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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測(cè)試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1826個(gè) 瀏覽：92442次 帖子：50個(gè)

      功率器件技術(shù)

      碳化硅功率器件的原理簡(jiǎn)述

      碳化硅功率器件的原理簡(jiǎn)述

      隨著科技的飛速發(fā)展，電力電子領(lǐng)域也迎來(lái)了前所未有的變革。在這場(chǎng)變革中，碳化硅（SiC）功率器件憑借其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，逐漸成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。本文將深入探...

      2024-09-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1251 0

      碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

      碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

      碳化硅（SiliconCarbide，簡(jiǎn)稱(chēng)SiC）功率器件是近年來(lái)電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅功率器件在性能和效率方面...

      2024-09-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1074 0

      碳化硅功率器件的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

      隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，傳統(tǒng)的硅基功率器件因其物理特性的限制，已經(jīng)逐漸難以滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的高性能、高效率、高可靠性的應(yīng)用需求。在這一背景下，碳化硅（S...

      2024-09-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 637 0

      碳化硅功率器件的發(fā)展趨勢(shì)

      隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)型和電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為新一代半導(dǎo)體材料，正逐漸成為電力電子領(lǐng)域的璀璨明星。其獨(dú)特的物理和化學(xué)屬性，...

      2024-09-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 876 0

      碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢(shì)

      碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢(shì)

      碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的電力電子器件，近年來(lái)在功率電子領(lǐng)域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅（Si）功率器件相比，碳化硅器件具有更高的...

      2024-09-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1128 0

      SiC MOSFET和SiC SBD的區(qū)別

      SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和SiC SBD（碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管）是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導(dǎo)體器件，它們...

      2024-09-10 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 3418 0

      什么是SiC功率器件？它有哪些應(yīng)用？

      SiC（碳化硅）功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導(dǎo)體器件，它是繼硅（Si）和氮化鎵（GaN）之后的第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一。SiC以其優(yōu)異...

      2024-09-10 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 4108 0

      mosfet的三種工作狀態(tài)及工作條件是什么

      MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是電子工...

      2024-10-06 標(biāo)簽：MOSFET電壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管 5789 0

      CoolGaN和增強(qiáng)型GaN區(qū)別是什么

      CoolGaN和增強(qiáng)型GaN（通常指的是增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管，即e-mode HEMT）在概念上有所重疊，但具體來(lái)說(shuō)，它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾...

      2024-09-07 標(biāo)簽：晶體管功率器件GaN 1199 0

      如何通過(guò)創(chuàng)新封裝技術(shù)提升功率器件性能

      如何通過(guò)創(chuàng)新封裝技術(shù)提升功率器件性能

      由于對(duì)提高功率密度的需求，功率器件、封裝和冷卻技術(shù)面臨獨(dú)特的挑戰(zhàn)。在功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中，高溫和溫度波動(dòng)限制了設(shè)備的最大功率能力、系統(tǒng)性能和可靠性。本文將總結(jié)...

      2024-09-03 標(biāo)簽：芯片功率器件功率模塊 833 0

      芯干線(xiàn)科技GaN功率器件及應(yīng)用

      芯干線(xiàn)科技GaN功率器件及應(yīng)用

      第一代半導(dǎo)體材料以硅（Si）和鍺（Ge）為代表，它們?yōu)榘雽?dǎo)體行業(yè)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。隨著技術(shù)的發(fā)展，第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵（GaAs）和銻化銦（InSb...

      2024-08-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件GaN 1065 0

      探究電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中碳化硅功率器件封裝的三大核心技術(shù)

      探究電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中碳化硅功率器件封裝的三大核心技術(shù)

      在電動(dòng)汽車(chē)、風(fēng)力發(fā)電等電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的性能逐漸取代了傳統(tǒng)的硅基功率器件。然而，要充分發(fā)揮碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)，其封裝技術(shù)尤為關(guān)鍵。...

      2024-08-19 標(biāo)簽：電感驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)功率器件 757 0

      功率器件雪崩擊穿的工作原理和失效機(jī)理

      功率器件雪崩擊穿的工作原理和失效機(jī)理

      雪崩耐量是功率器件性能評(píng)估的關(guān)鍵指標(biāo)，那么什么是雪崩耐量呢？即向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時(shí),電場(chǎng)衰減電流的流動(dòng)會(huì)引起雪崩衰減,此時(shí)元件可吸收...

      2024-08-15 標(biāo)簽：MOSFET雪崩擊穿功率器件 3181 0

      推挽式開(kāi)關(guān)電源的優(yōu)勢(shì)及工作原理

      推挽式開(kāi)關(guān)電源是一種常見(jiàn)的電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。在推挽式開(kāi)關(guān)電源中，MOS管是核心的功率器件之一，其性能直接影響到整個(gè)電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性...

      2024-08-15 標(biāo)簽：電子設(shè)備功率器件電源拓?fù)?/a> 2381 0

      DTS技術(shù)提高功率模塊可靠性方面發(fā)揮的關(guān)鍵作用

      DTS技術(shù)提高功率模塊可靠性方面發(fā)揮的關(guān)鍵作用

      派恩杰半導(dǎo)體，中國(guó)第三代半導(dǎo)體功率器件的領(lǐng)先品牌，主營(yíng)碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化鎵HEMT等功率器件產(chǎn)品。在新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能、白色家電、...

