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標(biāo)簽 > 功率轉(zhuǎn)換

功率轉(zhuǎn)換

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功率轉(zhuǎn)換技術(shù)

詳細(xì)剖析新型氮化鎵功率器件的技術(shù)特性

最近,麻省理工學(xué)院(MIT)、半導(dǎo)體公司IQE、哥倫比亞大學(xué)、IBM以及新加坡MIT研究與技術(shù)聯(lián)盟的科研人員展示出一項(xiàng)新型設(shè)計(jì),讓氮化鎵功率器件處理的電...

2018-01-04 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換晶體管氮化鎵 1.2萬 0

功率半導(dǎo)體的知識(shí)總結(jié)(MOSFET/IGBT/功率電子器件/半導(dǎo)體分立器件)

功率半導(dǎo)體的知識(shí)總結(jié)(MOSFET/IGBT/功率電子器件/半導(dǎo)體分立器件)

功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件(含模塊)以及功率 IC 等。其中,功率半導(dǎo)體分立器件,按照器件結(jié)構(gòu)劃分,可分為二極管、晶閘管和晶體管等。

2023-07-26 標(biāo)簽:電力電子器件功率轉(zhuǎn)換功率開關(guān) 9619 0

普通充電器 vs 氮化鎵充電器區(qū)別

普通充電器 vs 氮化鎵充電器區(qū)別

當(dāng)前流行的主流充電器和電源頭都是采用“開關(guān)型”的電源模式,其核心的輸出效率和負(fù)載能力(輸出電流大小,恒壓)瓶頸就在內(nèi)部集成的開關(guān)管的頻率。

2024-03-18 標(biāo)簽:充電器功率轉(zhuǎn)換氮化鎵 7950 0

雙管正激的工作原理、特點(diǎn)及應(yīng)用

雙管正激(Dual-Active Bridge,簡稱DAB)是一種雙向功率轉(zhuǎn)換技術(shù),廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域,如無線能量傳輸、電池充電器、電動(dòng)汽車充電器等...

2024-08-02 標(biāo)簽:充電器功率轉(zhuǎn)換電力電子 5002 0

Vicor創(chuàng)新電源成就您的設(shè)計(jì)!

電路板空間太窄, 電源架構(gòu)太佔(zhàn)位置….您正在為這些問題而煩惱嗎 ? 我們擁有跨越三代的電源設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn), 善於解決各設(shè)計(jì)難題. Vicor以創(chuàng)新的功率架...

2018-06-19 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換電源系統(tǒng) 4985 0

淺談?wù)?平滑后以開關(guān)DC/DC轉(zhuǎn)換原理

淺談?wù)?平滑后以開關(guān)DC/DC轉(zhuǎn)換原理

使用開關(guān)元件的AC/DC轉(zhuǎn)換方式如圖5所示。 開關(guān)方式為一開始先用橋式二極器,整流100VAC。變壓器方式,會(huì)先利用變壓器降低AC/AC電壓,但開關(guān)方式...

2021-04-08 標(biāo)簽:變壓器電容器二極管 4217 0

相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升:PSFB電路的基本工作

相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升:PSFB電路的基本工作

PSFB電路中的ZVS工作成立條件是:當(dāng)組成開關(guān)的MOSFET的輸出電容COSS放電且正向電流流過Body Diode時(shí),使該MOSFET導(dǎo)通。 圖中顯...

2023-02-13 標(biāo)簽:電路功率轉(zhuǎn)換全橋電路 2852 0

用于三相功率轉(zhuǎn)換的橋式拓?fù)涞腟iC MOSFET

用于三相功率轉(zhuǎn)換的橋式拓?fù)涞腟iC MOSFET

效率、生產(chǎn)力和立法是當(dāng)今電力應(yīng)用的主要市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)力。利用更少的能源生產(chǎn)更多的產(chǎn)品,節(jié)約能源成本,更加關(guān)注更好的轉(zhuǎn)換效率和更小、更輕的系統(tǒng)。 在這方面,功率...

2024-04-29 標(biāo)簽:三相功率轉(zhuǎn)換SiC 2811 0

微型逆變器和普通逆變器的區(qū)別是什么

微型逆變器和普通逆變器是兩種不同類型的逆變器,它們?cè)诠ぷ髟?、?yīng)用場(chǎng)景、性能特點(diǎn)等方面存在一些區(qū)別。以下是對(duì)這兩種逆變器的比較: 定義和工作原理 微型逆...

