tǒng)的硅（Si）功率器件，SiC功率器件具有更高的耐高溫、高壓和高頻性能，廣泛應(yīng)用于電力...

      2024-09-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 665 0

      碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

      碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

      在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件正以其獨(dú)特的性能和優(yōu)勢(shì)，逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)...

      2024-09-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1384 0

      功率半導(dǎo)體器件測(cè)試解決方案

      功率半導(dǎo)體器件測(cè)試解決方案

      功率半導(dǎo)體器件是各類(lèi)電子產(chǎn)品線(xiàn)路中不可或缺的重要組件。近年來(lái)，我國(guó)功率半導(dǎo)體器件制造企業(yè)通過(guò)持續(xù)的引進(jìn)消化吸收再創(chuàng)新以及自主創(chuàng)新，產(chǎn)品技術(shù)含量及性能水平...

      2024-09-12 標(biāo)簽：功率器件功率半導(dǎo)體碳化硅 856 0

      IGBT熱管理解決方案

      IGBT熱管理解決方案

      自20世紀(jì)80年代開(kāi)發(fā)以來(lái)，IGBT已成為風(fēng)能、太陽(yáng)能等高壓可再生能源應(yīng)用以及消費(fèi)和工業(yè)用途的電動(dòng)汽車(chē)和電動(dòng)機(jī)的關(guān)鍵。功率半導(dǎo)體、功率器件、IGBT三者...

