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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體制造
半導(dǎo)體制造,是用于制造半導(dǎo)體器件的過程,通常是日常電氣和電子設(shè)備中使用的集成電路(IC)芯片中使用的金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)器件。
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UCIe技術(shù):實現(xiàn)Chiplets封裝集成的動機
實現(xiàn)Chiplets封裝集成的動機有很多。為了滿足不斷增長的性能需求,芯片面積不斷增加,有些設(shè)計甚至?xí)鲅谀0婷娣e的限制,比如具有數(shù)百個核心的多核 C...
2022-07-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體制造3D封裝chiplet 1088 0
傳統(tǒng)驅(qū)動過程的問題在于它只允許噴射稀薄的墨水,然后由于它們的高流體含量而被壓平在基材上。驅(qū)動的液滴不小于噴射它們的噴嘴的尺寸。這種傳統(tǒng)的推動概念在物理上...
2022-05-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體制造3D打印 2615 0
在晶圓上完成電路圖的光刻后,就要用刻蝕工藝來去除任何多余的氧化膜且只留下半導(dǎo)體電路圖。要做到這一點需要利用液體、氣體或等離子體來去除選定的多余部分。
2021-07-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓半導(dǎo)體制造 1.4萬 0
實現(xiàn)具有更高擊穿電壓和更低待機電流的離線輔助PSU電源裝置
隨著半導(dǎo)體制造工藝向更高集成度和更穩(wěn)健方向發(fā)展,這一總趨勢使得器件制造商能夠開發(fā)出單芯片解決方案來實現(xiàn)離線功率轉(zhuǎn)換。
2020-11-19 標(biāo)簽:MOSFET安森美半導(dǎo)體半導(dǎo)體制造 1291 0
出于顯而易見的原因,EOS和ESD可能會在制造,封裝組裝和測試過程中損壞零件。但更重要的是,這些負力會直接影響客戶手中電路的質(zhì)量和使用壽命。
2021-05-21 標(biāo)簽:ESD印刷電路板半導(dǎo)體制造 1.0萬 0
如何實現(xiàn)低成本,小空間的低待機電流的離線輔助電源
更高集成度和更強大的半導(dǎo)體制造工藝的總體趨勢使設(shè)備制造商能夠開發(fā)單芯片解決方案以進行離線功率轉(zhuǎn)換。
2021-02-11 標(biāo)簽:直流電源半導(dǎo)體制造電氣隔離器 2878 0
一種名為NRAM的新技術(shù)或可取代現(xiàn)有的NAND閃存,為固態(tài)硬盤帶來近乎無限的使用壽命。
2021-01-12 標(biāo)簽:RFID存儲技術(shù)化學(xué)傳感器 4639 0
JA是熱阻的單位,用來表示空氣到結(jié)溫的阻值,單位是℃/W或K/W。做電路設(shè)計都需要用到以下的公式來計算元器件的結(jié)溫: TJ=TA+JAPH 式子中:TJ...
2020-10-23 標(biāo)簽:元器件控制器半導(dǎo)體制造 8369 0
為什么尺寸縮小并沒按應(yīng)有的速度不斷進步呢?為什么高端硅成本依然如此昂貴?答案就在于芯片設(shè)計的復(fù)雜性——如今的芯片設(shè)計層數(shù)繁多,各層之間還必須無縫連接。
2020-08-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)半導(dǎo)體制造 1898 0
美國的造芯水平如何 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的地位分析
半導(dǎo)體對于經(jīng)濟競爭力和國家安全至關(guān)重要。半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新是推動全球經(jīng)濟數(shù)字化,人工智能(AI)和5G通信的基礎(chǔ)。例如,在增強現(xiàn)實或虛擬現(xiàn)實體驗,物聯(lián)網(wǎng),...
電子封裝是集成電路芯片生產(chǎn)完成后不可缺少的一道工序,是器件到系統(tǒng)的橋梁。封裝這一生產(chǎn)環(huán)節(jié)對微電子產(chǎn)品的質(zhì)量和競爭力都有極大的影響。按目前國際上流行的看法...
2018-09-22 標(biāo)簽:封裝技術(shù)半導(dǎo)體制造 1.9萬 0
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