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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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全球最小65W電源適配器發(fā)布,電源適配器設(shè)計面臨的業(yè)界挑戰(zhàn)?
采用GaN功率器件,除了可以將電源適配器與充電器體積做得更小外,在未來的5G應(yīng)用中的微型基站將對GaN產(chǎn)生大量需求,這些基站對于電源的功率要求很高,而且...
華瑞微半導(dǎo)體IDM芯片項目由南京華瑞微集成電路有限公司總投資30億元建設(shè)
據(jù)南譙區(qū)政府信息,華瑞微半導(dǎo)體IDM芯片項目由南京華瑞微集成電路有限公司總投資30億元建設(shè),是浦口—南譙合作產(chǎn)業(yè)園區(qū)首個落戶項目。這也使得南京浦口與滁州...
第二代半導(dǎo)體材料主要是指化合物半導(dǎo)體材料,如砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb),主要用于制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件(LED),是制作高性...
2021-02-01 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體材料SiC 7958 0
研究團隊開發(fā)了單片集成歧管微通道(mMMC)系統(tǒng)
與SPMC相比,被稱為“嵌入式歧管微通道”(EMMC)的三維冷卻系統(tǒng)在降低泵輸送功率和芯片溫度梯度方面具有巨大的潛力。在嵌入式歧管微通道系統(tǒng)中,這種3D...
2020-09-27 標(biāo)簽:嵌入式功率器件半導(dǎo)體芯片 7854 0
宋仕強關(guān)于薩科微半導(dǎo)體發(fā)展歷程答記者
宋仕強關(guān)于薩科微半導(dǎo)體發(fā)展歷程答記者 受訪對象:薩科微半導(dǎo)體創(chuàng)始人宋仕強先生 采訪主題:薩科微半導(dǎo)體的成長史的幾個問題 近年來,在半導(dǎo)體“國產(chǎn)替代”和解...
GaN下游:功率、射頻市場格局;國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
【核芯觀察】是電子發(fā)燒友編輯部出品的深度系列專欄,目的是用最直觀的方式令讀者盡快理解電子產(chǎn)業(yè)架構(gòu),理清上、中、下游的各個環(huán)節(jié),同時迅速了解各大細(xì)分環(huán)節(jié)中...
解讀變頻器散熱系統(tǒng)的設(shè)計及優(yōu)化
引言 變頻器屬大功率電力電子設(shè)備,內(nèi)部需配備大量功率半導(dǎo)體器件,工作過程中會產(chǎn)生大量熱量。而功率半導(dǎo)體器件屬溫度敏感器件,因結(jié)溫過高導(dǎo)致功率半導(dǎo)體器件燒...
2021-04-21 標(biāo)簽:變頻器功率器件電力電子設(shè)備 7574 0
富士康濟南項目將建設(shè)8寸晶圓廠功率半導(dǎo)體器件
據(jù)介紹,中鐵14局主要負(fù)責(zé)項目的基礎(chǔ)工程、主體工程、裝飾裝修、場區(qū)市政以及安裝工程等,目前項目進場道路已經(jīng)打通,正在進行灰土和面層混凝土施工;降水工程基...
2019-05-06 標(biāo)簽:功率器件SiC半導(dǎo)體器件 7546 0
如何選擇DCDC 升壓-推薦一顆高效率、低EMI、全同步、大功率DCDC
DCDC是系統(tǒng)中非常重要的功率器件,因為讓系統(tǒng)崩盤的總是電源、功放這些功率器件。 市場對功率的要求是越來越大,余量要求越來越足,所以系統(tǒng)的穩(wěn)定性要求就越...
功率器件頂部散熱封裝技術(shù)的優(yōu)勢及普及挑戰(zhàn)
不久前,英飛凌科技股份公司宣布其適用于高壓MOSFET的QDPAK和DDPAK頂部散熱(TSC)封裝技術(shù)正式注冊為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。
瑞薩電子中國董事長真岡朋光:與中國攜手共進 共創(chuàng)未來
真岡董事長在演講中介紹,目前瑞薩電子主要產(chǎn)品包括微控制器(MCU)、片上系統(tǒng)(SoC)、模擬及功率器件等,廣泛應(yīng)用到汽車、工業(yè)、家電、辦公自動化、AI、...
國產(chǎn)氮化鎵芯片動態(tài):合封驅(qū)動、封裝工藝升級雙面散熱
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李誠)自Type-C 2.1與PD 3.1新的標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議發(fā)布之后,氮化鎵再次被推上風(fēng)口。氮化鎵以低損耗、高效率、高功率密度的自身優(yōu)勢...
中國IGBT的技術(shù)水平并不差,政府和企業(yè)缺乏投資IGBT的動力
由于IGBT集MOSFET和GTR的優(yōu)點于一體,具有開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動電路簡單、驅(qū)動電流小、通態(tài)壓降小、耐壓高及承受電流大等優(yōu)點,因此在電機控...
MSP430 系列是一個 16 位的、具有精簡指令集的、超低功耗的混合型單片機,在 1996 年問世,由于它具有極低的功耗、豐富的片內(nèi)外設(shè)和方便靈活...
2019年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)或出現(xiàn)十年來首次負(fù)成長
由于全球政經(jīng)局勢動蕩,2019年第二季全球晶圓代工需求持續(xù)疲弱,各廠營收與去年同期相比普遍下滑,預(yù)估第二季全球晶圓代工總產(chǎn)值將較2018年同期下滑約8%...
碳化硅等第三代半導(dǎo)體迎來政策東風(fēng) 中國擬全面支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
今天政策層面有一個大消息,特大消息,那就是我國擬全面支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將寫入十四五規(guī)劃,利好刺激下半導(dǎo)體、MINILED等科技股全天持續(xù)大...
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