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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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Si3N4為何要用AMB工藝?AMB Si3N4的生產(chǎn)流程介紹
功率電子器件在電力存儲,電力輸送,電動汽車,電力機(jī)車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。
頻譜儀的非線性特性 二/三極管等半導(dǎo)體器件屬于非線性器件,從而才可以用于實(shí)現(xiàn)放大、變頻和檢波等功能?;? 頻器通常由_極管實(shí)現(xiàn),...
2023-04-01 標(biāo)簽:頻譜分析頻譜半導(dǎo)體器件 560 0
三極管,全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號, 也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。晶...
單相調(diào)壓器的使用方法可以直接把半導(dǎo)體器件連接在電源和負(fù)載中間使用,我們只需要調(diào)整到我們需要的負(fù)載上的電壓電流的功率即可使用。同時,在使用安裝時應(yīng)該裝上配...
2023-03-30 標(biāo)簽:電路板調(diào)壓器半導(dǎo)體器件 3109 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)作為一種新型功率半導(dǎo)體器件,是國際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性...
2023-03-30 標(biāo)簽:IGBT特斯拉半導(dǎo)體器件 2348 0
移動通信技術(shù)毫米波系統(tǒng)和器件技術(shù)發(fā)展趨勢
新一代毫米波無線通信系統(tǒng)技術(shù)主要包括工作于毫米波頻段的大規(guī)模 MIMO 系統(tǒng)架構(gòu)、波束成形芯片、基站( BS )和用戶終端(UT )的天線、系統(tǒng)測量和校...
2023-03-29 標(biāo)簽:混合信號無線通信半導(dǎo)體器件 1648 0
毫米波無線通信半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展趨勢
一般認(rèn)為第五代移動通信技術(shù)(5G )將部署電磁頻譜的毫米波頻段,第六代移動通信技術(shù)(6G )將開發(fā)利用太赫茲(0.1~10THz )頻段。5G和6G 回...
2023-03-27 標(biāo)簽:移動通信半導(dǎo)體器件毫米波 1588 0
隨著半導(dǎo)體器件向著微型化、髙度集成化及高功率密度方向發(fā)展,其發(fā)熱量急劇增大,熱失效已經(jīng)成為阻礙微電子封裝器件性能和壽命的首要問題。
2023-03-25 標(biāo)簽:散熱器Tim半導(dǎo)體器件 2574 0
如何在FLOEFD中查看風(fēng)扇工作點(diǎn)?
在產(chǎn)品散熱設(shè)計(jì)時需要查看風(fēng)扇的工作點(diǎn)是否合理,F(xiàn)LOEFD在計(jì)算完成之后,可以直接查看風(fēng)扇工作狀態(tài)點(diǎn)。
2023-03-20 標(biāo)簽:EDA工具半導(dǎo)體器件CAE 2364 0
什么是IGBT?IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)拆解
IGBT (絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。
岡恩二極管是用于以簡單和低成本的方式產(chǎn)生低功率微波信號的半導(dǎo)體器件。這些已經(jīng)使用了60多年。岡恩二極管可以在從幾千兆赫茲到超過 100 GHz 的頻...
2023-03-08 標(biāo)簽:二極管整流二極管半導(dǎo)體器件 936 0
LED結(jié)中使用哪種半導(dǎo)體材料?LED的結(jié)構(gòu)制造過程
LED的完整形式是發(fā)光二極管。LED是特殊類型的半導(dǎo)體二極管,其響應(yīng)于施加在其端子上的電位差而發(fā)光,因此稱為發(fā)光二極管。就像普通二極管一樣,LED也有兩...
2023-03-08 標(biāo)簽:led發(fā)光二極管半導(dǎo)體器件 2140 0
SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET,特別是 SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結(jié)組成。 ...
2023-03-03 標(biāo)簽:芯片MOSFET半導(dǎo)體器件 5325 0
場效應(yīng)管(FET)是利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。與之前的三極管不同,三極管采用兩種載流子運(yùn)動工作被稱為雙極型晶體管,屬于電...
2023-03-02 標(biāo)簽:場效應(yīng)管半導(dǎo)體器件回路電流 2120 0
電力二極管屬于半導(dǎo)體器件,通常也被稱為功率二極管。它們主要用于高功率、高電壓和高頻率的電路中,用于控制和轉(zhuǎn)換電能。電力二極管具有低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和...
2023-02-28 標(biāo)簽:二極管整流器半導(dǎo)體器件 4579 0
晶閘管導(dǎo)通和關(guān)斷的條件是什么?如何去實(shí)現(xiàn)呢?
晶閘管導(dǎo)通條件:門極G加觸發(fā)信號,主端子A、K之間加正向電壓,且使得主端子間的正向電流大于擎住電流。
功率模塊一般指的是將功率MOSFET、IGBT等功率半導(dǎo)體器件與其驅(qū)動電路、散熱器等部分集成在一起的電路模塊。這種模塊具有集成度高、可靠性好、穩(wěn)定性強(qiáng)等...
2023-02-26 標(biāo)簽:MOSFET散熱器半導(dǎo)體器件 2537 0
氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料,具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機(jī)械性質(zhì),因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的...
貼片封裝的肖特基二極管是一種小型、高速、高效的半導(dǎo)體器件,通常由硅材料制成。
2023-02-25 標(biāo)簽:整流二極管肖特基二極管半導(dǎo)體器件 2377 0
具有自關(guān)斷能力的電力半導(dǎo)體器件稱為全控性器件,全控型器件又稱為自關(guān)斷器件,是指通過控制信號既可以控制其導(dǎo)通,又可以控制其關(guān)斷的電力電子器件。
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