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標(biāo)簽 > 功率開關(guān)器件
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TRINNO特瑞諾 TGAN25N120ND N溝槽IGBT:感應(yīng)加熱和軟開關(guān)領(lǐng)域新標(biāo)桿
在現(xiàn)代電力電子行業(yè)中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為一種高效的功率開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于各類電力轉(zhuǎn)換設(shè)備。TRINNO(特瑞諾)旗下的TGAN25N1...
2025-03-13 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率開關(guān)器件 482 0
GD3162柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析:提供動(dòng)態(tài)柵極強(qiáng)度控制,提升EV牽引逆變器性能
作為汽車電動(dòng)牽引逆變器柵極驅(qū)動(dòng)器的領(lǐng)先供應(yīng)商之一,恩智浦不斷推動(dòng)逆變器效率、功能安全和汽車性能的提升。恩智浦發(fā)布的GD3162具有動(dòng)態(tài)柵極驅(qū)動(dòng)功能,能夠...
2024-12-06 標(biāo)簽:恩智浦Ev柵極驅(qū)動(dòng)器 2010 0
移相全橋是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率轉(zhuǎn)換器,具有高效率、高功率密度和良好的電磁兼容性等優(yōu)點(diǎn)。然而,移相全橋在大功率應(yīng)用中存在一些局限性,限制了其在...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的功率開關(guān)器件。選型時(shí)需要考慮多種因素,以確保MOSFET的性能滿足特定應(yīng)用的需求...
2024-07-11 標(biāo)簽:MOS管場效應(yīng)晶體管電子電路 1430 0
單相全橋逆變電路移相調(diào)壓方式的工作原理? 單相全橋逆變器的模式
單相全橋逆變電路是一種將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的電力電子設(shè)備,廣泛應(yīng)用于各種電力系統(tǒng)和電力設(shè)備中。在單相全橋逆變電路中,移相調(diào)壓方式是一種常用的控制方式...
2024-07-08 標(biāo)簽:電子設(shè)備電力設(shè)備功率開關(guān)器件 5861 0
逆變電路有哪些類型?其最基本的應(yīng)用領(lǐng)域有哪些
逆變電路是一種將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的電子電路。它廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域,如電力系統(tǒng)、通信、工業(yè)控制、家用電器等。本文將介紹逆變電路的類型及其應(yīng)用領(lǐng)域。 一、...
IGBT(Insulated-gate bipolar transistor)是一種高性能功率開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于電力變換和控制領(lǐng)域。它是一種結(jié)合了易于...
逆變電路中的功率開關(guān)器件是實(shí)現(xiàn)直流電轉(zhuǎn)換為交流電的關(guān)鍵元件,其主要作用是在控制信號的作用下,將直流電源輸出的電能轉(zhuǎn)換為交流電能。在逆變電路中,功率開關(guān)器...
2023-12-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體逆變電路功率開關(guān)器件 2612 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)和IGCT(Integrated Gate Commutated Thyr...
晶閘管作為一種功率開關(guān)器件,因其與繼電器相比有無觸點(diǎn)、使用壽命長的優(yōu)點(diǎn),常替代繼電器用于大功率電路控制中
簡單分析一下五段式SVPWM和七段式SVPWM的不同點(diǎn)
SVPWM的實(shí)現(xiàn)在前期的文章中已經(jīng)詳細(xì)地介紹過了,這里就不再闡述?,F(xiàn)在主要說說五段式SVPWM和七段式SVPWM的實(shí)現(xiàn)的區(qū)別。
2023-03-07 標(biāo)簽:dspSVPWM仿真系統(tǒng) 1.4萬 0
功率開關(guān)器件的規(guī)格書上有著多種多樣的數(shù)據(jù),如靜態(tài)特性參數(shù),動(dòng)態(tài)特性參數(shù),開關(guān)特性參數(shù)等等。其中靜態(tài)特性參數(shù)大多數(shù)可以通過靜態(tài)參數(shù)一體化測試機(jī)或者源表等設(shè)...
關(guān)鍵要點(diǎn)?除了測量位置之外,探頭的安裝位置也很重要。?如果不慎將電壓探頭安裝在磁通量急劇變化的空間內(nèi),就會(huì)受到磁通量變化的影響,而體現(xiàn)在觀測波形上。
雙脈沖測試(Double Pulse Test)是分析功率開關(guān)器件動(dòng)態(tài)特性的常用測試,通過雙脈沖測試可以便捷的評估功率器件的性能,獲得穩(wěn)態(tài)和動(dòng)態(tài)過程中的...
2022-11-04 標(biāo)簽:MOSFET脈沖測試功率開關(guān)器件 4720 0
使用功率開關(guān)器件如何選擇驅(qū)動(dòng)芯片
使用功率開關(guān)器件的工程師們肯定都有選擇驅(qū)動(dòng)芯片的經(jīng)歷。面對標(biāo)稱各種電流能力的驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品時(shí),往往感覺選擇非常困惑。特別是在成本壓力之下,總希望選擇一個(gè)剛好夠...
2022-04-28 標(biāo)簽:電阻驅(qū)動(dòng)芯片功率開關(guān)器件 2882 0
PWM DC/DC轉(zhuǎn)換器功率開關(guān)器件的對偶
半導(dǎo)體開關(guān)器件是有極性的,因此在用開通與關(guān)斷互為對偶這一基本原則,以決定開關(guān)管或開關(guān)二極管的對偶器件時(shí),要注意它們的極性。當(dāng)然,二極管的對偶器件還是二極...
2014-07-31 標(biāo)簽:DC/DCPWM功率開關(guān)器件 2016 0
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