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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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推挽式開關(guān)電源是一種常見的電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。在推挽式開關(guān)電源中,MOS管是核心的功率器件之一,其性能直接影響到整個電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性...
2024-08-15 標(biāo)簽:電子設(shè)備功率器件電源拓?fù)?/a> 2106 0
DTS技術(shù)提高功率模塊可靠性方面發(fā)揮的關(guān)鍵作用
派恩杰半導(dǎo)體,中國第三代半導(dǎo)體功率器件的領(lǐng)先品牌,主營碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化鎵HEMT等功率器件產(chǎn)品。在新能源汽車、光伏儲能、白色家電、...
功率半導(dǎo)體器件,特別是絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),在新能源、軌道交通、電動汽車、工業(yè)應(yīng)用和家用電器等諸多應(yīng)用中都是不可或缺的核心部件。尤其在新能源電...
PWM變換器驅(qū)動電路是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的技術(shù),它通過調(diào)節(jié)脈沖寬度來控制功率器件的開關(guān)狀態(tài),從而實現(xiàn)對輸出電壓和電流的精確控制。 PWM變換器驅(qū)...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件。IGBT的寄生電容是指在IGBT內(nèi)部由于結(jié)構(gòu)原因產(chǎn)生的電容,這些電容會影響IGBT的...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極晶體管)是現(xiàn)代電力電子設(shè)備中常用的功率器件,廣泛應(yīng)用于焊機(jī)、變頻...
大功率IGBT和SiC MOSFET的并聯(lián)設(shè)計方案
隨著新能源技術(shù)的快速發(fā)展,對大功率半導(dǎo)體器件的需求日益增加。特別是在可再生能源領(lǐng)域,需要能夠承載巨大電流的功率器件。然而,由于生產(chǎn)成本、技術(shù)難度以及市場...
在電子電路設(shè)計中,MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種常用的功率器件,具有高速開關(guān)、低導(dǎo)通電阻、低驅(qū)動功耗等優(yōu)點。然而,如果MOSFE...
2024-08-01 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管功率器件 1609 0
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的功率器件,其耐壓性能是其重要參數(shù)之一。 MOSFET耐壓測試的重要性 MOSFE...
2024-08-01 標(biāo)簽:MOS管場效應(yīng)晶體管功率器件 2767 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件,其性能和可靠性在很大程度上取決于柵極電阻的選擇。如果IGBT的柵極電阻過小,可能會對...
三菱電機(jī)從事功率半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)已有六十多年的歷史,從早期的二極管、晶閘管,到MOSFET、IGBT和SiC器件,三菱電機(jī)一直致力于功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)和...
安森美GaN功率器件iGaN NCP5892x系列更簡單容易
GaN功率器件的應(yīng)用在消費類產(chǎn)品電源近年相當(dāng)普及,大大提升了電源的效率和功率密度,其優(yōu)點和用量遞增,也逐漸延伸到服務(wù)器和工業(yè)電源領(lǐng)域。? 安森美(ons...
功率器件,特別是如功率MOSFET和IGBT等,在電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它們的開關(guān)波形分析對于理解器件性能、優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計以及確保系統(tǒng)穩(wěn)定運...
功率器件,也稱為功率電子器件,是電子設(shè)備中至關(guān)重要的組成部分,它們具備處理高電壓和高電流的能力,是電力轉(zhuǎn)換和電路控制的核心。以下是對功率器件的詳細(xì)介紹,...
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