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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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后摩爾時代,洞見第三代功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測試的趨勢和未來!
2022年,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)連續(xù)高增長,進(jìn)入調(diào)整周期。與此形成對比,在新能源汽車、光伏、儲能等需求帶動下,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)保持高速發(fā)展,全球化供應(yīng)鏈體系正...
2023-05-30 標(biāo)簽:功率器件第三代半導(dǎo)體 1226 0
日前,長電科技舉辦了2023年第二期線上技術(shù)論壇,主題聚焦功率器件封裝及應(yīng)用,與業(yè)界交流長電科技在這一領(lǐng)域的技術(shù)經(jīng)驗與創(chuàng)新。 功率半導(dǎo)體器件目前廣泛應(yīng)用...
新微半導(dǎo)體40V增強(qiáng)型氮化鎵功率器件工藝平臺成功量產(chǎn)
新微半導(dǎo)體40V氮化鎵功率器件工藝平臺擁有較大的工藝窗口,并具有良好的一致性和穩(wěn)定性的工藝保障。其采用的無金工藝,RC<0.4 Ω·mm;柵極采用...
碳化硅襯底材料能量損失更小。在相同的電壓和轉(zhuǎn)換頻率下,400V電壓時,碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的29%-60%之間;8...
2023-05-18 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體器件碳化硅 442 0
納微發(fā)布7大全球行業(yè)應(yīng)用展望 助力能源可持續(xù)發(fā)展
是的!眾所周知,第三代半導(dǎo)體(以氮化鎵GaN和碳化硅SiC為主),憑借在電子遷移率、功率密度、熱穩(wěn)定性等方面具有優(yōu)異的性能,可以用于制造高效、高速、高溫...
2023-05-16 標(biāo)簽:功率器件大數(shù)據(jù)納微 897 0
作為一種電源轉(zhuǎn)換器,車載逆變電源能夠?qū)δ茈姵刂绷麟娹D(zhuǎn)換為220V的交流電,給筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)、無人機(jī)等設(shè)備提供電能。其輸出波形包括修正弦波和純正弦...
2023-05-14 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器逆變電源功率器件 1004 0
瑞能半導(dǎo)體在PCIM Europe 2023展示全新功率器件及解決方案
當(dāng)?shù)貢r間5月9日,全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商瑞能半導(dǎo)體攜其最新產(chǎn)品亮相在德國紐倫堡揭幕的PCIM Europe 2023。產(chǎn)品組合包含碳化硅器件,可控硅...
2023-05-10 標(biāo)簽:MOSFET功率器件瑞能半導(dǎo)體 1401 0
陜西先進(jìn)光子器件工程創(chuàng)新平臺全面啟用
陜西光電子先導(dǎo)院先進(jìn)光子器件工程創(chuàng)新平臺在西安全面啟用。該平臺具備光子芯片制程中的光刻、刻蝕、蒸鍍等多項核心工藝,將為光子產(chǎn)業(yè)項目提供產(chǎn)品研發(fā)、中試、檢...
功率器件頂部散熱封裝技術(shù)的優(yōu)勢及普及挑戰(zhàn)
不久前,英飛凌科技股份公司宣布其適用于高壓MOSFET的QDPAK和DDPAK頂部散熱(TSC)封裝技術(shù)正式注冊為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。
長電科技:全面覆蓋功率器件封裝,工藝及設(shè)計解決方案完備可靠
4月26日,長電科技舉辦2023年第二期線上技術(shù)論壇,主題聚焦功率器件封裝及應(yīng)用,與業(yè)界交流長電科技在這一領(lǐng)域的技術(shù)經(jīng)驗與創(chuàng)新。
GaN是第三代半導(dǎo)體材料,具有許多傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體所不具備的優(yōu)良特性,因此被視為新一代半導(dǎo)體技術(shù),具有非常廣闊的應(yīng)用前景。隨著 GaN功率器件技術(shù)的成熟, ...
隨著氮化鎵功率器件在 PD快充領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,氮化鎵功率器件已經(jīng)成為了消費(fèi)電子領(lǐng)域的新寵,應(yīng)用范圍也越來越廣。氮化鎵功率器件憑借著自身優(yōu)異的性能和良好的...
GaN:RX65T300 HS2A,240mΩ的原理、特點及優(yōu)勢
GaN:RX65T300 HS2A是一種基于氮化鎵技術(shù)的功率器件,具有較低的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗、高的開關(guān)速度和可靠性。其特點和優(yōu)勢如下:1. 低導(dǎo)通電阻...
目前,常用電子封裝陶瓷基片材料包括氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)、氧化鈹(BeO)、碳化硅(SiC)等。那么,誰才是最有發(fā)...
2023-04-13 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體器件陶瓷材料 1538 0
MDD辰達(dá)半導(dǎo)體亮相環(huán)球資源香港展
全球最全面的消費(fèi)電子產(chǎn)品采購展,匯集中國及亞洲地區(qū)的最高質(zhì)量 OEM/ODM 生產(chǎn)制造供應(yīng)商,為成熟的零售商?/?電子零售商和經(jīng)銷商提供消費(fèi)電子、電腦周...
擴(kuò)大和升級電動汽車 (EV) 和其他動力移動應(yīng)用的充電基礎(chǔ)設(shè)施對于提高社會接受度至關(guān)重要。實施強(qiáng)大、有效的 EV 充電系統(tǒng)是解決范圍焦慮和充電速度等問題...
中芯集成IPO募資125億投建MEMS和功率器件芯片制造及封裝測試生產(chǎn)基地
中芯集成是國內(nèi)領(lǐng)先的特色工藝晶圓代工企業(yè),主要從事MEMS和功率器件等領(lǐng)域的晶圓代工及模組封測業(yè)務(wù),為客戶提供一站式系統(tǒng)代工解決方案;而且中芯集成也是目...
派恩杰半導(dǎo)體上榜2023中國IC設(shè)計TOP 10功率器件公司
日前,AspenCore在上海發(fā)布了2023 中國IC設(shè)計 Fabless100 排行榜。 該榜單由AspenCore分析師團(tuán)隊根據(jù)量化數(shù)學(xué)模型、企業(yè)公...
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