      2024-08-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 2052 0

      功率器件功率循環(huán)測(cè)試原理詳解

      功率器件功率循環(huán)測(cè)試原理詳解

      功率半導(dǎo)體器件，特別是絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），在新能源、軌道交通、電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)應(yīng)用和家用電器等諸多應(yīng)用中都是不可或缺的核心部件。尤其在新能源電...

      2024-08-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝功率器件 2760 0

      真空回流焊爐/真空焊接爐——IGBT功率器件焊接

      真空回流焊爐/真空焊接爐——IGBT功率器件焊接

      IGBT，全稱(chēng)絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT），是一種功率開(kāi)關(guān)元件，綜合了電力晶體管（Gi...

      2024-08-09 標(biāo)簽：IGBT焊接功率器件 3326 0

      pwm變換器驅(qū)動(dòng)電路的特點(diǎn)有哪些

      PWM變換器驅(qū)動(dòng)電路是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的技術(shù)，它通過(guò)調(diào)節(jié)脈沖寬度來(lái)控制功率器件的開(kāi)關(guān)狀態(tài)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出電壓和電流的精確控制。 PWM變換器驅(qū)...

      2024-08-08 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)電路功率器件輸出信號(hào) 1483 0

      igbt功率管寄生電容怎么測(cè)量大小

      IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件。IGBT的寄生電容是指在IGBT內(nèi)部由于結(jié)構(gòu)原因產(chǎn)生的電容，這些電容會(huì)影響IGBT的...

      2024-08-07 標(biāo)簽：IGBT功率器件功率管 2171 0

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      碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和分類(lèi)

      碳化硅（SiC）功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件，主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應(yīng)用。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅功率器件具有...

      2024-08-07 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1250 0

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      • 工業(yè)4.0
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        工業(yè)4.0是由德國(guó)政府《德國(guó)2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來(lái)項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國(guó)聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠(chǎng)，在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶(hù)及商業(yè)伙伴。
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        Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商，NVIDIA的總部設(shè)在美國(guó)加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個(gè)國(guó)家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進(jìn)的專(zhuān)業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實(shí)現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國(guó)加利福尼亞州圣克拉拉市。
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      • mbed
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      • 無(wú)人機(jī)技術(shù)
        無(wú)人機(jī)技術(shù)
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        以無(wú)人駕駛來(lái)說(shuō)，城市中將建造一個(gè)巨大的交通共享網(wǎng)，只要拿出手機(jī)就能隨時(shí)呼叫無(wú)人駕駛汽車(chē)服務(wù)；交警能精準(zhǔn)判斷每一輛汽車(chē)去向，更有效地管理交通……
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        OpenCL是一個(gè)為異構(gòu)平臺(tái)編寫(xiě)程序的框架，此異構(gòu)平臺(tái)可由CPU，GPU或其他類(lèi)型的處理器組成。OpenCL由一門(mén)用于編寫(xiě)kernels （在OpenCL設(shè)備上運(yùn)行的函數(shù)）的語(yǔ)言（基于C99）和一組用于定義并控制平臺(tái)的API組成。
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        嵌入式操作系統(tǒng)（Embedded Operating System，簡(jiǎn)稱(chēng)：EOS）是指用于嵌入式系統(tǒng)的操作系統(tǒng)。嵌入式操作系統(tǒng)是一種用途廣泛的系統(tǒng)軟件，通常包括與硬件相關(guān)的底層驅(qū)動(dòng)軟件、系統(tǒng)內(nèi)核、設(shè)備驅(qū)動(dòng)接口、通信協(xié)議、圖形界面、標(biāo)準(zhǔn)化瀏覽器等。
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        　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動(dòng)計(jì)算平臺(tái)的基礎(chǔ)，它是一個(gè)開(kāi)放的、可升級(jí)的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類(lèi)的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
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        　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪(fǎng)問(wèn)網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計(jì)算機(jī)一樣。
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        ARM公司是一家知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商，它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶(hù)出售芯片，而是通過(guò)轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案，由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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        OpenStack是一個(gè)開(kāi)源的云計(jì)算管理平臺(tái)項(xiàng)目，是一系列軟件開(kāi)源項(xiàng)目的組合。由NASA（美國(guó)國(guó)家航空航天局）和Rackspace合作研發(fā)并發(fā)起，以Apache許可證（Apache軟件基金會(huì)發(fā)布的一個(gè)自由軟件許可證）授權(quán)的開(kāi)源代碼項(xiàng)目。
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        MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時(shí)稱(chēng)作分頁(yè)內(nèi)存管理單元，它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪(fǎng)問(wèn)請(qǐng)求的計(jì)算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡(jiǎn)單的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中，負(fù)責(zé)總線(xiàn)的仲裁以及存儲(chǔ)體切換。
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        OMAPL138
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        OMAP-L138是美國(guó)德州儀器（TI）推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器 ，這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點(diǎn)數(shù)字信號(hào)處理器 （DSP） + ARM9處理器，大大降低了雙核通訊的開(kāi)發(fā)難度，可充分滿(mǎn)足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計(jì)對(duì)高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長(zhǎng)電池使用壽命的需求。
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