      2024-09-12 標(biāo)簽：IGBT功率器件熱管理 1153 0

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      • 深度學(xué)習(xí)
        深度學(xué)習(xí)
        +關(guān)注
      • 工業(yè)4.0
        工業(yè)4.0
        +關(guān)注
        工業(yè)4.0是由德國(guó)政府《德國(guó)2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來(lái)項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國(guó)聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠(chǎng)，在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶(hù)及商業(yè)伙伴。
      • 英偉達(dá)
        英偉達(dá)
        +關(guān)注
        Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商，NVIDIA的總部設(shè)在美國(guó)加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個(gè)國(guó)家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進(jìn)的專(zhuān)業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實(shí)現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國(guó)加利福尼亞州圣克拉拉市。
      • BeagleBone
        BeagleBone
        +關(guān)注
      • mbed
        mbed
        +關(guān)注
      • 無(wú)人機(jī)技術(shù)
        無(wú)人機(jī)技術(shù)
        +關(guān)注
        以無(wú)人駕駛來(lái)說(shuō)，城市中將建造一個(gè)巨大的交通共享網(wǎng)，只要拿出手機(jī)就能隨時(shí)呼叫無(wú)人駕駛汽車(chē)服務(wù)；交警能精準(zhǔn)判斷每一輛汽車(chē)去向，更有效地管理交通……
      • LD3320
        LD3320
        +關(guān)注
      • OpenWrt
        OpenWrt
        +關(guān)注
        OpenWrt 可以被描述為一個(gè)嵌入式的 Linux 發(fā)行版。（主流路由器固件有 dd-wrt，tomato，openwrt，padavan四類(lèi)）對(duì)比一個(gè)單一的、靜態(tài)的系統(tǒng)，OpenWrt的包管理提供了一個(gè)完全可寫(xiě)的文件系統(tǒng)，從應(yīng)用程序供應(yīng)商提供的選擇和配置，并允許您自定義的設(shè)備，以適應(yīng)任何應(yīng)用程序。
      • ARM架構(gòu)
        ARM架構(gòu)
        +關(guān)注
        ARM架構(gòu)過(guò)去稱(chēng)作進(jìn)階精簡(jiǎn)指令集機(jī)器（Advanced RISC Machine，更早稱(chēng)作：Acorn RISC Machine），是一個(gè)32位精簡(jiǎn)指令集（RISC）處理器架構(gòu)，其廣泛地使用在許多嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
      • DragonBoard 410c
        DragonBoard 410c
        +關(guān)注
        Qualcomm最新的“龍板”——Qualcomm DragonBoard 410c，是一枚功能極為強(qiáng)大，身材特別小巧的開(kāi)發(fā)板，它集成了目前最流行的智能手機(jī)處理能力，幫您實(shí)現(xiàn)對(duì)各種智能硬件的天馬行空想象。您可以研用“龍板”實(shí)現(xiàn)高清視頻、Wi-Fi/藍(lán)牙、多媒體、3D游戲等各項(xiàng)功能。
      • OpenCL
        OpenCL
        +關(guān)注
        OpenCL是一個(gè)為異構(gòu)平臺(tái)編寫(xiě)程序的框架，此異構(gòu)平臺(tái)可由CPU，GPU或其他類(lèi)型的處理器組成。OpenCL由一門(mén)用于編寫(xiě)kernels （在OpenCL設(shè)備上運(yùn)行的函數(shù)）的語(yǔ)言（基于C99）和一組用于定義并控制平臺(tái)的API組成。
      • 嵌入式操作系統(tǒng)
        嵌入式操作系統(tǒng)
        +關(guān)注
        嵌入式操作系統(tǒng)（Embedded Operating System，簡(jiǎn)稱(chēng)：EOS）是指用于嵌入式系統(tǒng)的操作系統(tǒng)。嵌入式操作系統(tǒng)是一種用途廣泛的系統(tǒng)軟件，通常包括與硬件相關(guān)的底層驅(qū)動(dòng)軟件、系統(tǒng)內(nèi)核、設(shè)備驅(qū)動(dòng)接口、通信協(xié)議、圖形界面、標(biāo)準(zhǔn)化瀏覽器等。
      • Windows CE
        Windows CE
        +關(guān)注
        　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動(dòng)計(jì)算平臺(tái)的基礎(chǔ)，它是一個(gè)開(kāi)放的、可升級(jí)的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類(lèi)的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
      • JDI
        JDI
        +關(guān)注
        JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口?；谶@些接口，調(diào)試器可以及時(shí)地了解目標(biāo)虛擬機(jī)的狀態(tài)，例如查看目標(biāo)虛擬機(jī)上有哪些類(lèi)和實(shí)例等。
      • NFS
        NFS
        +關(guān)注
        　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪(fǎng)問(wèn)網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計(jì)算機(jī)一樣。
      • 麒麟960
        麒麟960
        +關(guān)注
        麒麟960（kirin 960）是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動(dòng)設(shè)備芯片，麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心，小核心為A53，組成四大四小的big.LITTLE組合，GPU為Mali G71 MP8。
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        米爾是一家專(zhuān)注于A(yíng)RM嵌入式軟硬件開(kāi)發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。在以客戶(hù)為中心的指引下，米爾為嵌入式領(lǐng)域客戶(hù)提供專(zhuān)業(yè)的ARM工業(yè)控制板、ARM核心板、ARM開(kāi)發(fā)工具、充電樁計(jì)費(fèi)控制單元及充電控制板等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。
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        ARM公司
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        ARM公司是一家知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商，它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶(hù)出售芯片，而是通過(guò)轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案，由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
      • 數(shù)字電子鐘
        數(shù)字電子鐘
        +關(guān)注
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      • OpenStack
        OpenStack
        +關(guān)注
        OpenStack是一個(gè)開(kāi)源的云計(jì)算管理平臺(tái)項(xiàng)目，是一系列軟件開(kāi)源項(xiàng)目的組合。由NASA（美國(guó)國(guó)家航空航天局）和Rackspace合作研發(fā)并發(fā)起，以Apache許可證（Apache軟件基金會(huì)發(fā)布的一個(gè)自由軟件許可證）授權(quán)的開(kāi)源代碼項(xiàng)目。
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        MMU
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        MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時(shí)稱(chēng)作分頁(yè)內(nèi)存管理單元，它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪(fǎng)問(wèn)請(qǐng)求的計(jì)算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡(jiǎn)單的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中，負(fù)責(zé)總線(xiàn)的仲裁以及存儲(chǔ)體切換。
      • 馬云
        馬云
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      • OMAPL138
        OMAPL138
        +關(guān)注
        OMAP-L138是美國(guó)德州儀器（TI）推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器 ，這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點(diǎn)數(shù)字信號(hào)處理器 （DSP） + ARM9處理器，大大降低了雙核通訊的開(kāi)發(fā)難度，可充分滿(mǎn)足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計(jì)對(duì)高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長(zhǎng)電池使用壽命的需求。
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      jf_65683686 jf_67121739 jf_04710643 q7q7124 xiaochi_dd 五星之光 jf_30061372 jf_71413164 sharex jf_16903376 jf_39221762 jf_67930263

      編輯推薦廠(chǎng)商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題

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