`半導(dǎo)體器件C-V特性測(cè)試方案交流C-V測(cè)試可以揭示材料的氧化層厚度，晶圓工藝的界面陷阱密度，摻雜濃度，摻雜分布以及載流子壽命等，通常使用交流C-V測(cè)試方式來(lái)評(píng)估新工藝，材料， 器件以及電路的質(zhì)量
2019-09-27 14:23:43
和上位機(jī)軟件組成。 LCR 表支持的測(cè)量頻率范圍在0.1Hz~ 30MHz。源表 (SMU)負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置，通過(guò)偏置夾具盒 CT8001加載在待測(cè)件上。LCR 表測(cè)試交流阻抗的方式是在 HCUR
2019-09-29 15:28:11
請(qǐng)教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導(dǎo)體技術(shù)是如何變革汽車(chē)設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的？
2021-02-22 09:07:43
減小這些解決方案的尺寸、重量和功率。本文將簡(jiǎn)要介紹現(xiàn)有的天線(xiàn)解決方案以及電控天線(xiàn)的優(yōu)勢(shì)所在。在此基礎(chǔ)上，本文將介紹半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展如何幫助實(shí)現(xiàn)改進(jìn)電控天線(xiàn)SWaP-C這一目標(biāo)，然后舉例說(shuō)明ADI技術(shù)如何做到這一點(diǎn)。
2021-01-20 07:11:05
作者： Robert GeeMaxim Integrated核心產(chǎn)品事業(yè)部執(zhí)行業(yè)務(wù)經(jīng)理 在半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域，管理成本依然是最嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)之一，因?yàn)樽詣?dòng)化測(cè)試設(shè)備(ATE)是一項(xiàng)重大的資本支出。那么，有沒(méi)有能夠降低每片晶圓的成本，從而提升競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的方法呢？有，答案就是提高吞吐率。
2019-07-29 08:11:12
監(jiān)測(cè)測(cè)試設(shè)備：總結(jié)隨著器件設(shè)計(jì)難度加大，高精度高可靠性測(cè)試設(shè)備越來(lái)越被前沿研究所依賴(lài)。半導(dǎo)體器件測(cè)試設(shè)備在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展中起到非常關(guān)鍵的角色，科學(xué)的設(shè)計(jì)需要實(shí)際的測(cè)量來(lái)驗(yàn)證，沒(méi)有測(cè)量就沒(méi)有科學(xué)，這對(duì)半導(dǎo)體日益縮小的尺寸和規(guī)模的不斷增大所用到的測(cè)試設(shè)備提出更高的要求。
2020-05-09 15:22:12
：ASEMI半導(dǎo)體這個(gè)品牌自打建立以來(lái)，就一直不間斷在研發(fā)半導(dǎo)體各類(lèi)元器件，在半導(dǎo)體的制程和原理上可謂已經(jīng)是精益求精，今天ASEMI半導(dǎo)體要和大家一起分享的，就是這個(gè)半導(dǎo)體的制程和原理。半導(dǎo)體工業(yè)上
2018-11-08 11:10:34
近年來(lái)，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移。目前,我國(guó)已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體功率器件封測(cè)基地。如IDM類(lèi)（吉林華微電子、華潤(rùn)微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體
2021-07-12 07:49:57
`半導(dǎo)體變流技術(shù)（第2版） 257頁(yè)`
2012-08-20 18:43:16
本人小白，最近公司想上半導(dǎo)體器件的塑封生產(chǎn)線(xiàn)，主要是小型貼片器件封裝，例如sot系列。設(shè)備也不需要面面俱到，能進(jìn)行小規(guī)模正常生產(chǎn)就行。哪位大神能告知所需設(shè)備的信息，以及這些設(shè)備的國(guó)內(nèi)外生產(chǎn)廠(chǎng)家，在此先行感謝！
2022-01-22 12:26:47
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來(lái)越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來(lái)越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向長(zhǎng)期
