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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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盤點國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè) 碳化硅上市公司龍頭企業(yè)分析
碳化硅概念股有哪些?碳化硅國內(nèi)企業(yè)有哪些?國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)盤點分析:英飛凌以1.39億美元收購初創(chuàng)企業(yè)Siltectra,獲得后者創(chuàng)新技術(shù)ColdS...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)聞泰科技旗下安世半導(dǎo)體近日宣布,計劃投資2億美元研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品,包括SiC和GaN。與此同時,安世半導(dǎo)體的第一...
2024-07-01 標(biāo)簽:功率器件SiC寬禁帶半導(dǎo)體 4.4萬 0
其實筆者想說的是,并不存在十全十美的半導(dǎo)體材料,被業(yè)界選中并廣泛使用的,都是在各個性能指標(biāo)之間的平衡。頻率、功率、耐壓、溫度……就算各個指標(biāo)表現(xiàn)優(yōu)異,還...
VDMOS在2017年的Yole統(tǒng)計報告當(dāng)中,市場空間有60億美元,這里面大部分是40v以下的設(shè)備。從市場份額來看,我們關(guān)心的是汽車電子,不管是增長率和...
功率半導(dǎo)體器件種類眾多。 功率半導(dǎo)體根據(jù)載流子類型可分為雙極型與單極型功率半導(dǎo)體。雙極型功率半導(dǎo)體包括功率二極管、雙極結(jié)型晶體管(Bipolar Jun...
中國芯片產(chǎn)業(yè)與美國的技術(shù)差距,華為對美國芯片的依賴
華為目前的兩大業(yè)務(wù)分別是通信設(shè)備和手機業(yè)務(wù),這兩大業(yè)務(wù)的模擬芯片均主要來自于歐美企業(yè),其中對美國模擬芯片企業(yè)博通和ADI的依賴性最大,而且相信在未來的十...
硅材料是一種產(chǎn)量最大、應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料,主要以功率器件、微波器件為應(yīng)用和發(fā)展方向,一般用在各類半導(dǎo)體器件上的應(yīng)用。 硅材料的分類: 按純度分:工業(yè)硅...
聚焦光伏發(fā)電和充電樁 英飛凌碳化硅功率器件開發(fā)和應(yīng)用引領(lǐng)同儕
“半導(dǎo)體功率器件的未來主流將是碳化硅器件,SiC應(yīng)用不會完全取代IGBT,只是在一些高精尖領(lǐng)域應(yīng)用,有非常大的優(yōu)勢代替IGBT?!?英飛凌科技(中國)有...
氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別 氮化鎵芯片國內(nèi)三巨頭
氮化鎵是目前全球最快功率開關(guān)器件之一,氮化鎵本身是第三代的半導(dǎo)體材料,許多特性都比傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體更強。
2023-02-05 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵開關(guān)器件 2.4萬 0
地攤火了!即將爆發(fā)的電子應(yīng)用和平價的國產(chǎn)芯片!
5月28日,在十三屆全國人大三次會議記者會上,李克強總理說:兩周前,我看到報道,西部有個城市,按照當(dāng)?shù)氐囊?guī)范,設(shè)置了3.6萬個流動商販的攤位,結(jié)果一夜之...
對于場效應(yīng)管為開關(guān)功率管的電源,還要明白的就是:場效應(yīng)管所生產(chǎn)的損耗90%是在開通至關(guān)斷的時間內(nèi)生產(chǎn)的,因為開通與關(guān)斷時間內(nèi)都有一個很大的瞬間電阻!
2024-04-03 標(biāo)簽:變壓器場效應(yīng)管功率器件 2.2萬 0
打破國際大廠的壟斷,士蘭微如何在IPM和IGBT領(lǐng)域找準(zhǔn)賽道?
行業(yè)資深從業(yè)者表示,在中國本土功率器件市場,士蘭微是國內(nèi)當(dāng)之無愧的龍頭之一。士蘭微日前發(fā)布了2019年上半年業(yè)績報告,小編籍此為大家解讀該公司在功率半導(dǎo)...
MOSFET市場火爆!尚陽通如何在功率半導(dǎo)體細分市場突圍
一家成立僅六年的IC設(shè)計公司,如何通過自主創(chuàng)新,在中國汽車充電樁領(lǐng)域功率器件高壓超級結(jié)MOSFET市場獨占鰲頭,占有率超過進口功率器件。為此,電子發(fā)燒友...
第四代半導(dǎo)體我們其實叫超禁帶半導(dǎo)體,它分兩個方向,一是超窄禁帶,禁帶寬度(指被束縛的價電子產(chǎn)生本征激發(fā)所需要的最小能量)在零點幾電子伏特(eV),比超窄...
①在MOS開關(guān)過程中,如果柵極電阻較小,發(fā)生了柵極電壓震蕩,多半是因為MOS源極寄生電感太大導(dǎo)致。根據(jù)U=L*di/dt,我們可以知道,柵極電阻小,開通...
2019年11月8日,<電子發(fā)燒友>在《2019電機控制先進技術(shù)研討會》上,公布了《BLDC電機行業(yè)市場分析報告》,在報告中,分析了整個BLDC電機行業(yè)...
第三代化合物半導(dǎo)體SiC及GaN市場及應(yīng)用分析
SiC適合高壓領(lǐng)域,GaN更適用于低壓及高頻領(lǐng)域。
SiC需求增長快于供應(yīng)(內(nèi)附SiC器件主要供應(yīng)商)
寬禁帶半導(dǎo)體材料越來越受行業(yè)歡迎。在碳化硅(SiC)正處于大力擴張之時,供應(yīng)商都在努力滿足SiC功率器件和硅片市場的潛在需求。 譬如,Cree計劃投資高...
功率半導(dǎo)體有功率器件和功率IC,功率器件又包含二極管、晶體管和晶閘管,其中晶體管又可根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域和制程可劃分為絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)、MOSF...
2023-02-03 標(biāo)簽:IGBT功率器件功率半導(dǎo)體 1.4萬 0
什么是第三代半導(dǎo)體?哪些行業(yè)“渴望”第三代半導(dǎo)體?
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化之路已經(jīng)走了好多年,受困于技術(shù)和成本等因素,市場一直不溫不火。 但今年的市場形勢明顯不同,各大半導(dǎo)體元器件企業(yè)紛紛加大了新產(chǎn)品的推廣力...
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