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標簽 > 功率開關(guān)

功率開關(guān)

+關(guān)注1人關(guān)注

功率開關(guān),它在通過絕緣氣體充滿的殼體中具有至少一個沿著縱軸線延伸的且基本徑向?qū)ΨQ安裝的、包括至少兩個功率觸點和一個配屬于功率觸點的電弧室的滅弧室,其中所述電弧室與至少一個具有排氣容積的排氣裝置處于功能連接,該排氣裝置用于冷卻在斷開時產(chǎn)生的熱氣,并且排氣裝置與滅弧室容積連接。

文章:99 瀏覽:26501 帖子:13

功率開關(guān)技術(shù)

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2020-03-15 標簽:功率開關(guān)電源電壓電荷泵 1.0萬 0

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2023-07-26 標簽:電力電子器件功率轉(zhuǎn)換功率開關(guān) 9206 0

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這里介紹的手摸式自動出水龍頭,與普通水龍頭比較,具有使用方便、靈敏、衛(wèi)生、可靠的優(yōu)點,缺點是水量大小不能控制。由于該開關(guān)是完全密封的,因此在北方的冬季可...

2019-02-07 標簽:功率開關(guān)電磁閥觸摸 7620 0

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效率的評估結(jié)果曲線圖中,給出了三種輸入電壓的效率和輸出功率、各輸入引腳的效率和輸出電流。

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2023-11-02 標簽:半導體功率開關(guān)氮化鎵 6136 0

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本文研究具有背靠背MOSFET的理想二極管以及其他更先進的器件。文中還介紹了一種集成多種功能以提供整體系統(tǒng)保護的理想二極管解決方案。二極管是非常有用的器...

2024-01-07 標簽:二極管MOSFET控制器 5979 0

SiC/GaN功率開關(guān)完整的系統(tǒng)解決方案

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驅(qū)動 SiC/GaN 功率開關(guān)需要設(shè)計一個完整的 IC 生態(tài)系統(tǒng),這些 IC 經(jīng)過精密調(diào)整,彼此配合。于是這里的設(shè)計重點不再只是以開關(guān)為中心……

2018-06-22 標簽:功率開關(guān)SiCGaN 5511 0

采用東芝DTMOSIV超級結(jié)MOSFET來解決這些問題

功率開關(guān)應用電路的基本元件主要有MOSFET和快速恢復二極管。MOSFET和恢復二極管對于采用全橋或零電壓開關(guān)/相移拓撲的電信和服務器電源、全橋電機控制...

2018-04-08 標簽:MOSFET東芝功率開關(guān) 5111 0

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GaN功率開關(guān)、組件及對EMI產(chǎn)生造成怎樣的影響

為了評估這些GaN組件,Sandler安排我來測試一些評估板。一塊我選擇測試的是Efficient Power Conversion的半橋(Half-...

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損耗是MOSFET的Qg乘以驅(qū)動器電壓和開關(guān)頻率的值。Qg請參考所使用的MOSFET的技術(shù)規(guī)格書。驅(qū)動器電壓或者實測,或者參考IC的技術(shù)規(guī)格書。

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一文詳解功率半導體

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功率半導體器件或模塊是電機控制器的心臟。電機控制器、電機和減速器一起組 成電動汽車的電力驅(qū)動總成。

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GaN和SiC器件將成為功率轉(zhuǎn)換應用中的新型解決方案

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基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升,超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。

2019-01-05 標簽:功率開關(guān)柵極驅(qū)動器 4143 0

五大開關(guān)電源EMI設(shè)計經(jīng)驗總結(jié)

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2017-07-18 標簽:開關(guān)電源EMI功率開關(guān) 3545 1

MAX15066高效、4A、降壓型DC-DC調(diào)節(jié)器,內(nèi)置功率開關(guān)

MAX15066高效、4A、降壓型DC-DC調(diào)節(jié)器,內(nèi)置功率開關(guān)

MAX15066電流模式、同步整流、降壓型DC-DC調(diào)節(jié)器能夠以極高的效率提供高達4A輸出電流。MAX15066工作在4.5V至16V輸入電壓,可調(diào)輸出...

2013-05-16 標簽:功率開關(guān)DC-DC調(diào)節(jié)器MAX15066 2668 0

什么是窄脈沖現(xiàn)象?

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IGBT作為一種功率開關(guān),從門級信號到器件開關(guān)過程需要一定反應時間,就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣,過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。

2023-02-07 標簽:電壓功率開關(guān)IGBT 2385 0

探討功率開關(guān)各部位傳導損耗計算方法

探討功率開關(guān)各部位傳導損耗計算方法

在實際的計算中重要的是:導通電阻的值根據(jù)Io值中的導通電阻來計算。一般情況下在MOSFET的技術(shù)規(guī)格書中會給出導通電阻RDS(ON)和IDS的曲線圖,可...

2020-04-05 標簽:二極管MOSFET功率開關(guān) 2233 0

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    IOT
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    SDK
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    +關(guān)注
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