盤(pán)點(diǎn)國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè) 碳化硅上市公司龍頭企業(yè)分析

碳化硅概念股有哪些？碳化硅國(guó)內(nèi)企業(yè)有哪些？國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)盤(pán)點(diǎn)分析：英飛凌以1.39億美元收購(gòu)初創(chuàng)企業(yè)Siltectra，獲得后者創(chuàng)新技術(shù)ColdS...

2018-12-06 標(biāo)簽：英飛凌半導(dǎo)體功率器件 14.0萬(wàn) 0

什么是第三代半導(dǎo)體？

其實(shí)筆者想說(shuō)的是，并不存在十全十美的半導(dǎo)體材料，被業(yè)界選中并廣泛使用的，都是在各個(gè)性能指標(biāo)之間的平衡。頻率、功率、耐壓、溫度……就算各個(gè)指標(biāo)表現(xiàn)優(yōu)異，還...

2020-09-07 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶圓 3.5萬(wàn) 0

功率器件簡(jiǎn)介及功率器件的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

VDMOS在2017年的Yole統(tǒng)計(jì)報(bào)告當(dāng)中，市場(chǎng)空間有60億美元，這里面大部分是40v以下的設(shè)備。從市場(chǎng)份額來(lái)看，我們關(guān)心的是汽車(chē)電子，不管是增長(zhǎng)率和...

2018-05-24 標(biāo)簽：集成電路功率器件 3.2萬(wàn) 0

中國(guó)功率器件產(chǎn)業(yè)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

功率半導(dǎo)體器件種類(lèi)眾多。 功率半導(dǎo)體根據(jù)載流子類(lèi)型可分為雙極型與單極型功率半導(dǎo)體。雙極型功率半導(dǎo)體包括功率二極管、雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Jun...

2018-09-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管電力電子 3.1萬(wàn) 0

中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)與美國(guó)的技術(shù)差距,華為對(duì)美國(guó)芯片的依賴(lài)

華為目前的兩大業(yè)務(wù)分別是通信設(shè)備和手機(jī)業(yè)務(wù)，這兩大業(yè)務(wù)的模擬芯片均主要來(lái)自于歐美企業(yè)，其中對(duì)美國(guó)模擬芯片企業(yè)博通和ADI的依賴(lài)性最大，而且相信在未來(lái)的十...

2018-12-03 標(biāo)簽：芯片華為功率器件 2.9萬(wàn) 0

硅材料有哪些 硅的用途是什么

硅材料是一種產(chǎn)量最大、應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料，主要以功率器件、微波器件為應(yīng)用和發(fā)展方向，一般用在各類(lèi)半導(dǎo)體器件上的應(yīng)用。 硅材料的分類(lèi)： 按純度分：工業(yè)硅...

2021-08-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件硅材料 2.7萬(wàn) 0

聚焦光伏發(fā)電和充電樁 英飛凌碳化硅功率器件開(kāi)發(fā)和應(yīng)用引領(lǐng)同儕

“半導(dǎo)體功率器件的未來(lái)主流將是碳化硅器件，SiC應(yīng)用不會(huì)完全取代IGBT，只是在一些高精尖領(lǐng)域應(yīng)用，有非常大的優(yōu)勢(shì)代替IGBT。” 英飛凌科技（中國(guó)）有...

2018-05-21 標(biāo)簽：英飛凌功率器件SiC 2.4萬(wàn) 0

氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別 氮化鎵芯片國(guó)內(nèi)三巨頭

氮化鎵是目前全球最快功率開(kāi)關(guān)器件之一，氮化鎵本身是第三代的半導(dǎo)體材料，許多特性都比傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體更強(qiáng)。

2023-02-05 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵開(kāi)關(guān)器件 2.4萬(wàn) 0

地?cái)偦鹆耍〖磳⒈l(fā)的電子應(yīng)用和平價(jià)的國(guó)產(chǎn)芯片！

5月28日，在十三屆全國(guó)人大三次會(huì)議記者會(huì)上，李克強(qiáng)總理說(shuō)：兩周前，我看到報(bào)道，西部有個(gè)城市，按照當(dāng)?shù)氐囊?guī)范，設(shè)置了3.6萬(wàn)個(gè)流動(dòng)商販的攤位，結(jié)果一夜之...

