氮化鎵納米線和氮化鎵材料的關(guān)系

　　氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料，具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機(jī)械性質(zhì)，因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子和光學(xué)性質(zhì)，也是氮化鎵納米線的主要材料來源。

　　具體來說，氮化鎵納米線通常是通過在氮化鎵晶體表面沉積金屬催化劑并在高溫下通過金屬有催化的氣相沉積方法制備的。這種方法可以使氮化鎵材料在金屬催化下在縱向方向上沉積出具有納米尺寸的棒狀結(jié)構(gòu)，即氮化鎵納米線。氮化鎵納米線的尺寸通常在10-100納米之間，而且可以通過調(diào)整金屬催化劑、沉積溫度和氣氛等條件來控制其形貌、尺寸和取向等性質(zhì)。

　　由于氮化鎵納米線具有大比表面積、高載流子遷移率、較小的晶格失調(diào)、優(yōu)異的光學(xué)特性和力學(xué)性能等優(yōu)點(diǎn)，因此在許多領(lǐng)域，如光電子學(xué)、納米電子學(xué)、能源轉(zhuǎn)換等方面具有潛在的應(yīng)用價(jià)值。同時(shí)，氮化鎵材料也具有優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)，是氮化鎵納米線的主要材料來源，也是廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件和LED等光電子器件中的重要材料之一。

　　為什么氮化鎵能夠成為第三代半導(dǎo)體的核心材料??？

　　半導(dǎo)體技術(shù)在不斷提升，端設(shè)備對于半導(dǎo)體器件性能、效率、小型化要求的越來越高。尋找硅（Si）以外新一代的半導(dǎo)體材料也隨之變得更加重要。在50多年前被廣泛用于LED產(chǎn)品的氮化鎵（GaN），再次走入大眾視野。特別是隨著5G的即將到來，也進(jìn)一步推動(dòng)了以氮化鎵代表的第三代半導(dǎo)體材料的快速發(fā)展。

　　射頻功率放大器（PA）作為射頻前端發(fā)射通路的主要器件，通常用于實(shí)現(xiàn)發(fā)射通道的射頻信號放大。5G將帶動(dòng)智能移動(dòng)終端、基站端及IOT設(shè)備射頻PA穩(wěn)健增長，智能移動(dòng)終端射頻PA市場規(guī)模將從2017年的50億美元增長到2023年的70億美元，復(fù)合年增長率為7%，高端LTE功率放大器市場的增長，尤其是高頻和超高頻，將彌補(bǔ)2G/3G市場的萎縮。

　　GaN器件則以高性能特點(diǎn)廣泛應(yīng)用于通信、國防等領(lǐng)域，在5G 時(shí)代需求將迎來爆發(fā)式增長。