美高森美新型較大功率和較高電壓MOSFET器件 瞄準(zhǔn)RF和寬帶通信應(yīng)用

致力于提供功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司宣布擴(kuò)展高頻率垂直擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（VDMOS） MOSFET產(chǎn)品系列，...

2013-09-16 標(biāo)簽：MOSFETRF功率器件 1004 0

解讀：為什么國(guó)外IC業(yè)者“霸占”中國(guó)市場(chǎng)？

為什么中國(guó)IC業(yè)約約75%的市場(chǎng)被國(guó)外IC供應(yīng)商占據(jù)，特別是在一些高端芯片商基本依賴進(jìn)口？為什么國(guó)內(nèi)外IC設(shè)計(jì)廠商差距如此之大？為什么中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)苦...

2013-08-16 標(biāo)簽：傳感器ICSoC 2967 0

富士通半導(dǎo)體推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品

今天，富士通半導(dǎo)體宣布推出基于硅襯底的氮化鎵（GaN）功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150V。用戶可設(shè)計(jì)出體積更小、效率更高電源組件，可廣...

2013-07-23 標(biāo)簽：功率器件GaN 1278 0

PV逆變器應(yīng)用升溫，推動(dòng)SiC功率元件發(fā)展

　碳化硅（SiC）功率元件正快速在太陽(yáng)能（PV）逆變器應(yīng)用市場(chǎng)攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性，不僅可較傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體，提供更高的電源轉(zhuǎn)換效...

2013-06-25 標(biāo)簽：逆變器功率器件SiC 1911 0

Vishay在2013中國(guó)電子展成都站將展出其最新的業(yè)界領(lǐng)先技術(shù)

日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，將在6月20至22日成都世紀(jì)城新國(guó)際會(huì)展中心舉行的20...

2013-06-17 標(biāo)簽：Vishay功率器件 594 0

Vishay大幅擴(kuò)充E系列650V N溝道功率MOSFET家族

新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級(jí)結(jié)技術(shù)，導(dǎo)通電阻低至30m?、電流達(dá)6A～105A，在8種封裝中實(shí)現(xiàn)低FOM和高功率密度。

2013-06-04 標(biāo)簽：MOSFETVishay功率器件 1278 0

英國(guó)為恩智浦提供200萬(wàn)英鎊氮化鎵發(fā)展資金

英國(guó)財(cái)政部秘書(shū)長(zhǎng)丹尼歷山大宣布為恩智浦（NXP）英國(guó)分公司提供200萬(wàn)英鎊，以促進(jìn)氮化鎵（GaN）器件的發(fā)展。GaN器件比傳統(tǒng)硅器件高效，因此很可能成為...

2013-06-03 標(biāo)簽：恩智浦功率器件氮化鎵 825 0

全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)再度走低，2012比上年下降11.5%

　日本市場(chǎng)調(diào)查公司矢野經(jīng)濟(jì)研究所的調(diào)查顯示，按照廠商的供貨金額計(jì)算，2012年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為135.12億美元，比上年減少11.5％。功率半導(dǎo)...

2013-05-21 標(biāo)簽：功率器件功率半導(dǎo)體 973 0

英飛凌推出采用突破性超結(jié)技術(shù)的CoolMOS C7

英飛凌科技股份公司（FSE代碼： IFX / OTCQX代碼： IFNNY）進(jìn)一步壯大其高壓產(chǎn)品組合，推出采用全新650V超結(jié)MOSFET技術(shù)的Cool...

2013-05-20 標(biāo)簽：英飛凌功率器件CoolMOS C7 2861 0

意法最新拆分重組戰(zhàn)略：移動(dòng)處理器合資失敗

鑒于即將退出意法愛(ài)立信（ST-Ericsson）——在移動(dòng)處理器方面合資失敗的一家公司，位于瑞士日內(nèi)瓦的歐洲最大芯片公司意法微電子5月16日向財(cái)務(wù)分析師...

2013-05-20 標(biāo)簽：微控制器傳感器移動(dòng)處理器 654 0

IR開(kāi)始商業(yè)裝運(yùn)氮化鎵器件

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 近日宣布已經(jīng)為一套家庭影院系統(tǒng)測(cè)試并裝運(yùn)...

2013-05-14 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵IR公司 1084 0

Vishay Siliconix發(fā)布新款N溝道TrenchFET功率MOSFET-SiR872ADP

日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布新款采用熱增強(qiáng)型PowerPAK? SO-8封裝的...

2013-04-23 標(biāo)簽：MOSFETVishay功率器件 2615 0

英飛凌推出采用創(chuàng)新芯片嵌入式封裝技術(shù)的新一代DrMOS器件DrBlade

英飛凌近日在2013應(yīng)用電力電子會(huì)議暨展覽會(huì)（APEC）中宣布推出DrBlade：全球第一款采用創(chuàng)新芯片嵌入式封裝技術(shù)的集成式器件，它集成了DC/DC ...

2013-03-27 標(biāo)簽：英飛凌功率器件DrBlade 1482 0

科普混合動(dòng)力車中大功率元件的五大要素

混合動(dòng)力車設(shè)計(jì)過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)各種各樣的功率器件問(wèn)題，如更高效、更出色載流能力等等，本文著重如何解決這方面的問(wèn)題。

2013-03-15 標(biāo)簽：混合動(dòng)力車功率器件 1664 0

恩智浦發(fā)布采用LFPAK56封裝的汽車功率MOSFET

恩智浦半導(dǎo)體近日推出54款符合汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)并采用LFPAK56封裝的全新MOSFET——是目前市場(chǎng)上最全的Power-SO8 MOSFET產(chǎn)品組合。恩智...

2013-03-08 標(biāo)簽：MOSFET恩智浦功率器件 3248 0

英飛凌選用漢高新型導(dǎo)熱膏——導(dǎo)熱性能更出色的TIM

功率半導(dǎo)體的功率密度日益提高，因此，必須早在其設(shè)計(jì)階段就將散熱管理功能集成到當(dāng)今的功率半導(dǎo)體中。只有這樣，它們才能確保實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期的可靠散熱。其中一個(gè)技術(shù)瓶...

2013-02-26 標(biāo)簽：英飛凌散熱器功率器件 2023 0

應(yīng)用日漸增多，超結(jié)MOSFET前景一片看好

Yole Developpement 指出，SJ MOSFET技術(shù)市場(chǎng)有2/3皆應(yīng)用于消費(fèi)型產(chǎn)品，像是桌上型電腦或是游戲機(jī)的電源供應(yīng)器，雖然這些產(chǎn)品的市...

2013-02-26 標(biāo)簽：MOSFET功率器件 2163 0

300nm晶圓首次用于制造功率器件，英飛凌推出超結(jié)MOSFET

英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導(dǎo)體。具體產(chǎn)品是有超結(jié)（Super Junction）構(gòu)造的功率MOSFET“CoolM...

2013-02-25 標(biāo)簽：MOSFET晶圓功率器件 1954 0