2020-06-05 標(biāo)簽：mcu藍(lán)牙芯片功率器件 2.4萬(wàn) 1

什么樣的工程師算成熟？

對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管為開(kāi)關(guān)功率管的電源，還要明白的就是：場(chǎng)效應(yīng)管所生產(chǎn)的損耗90%是在開(kāi)通至關(guān)斷的時(shí)間內(nèi)生產(chǎn)的，因?yàn)殚_(kāi)通與關(guān)斷時(shí)間內(nèi)都有一個(gè)很大的瞬間電阻!

2024-04-03 標(biāo)簽：變壓器場(chǎng)效應(yīng)管功率器件 2.2萬(wàn) 0

打破國(guó)際大廠(chǎng)的壟斷，士蘭微如何在IPM和IGBT領(lǐng)域找準(zhǔn)賽道？

行業(yè)資深從業(yè)者表示，在中國(guó)本土功率器件市場(chǎng)，士蘭微是國(guó)內(nèi)當(dāng)之無(wú)愧的龍頭之一。士蘭微日前發(fā)布了2019年上半年業(yè)績(jī)報(bào)告，小編籍此為大家解讀該公司在功率半導(dǎo)...

2019-09-03 標(biāo)簽：芯片IGBT士蘭微 2.1萬(wàn) 0

MOSFET市場(chǎng)火爆！尚陽(yáng)通如何在功率半導(dǎo)體細(xì)分市場(chǎng)突圍

一家成立僅六年的IC設(shè)計(jì)公司，如何通過(guò)自主創(chuàng)新，在中國(guó)汽車(chē)充電樁領(lǐng)域功率器件高壓超級(jí)結(jié)MOSFET市場(chǎng)獨(dú)占鰲頭，占有率超過(guò)進(jìn)口功率器件。為此，電子發(fā)燒友...

2020-02-21 標(biāo)簽：MOSFET功率器件 1.9萬(wàn) 0

什么是第四代半導(dǎo)體？

第四代半導(dǎo)體我們其實(shí)叫超禁帶半導(dǎo)體，它分兩個(gè)方向，一是超窄禁帶，禁帶寬度（指被束縛的價(jià)電子產(chǎn)生本征激發(fā)所需要的最小能量）在零點(diǎn)幾電子伏特（eV），比超窄...

2022-08-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氧化鎵 1.7萬(wàn) 0

米勒平臺(tái)產(chǎn)生震蕩的原因分析

①在MOS開(kāi)關(guān)過(guò)程中，如果柵極電阻較小，發(fā)生了柵極電壓震蕩，多半是因?yàn)镸OS源極寄生電感太大導(dǎo)致。根據(jù)U=L*di/dt，我們可以知道，柵極電阻小，開(kāi)通...

2022-11-24 標(biāo)簽：IGBTMOS功率器件 1.7萬(wàn) 1

芯片廠(chǎng)商扎堆深耕電機(jī)行業(yè)，BLDC電機(jī)市場(chǎng)未來(lái)可期

2019年11月8日，<電子發(fā)燒友>在《2019電機(jī)控制先進(jìn)技術(shù)研討會(huì)》上，公布了《BLDC電機(jī)行業(yè)市場(chǎng)分析報(bào)告》，在報(bào)告中，分析了整個(gè)BLDC電機(jī)行業(yè)...

2019-11-11 標(biāo)簽：MCU控制器電機(jī) 1.7萬(wàn) 0

第三代化合物半導(dǎo)體SiC及GaN市場(chǎng)及應(yīng)用分析

SiC適合高壓領(lǐng)域，GaN更適用于低壓及高頻領(lǐng)域。

2019-05-04 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)MOSFET功率器件 1.5萬(wàn) 0

SiC需求增長(zhǎng)快于供應(yīng)（內(nèi)附SiC器件主要供應(yīng)商）

寬禁帶半導(dǎo)體材料越來(lái)越受行業(yè)歡迎。在碳化硅（SiC）正處于大力擴(kuò)張之時(shí)，供應(yīng)商都在努力滿(mǎn)足SiC功率器件和硅片市場(chǎng)的潛在需求。 譬如，Cree計(jì)劃投資高...

2019-07-19 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1.4萬(wàn) 0

什么是第三代半導(dǎo)體？哪些行業(yè)“渴望”第三代半導(dǎo)體？

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化之路已經(jīng)走了好多年，受困于技術(shù)和成本等因素，市場(chǎng)一直不溫不火。 但今年的市場(chǎng)形勢(shì)明顯不同，各大半導(dǎo)體元器件企業(yè)紛紛加大了新產(chǎn)品的推廣力...

2020-12-08 標(biāo)簽：電子元器件半導(dǎo)體功率器件 1.4萬(wàn) 0