2024-08-15 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換發(fā)電機(jī)太陽能光伏 2771 0

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功率轉(zhuǎn)換資訊

H型雙極模式PWM控制的功率轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)

H型雙極模式PWM控制的功率轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)

  H型雙極模式PWM控制提高轉(zhuǎn)臺(tái)伺服系統(tǒng)低速特性的作用十分顯著,而且簡單易行。H型雙極模式PWM控制能夠提高伺服系統(tǒng)的低速特性,是因?yàn)镠型雙極模式PW...

2010-09-11 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換PWM控制 5986 0

使用這些探測(cè)小貼士來改善功率轉(zhuǎn)換測(cè)試

功率轉(zhuǎn)換器的每個(gè)部分幾乎都存在損耗源,關(guān)鍵區(qū)域的性能即使只改進(jìn)了幾個(gè)百分點(diǎn),可能也會(huì)意義重大。為了準(zhǔn)確評(píng)估和測(cè)量這么小的性能提高,異常準(zhǔn)確的測(cè)量至關(guān)重要...

2018-02-15 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換探頭 3652 0

小技巧 改善測(cè)試的三個(gè)探測(cè)

小技巧 改善測(cè)試的三個(gè)探測(cè)

Wilson Lee,泰克科技公司 今天的電源設(shè)計(jì)人員和測(cè)試工程師都在努力尋找非常小的漸進(jìn)改良方案,來提高功率轉(zhuǎn)換效率,或降低設(shè)計(jì)中的損耗。這要求能夠準(zhǔn)...

2017-11-09 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換 3417 0

功率轉(zhuǎn)換拓樸架構(gòu)及EMI噪聲

功率轉(zhuǎn)換拓樸架構(gòu)及EMI噪聲

所有的電子設(shè)備都是以直流電供電的,通常是經(jīng)過 AC 整流。再由 DC-DC 轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)壓,轉(zhuǎn)到負(fù)載所需的電壓。

2012-03-23 標(biāo)簽:EMI拓樸架構(gòu)功率轉(zhuǎn)換 1728 0

功率轉(zhuǎn)換電路

功率轉(zhuǎn)換電路

功率轉(zhuǎn)換電路原理圖

2008-11-03 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換 1587 0

銳成芯微榮獲2023“中國芯”優(yōu)秀支撐服務(wù)產(chǎn)品獎(jiǎng)

作為國內(nèi)平臺(tái)級(jí)IP方案提供商,銳成芯微的存儲(chǔ)、模擬/數(shù)模混合IP產(chǎn)品憑借自主的技術(shù)創(chuàng)新與專業(yè)的產(chǎn)品服務(wù),以賦能應(yīng)用生態(tài)場(chǎng)景的卓越表現(xiàn),在本屆眾多申請(qǐng)中脫...

2023-09-21 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換微處理器銳成芯微 1380 0

快捷半導(dǎo)體的碳化硅解決方案提高功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的可靠度

致力于實(shí)現(xiàn)更高功率密度,符合嚴(yán)格的效能法規(guī)及系統(tǒng)正常工作時(shí)間需求,工業(yè)應(yīng)用及電力電子設(shè)計(jì)者在其設(shè)計(jì)中面臨不斷降低功率損耗及提高效率方面的挑戰(zhàn)。 然而,在...

2012-11-21 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換碳化硅快捷半導(dǎo)體 1332 0

儲(chǔ)能PCS安裝注意事項(xiàng)

儲(chǔ)能系統(tǒng)(Energy Storage System, ESS)中的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)(Power Conversion System, PCS)是連接電池儲(chǔ)...

2024-10-30 標(biāo)簽:電網(wǎng)功率轉(zhuǎn)換儲(chǔ)能 1306 0

飛兆半導(dǎo)體發(fā)布適合功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的碳化硅(SiC)技術(shù)方案

全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor) 發(fā)布了非常適合功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的碳化硅(SiC...

2012-11-22 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體功率轉(zhuǎn)換碳化硅 1241 0

高電流功率轉(zhuǎn)換解決方案

高電流功率轉(zhuǎn)換解決方案

高電流功率轉(zhuǎn)換解決方案 在電壓不斷降低的情況下增加輸出電流 這個(gè)日益高漲的要求將繼續(xù)對(duì)電源開發(fā)起到推動(dòng)作用。該領(lǐng)域的進(jìn)步大多歸功于功

2009-12-14 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換 1126 0

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    CC2541
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TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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