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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來(lái)完成特定功能的電子器件,可用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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Nanodcal如何生成graphene原胞電聲耦合項(xiàng)數(shù)據(jù)文件
Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計(jì)算軟件,主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運(yùn)過(guò)...
2022-09-09 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)軟件半導(dǎo)體器件 1165 0
Nanodcal半導(dǎo)體器件:計(jì)算n型摻雜NiSi2-Si器件的輸運(yùn)特性
Nanodcal軟件通過(guò)虛晶近似(Virtual Crystal Approximation,VCA)的方法實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體的n型或者p型摻雜。為了確保Si在...
2022-09-07 標(biāo)簽:模擬器件半導(dǎo)體器件 3489 0
Nanodcal半導(dǎo)體器件—硅 p-n結(jié)的模型結(jié)構(gòu)
Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計(jì)算軟件,主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運(yùn)過(guò)...
2022-09-01 標(biāo)簽:軟件模擬器半導(dǎo)體器件 1324 0
Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計(jì)算軟件,主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運(yùn)過(guò)...
2022-08-26 標(biāo)簽:計(jì)算軟件半導(dǎo)體器件Device Studio 2290 0
碳化硅 (SiC) 是一種下一代材料,計(jì)劃顯著降低功率損耗并實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、電壓、溫度和頻率,同時(shí)減少散熱。高溫可操作性降低了冷卻系統(tǒng)的復(fù)雜性,從而...
2022-08-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件sic器件電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路 2120 0
半導(dǎo)體行業(yè)一直在尋找新型特殊材料、介電解決方案和新型器件形狀,以進(jìn)一步、再進(jìn)一步縮小器件尺寸。例如,2D材料的橫向和縱向異質(zhì)結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了新的顛覆性小型低功...
2022-08-09 標(biāo)簽:MOSFET電纜半導(dǎo)體器件 385 0
器件溫度變化的物理原因可以由緊湊模型準(zhǔn)確描述,也使用實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)來(lái)驗(yàn)證模型擴(kuò)展。文章也討論了這些模型可以用于仿真和預(yù)估低溫下的電路性能。這是第一次展示從室溫...
2022-07-25 標(biāo)簽:電子電路半導(dǎo)體器件量子計(jì)算 1969 0
3D晶圓級(jí)封裝,包括CIS發(fā)射器、MEMS封裝、標(biāo)準(zhǔn)器件封裝。是指在不改變封裝體尺寸的前提下,在同一個(gè)封裝體內(nèi)于垂直方向疊放兩個(gè)以上芯片的封裝技術(shù),它起...
2022-07-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件2.5D封裝 2395 1
VCSEL的基本結(jié)構(gòu) VCSEL技術(shù)的優(yōu)勢(shì)
VCSEL是一種半導(dǎo)體器件,其激光垂直于頂面射出,與一般切開(kāi)式獨(dú)立芯片工藝,激光由邊緣射出的邊射型激光不同。
2022-06-09 標(biāo)簽:VCSEL激光雷達(dá)半導(dǎo)體器件 2.1萬(wàn) 0
TI優(yōu)化用于子系統(tǒng)控制和電源時(shí)序等負(fù)載開(kāi)關(guān)封裝技術(shù)
從智能手機(jī)到汽車,消費(fèi)者要求將更多功能封裝到越來(lái)越小的產(chǎn)品中。為了幫助實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),TI 優(yōu)化了其半導(dǎo)體器件(包括用于子系統(tǒng)控制和電源時(shí)序的負(fù)載開(kāi)關(guān))的...
2022-04-27 標(biāo)簽:ti封裝半導(dǎo)體器件 1027 0
首先,讓我們先來(lái)看一下SiC MOSFET開(kāi)關(guān)暫態(tài)的幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù),圖片來(lái)源于Cree官網(wǎng)SiC MOS功率模塊的datasheet。開(kāi)通暫態(tài)的幾個(gè)關(guān)鍵參...
2022-04-27 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體器件 9154 0
然而,在實(shí)際應(yīng)用中,工程師們都會(huì)遇到一個(gè)相同的困惑:器件的選型著實(shí)令人頭疼。對(duì)此,小編感同身受。今天,我們就一起來(lái)看看MOSFET和IGBT之間的有哪些...
2022-01-01 標(biāo)簽:MOSFETIGBT半導(dǎo)體器件 1.4萬(wàn) 0
【技術(shù)大咖測(cè)試筆記系列】之十:在當(dāng)今高壓半導(dǎo)體器件上執(zhí)行擊穿電壓和漏流測(cè)量
準(zhǔn)確的電源和測(cè)量測(cè)試對(duì)表征這些高壓器件非常關(guān)鍵,以便能夠及時(shí)制訂正確的設(shè)計(jì)決策。提高設(shè)計(jì)裕量和過(guò)度設(shè)計(jì)只會(huì)推動(dòng)成本上升,導(dǎo)致性能下降。
2021-12-17 標(biāo)簽:連接器半導(dǎo)體器件SMU儀器 2111 0
功率MOSFET及其雪崩擊穿額定值背后的理論和設(shè)計(jì)過(guò)程中的局限性
一些功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)為在有限時(shí)間內(nèi)承受一定量的雪崩電流,因此可以達(dá)到雪崩額定值。其他人會(huì)在雪崩開(kāi)始后很快失敗。性能差異源于特定的設(shè)備物理、設(shè)計(jì)和制造。
2021-06-23 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體器件寄生元件 2962 0
GaN-HEMT器件的動(dòng)態(tài)R DSon值測(cè)量實(shí)驗(yàn)分析
GaN(氮化鎵)器件由于具有諸如高開(kāi)關(guān)速度,更高的功率密度和效率之類的能力而在設(shè)計(jì)電源轉(zhuǎn)換器時(shí)變得越來(lái)越流行[2],[3],但是GaN器件的一個(gè)缺點(diǎn)是電...
2021-03-22 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器測(cè)量電路GaN 1.2萬(wàn) 0
高級(jí)封裝技術(shù):創(chuàng)建接近單片互連性能的封裝上互連
在過(guò)去的幾年中,已經(jīng)發(fā)布了許多涉及用于半導(dǎo)體器件的高級(jí)封裝體系結(jié)構(gòu)的公告。這些架構(gòu)為產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員提供了極大的靈活性,使其能夠異構(gòu)集成在封裝上不同硅工藝上...
2021-04-01 標(biāo)簽:信號(hào)完整性系統(tǒng)設(shè)計(jì)半導(dǎo)體器件 5089 0
關(guān)于SiC MOSFET的新的電路設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)MOSFET提供了巨大的新特性和功能,但同時(shí)也帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。ROHM半導(dǎo)體器件使工程師能夠充分利用SiC MOSFET,同時(shí)克服了驅(qū)動(dòng)...
2021-04-02 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體器件柵極驅(qū)動(dòng)器 4252 0
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