射頻功率器件的熱管理

射頻功率電路的熱管理本質(zhì)上包括從電路的元件和敏感區(qū)域去除多余的熱量，以保證在所有操作條件下的最佳性能并避免電路退化或故障。

2022-07-29 標(biāo)簽：射頻電路板功率器件 1003 0

車規(guī)功率器件市場(chǎng)國(guó)內(nèi)主要玩家

（文/程文智）根據(jù)乘聯(lián)會(huì)的統(tǒng)計(jì)，6月份新能源汽車零售量53.2萬(wàn)輛，同比增長(zhǎng)187%，滲透率達(dá)到了27.4%，預(yù)計(jì)2022年中國(guó)新能源汽車出貨量可達(dá)58...

2022-07-28 標(biāo)簽：功率器件 3319 0

國(guó)產(chǎn)的車規(guī)級(jí)功率器件有哪些廠商可以提供

據(jù)市場(chǎng)反饋，應(yīng)用于高壓的超結(jié)MOSFET和IGBT需求旺盛，安森美已經(jīng)停止了車用IGBT的接單，英飛凌、ST等IGBT交期超過(guò)了一年。根據(jù)富昌電子202...

2022-07-28 標(biāo)簽：新能源汽車控制器功率器件 4439 0

功率器件模塊封裝結(jié)構(gòu)演進(jìn)趨勢(shì)

直接導(dǎo)線鍵合結(jié)構(gòu)最大的特點(diǎn)就是利用焊料，將銅導(dǎo)線與芯片表面直接連接在一起，相對(duì)引線鍵合技術(shù)，該技術(shù)使用的銅導(dǎo)線可有效降低寄生電感，同時(shí)由于銅導(dǎo)線與芯片表...

2022-07-27 標(biāo)簽：封裝技術(shù)功率器件 3281 0

基于GaN功率器件的大功率和高功率密度EV逆變器

提高功率密度的路線圖從降低傳導(dǎo)動(dòng)態(tài)損耗開(kāi)始。與碳化硅相比，氮化鎵可以顯著降低動(dòng)態(tài)損耗，因此可以降低整體損耗。因此，這是未來(lái)實(shí)現(xiàn)高功率密度的一種方法。

2022-07-26 標(biāo)簽：逆變器功率器件GaN 827 0

GaN在手機(jī)上有什么用

我們知道，GaN在充電器等應(yīng)用上，主要是通過(guò)GaN材料的特性，使得使用GaN材料的功率開(kāi)關(guān)器件在開(kāi)關(guān)頻率、開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗等相比硅MOSFET有明顯優(yōu)...

2022-07-25 標(biāo)簽：充電器功率器件GaN 1619 0

SiC MOSFET的廠商現(xiàn)狀以及產(chǎn)品差別

隨著新能源市場(chǎng)的爆發(fā)，電動(dòng)汽車、光伏、儲(chǔ)能等下游應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下，碳化硅功率器件迎來(lái)了新一輪增長(zhǎng)期。特別是電動(dòng)汽車上SiC MOSFET的大規(guī)模應(yīng)用后，在近幾...

2022-07-25 標(biāo)簽：功率器件SiC MOSFET 1634 0

一種高功率PCB熱管理的方法?

整個(gè)電力電子行業(yè)，包括射頻應(yīng)用和涉及高速信號(hào)的系統(tǒng)，都在朝著在越來(lái)越小的空間內(nèi)提供越來(lái)越復(fù)雜的功能的解決方案發(fā)展。設(shè)計(jì)人員在滿足系統(tǒng)尺寸、重量和功率要求...

2022-07-25 標(biāo)簽：pcb電路板功率器件 603 0

GaN技術(shù)滿足有線電視提供商及客戶對(duì)容量的需求

有線電視提供商在升級(jí)網(wǎng)絡(luò)時(shí)要把握好分寸。他們需要在不降低性能和可靠性的情況下，滿足客戶對(duì)容量的需求。很多提供商借助 GaN 技術(shù)來(lái)保持平衡，原因如下。

2022-07-21 標(biāo)簽：放大器有線電視功率器件 1768 0

第三代半導(dǎo)體或?qū)⒂瓉?lái)發(fā)展浪潮

據(jù)統(tǒng)計(jì)，目前國(guó)內(nèi)以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體主要制造商已達(dá)147家。

2022-07-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1997 0

GaN射頻應(yīng)用優(yōu)勢(shì)明顯，功率玩家厚積薄發(fā)

GaN中游我們可以將其分為器件設(shè) 計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試三個(gè)部分。 作為化合物半導(dǎo)體的一類，與SiC類似，全球產(chǎn)能普遍集中在IDM廠商上，不過(guò)相比于Si...

2022-07-18 標(biāo)簽：射頻功率器件GaN 5334 0

功率器件靜態(tài)參數(shù)系統(tǒng)測(cè)試項(xiàng)目和指標(biāo)

PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)...

2022-07-14 標(biāo)簽：系統(tǒng)測(cè)試功率器件 2255 0

中芯集成科創(chuàng)板IPO成功獲受理

本次IPO保薦機(jī)構(gòu)為海通證券，擬公開(kāi)發(fā)行股票16.92億股，募集125億元的資金，擴(kuò)展現(xiàn)有的MEMS和功率器件生產(chǎn)線，新建月產(chǎn)7萬(wàn)片的硅基8英寸晶圓加工...

2022-07-13 標(biāo)簽：mems晶圓功率器件 2061 0