2019-08-20 08:01:20
與漏電流IRM：斷態(tài)電壓VRM表示半導(dǎo)體過(guò)壓保護(hù)器不導(dǎo)通的最高電壓，在這個(gè)電壓下只有很小的漏電流IRM。 ②擊穿電壓VBR：通過(guò)規(guī)定的測(cè)試電流IR（一般為1mA）時(shí)的電壓，這是表示半導(dǎo)體過(guò)壓保護(hù)器
2017-03-20 14:45:41
閾值叫死區(qū)電壓，硅管約0.5V，鍺管約0.1V。（硅和鍺是制造晶體管最常用的兩種半導(dǎo)體材料，硅管較多，鍺管較少）也就是我們?cè)诙O管整流得時(shí)候理想是，整個(gè)周期都是導(dǎo)通的，但是由于死區(qū)電壓的存在，實(shí)際上并不是全部導(dǎo)通的，當(dāng)半導(dǎo)體電壓
2021-09-03 07:21:43
半導(dǎo)體電容-電壓測(cè)試的方法，技巧與注意事項(xiàng)這價(jià)電子材料旨在幫助實(shí)驗(yàn)室工程技術(shù)人員實(shí)現(xiàn)，診斷和驗(yàn)證C-V測(cè)量系統(tǒng)。其中討論了如何獲取高品質(zhì)C-V測(cè)量結(jié)果的關(guān)鍵問(wèn)題，包括系統(tǒng)配置和某些擴(kuò)展C-V
2009-11-20 09:13:55
無(wú)嚴(yán)格要求的特點(diǎn)。因此，目前檢測(cè)半導(dǎo)體材料電阻率，尤其對(duì)于薄膜樣品來(lái)說(shuō)，四探針是較常用的方法。 四探針技術(shù)要求使用四根探針等間距的接觸到材料表面。在外邊兩根探針之間輸出電流的同時(shí)，測(cè)試中間兩根探針的電壓差。最后，電阻率通過(guò)樣品的幾何參數(shù)，輸出電流源和測(cè)到的電壓值來(lái)計(jì)算得出。
2021-01-13 07:20:44
文章目錄外接半導(dǎo)體管的擴(kuò)流方法外接PNP擴(kuò)流外接NPN擴(kuò)流線(xiàn)性穩(wěn)壓并聯(lián)擴(kuò)流外接半導(dǎo)體管的擴(kuò)流方法外接半導(dǎo)體的擴(kuò)流方法可以使用半導(dǎo)體三極管或者場(chǎng)效應(yīng)管，其實(shí)質(zhì)是使用外接的大功率半導(dǎo)體管分流，并利用線(xiàn)性
2021-10-29 06:17:50
微電子技術(shù)有限公司開(kāi)發(fā)的BSDOT器件，在相同面積下將LDMOS的靜電防護(hù)潛能提高一倍。高壓功率集成電路是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一個(gè)重要分支，在汽車(chē)電子、電源管理、高壓驅(qū)動(dòng)、航天航空、武器裝備里有著廣泛
2016-03-12 14:12:31
微電子技術(shù)有限公司開(kāi)發(fā)的BSDOT器件，在相同面積下將LDMOS的靜電防護(hù)潛能提高一倍。高壓功率集成電路是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一個(gè)重要分支，在汽車(chē)電子、電源管理、高壓驅(qū)動(dòng)、航天航空、武器裝備里有著廣泛
2016-04-06 09:24:23
在易燃性場(chǎng)所測(cè)試，可能會(huì)引起爆炸。如果儀器表面潮濕或者操作的手是濕的請(qǐng)勿操作本儀器。在測(cè)量電阻前，待測(cè)電路必須完全放電，并且與電源電路完全隔離。當(dāng)測(cè)試線(xiàn)短路連接在儀器上時(shí)，不要按下TEST鍵。測(cè)量
2017-09-01 08:58:54
DCT1401半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)西安天光測(cè)控DCT1401半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)能測(cè)試很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs
2022-02-17 07:44:04
材料。與目前絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料相比，GaN 具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)：禁帶更寬、飽和漂移速度更大、臨界擊穿電場(chǎng)和熱導(dǎo)率更高，使其成為最令人矚目的新型半導(dǎo)體材料之一。目前，GaN 基發(fā)光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
之前發(fā)到論壇的PSFB調(diào)試筆記和問(wèn)題石沉大海了目前自己調(diào)試得到了相對(duì)好些的波形，我把調(diào)試筆記傳上來(lái)，定期更新，感興趣的我們一起討論這是目前相對(duì)好些的波形調(diào)試筆記：下面的文章 在我的個(gè)人微信公眾號(hào)里也有的歡迎關(guān)注
2019-07-25 06:50:06
TVS管如何測(cè)量擊穿電壓？
2016-11-02 16:59:33
館）不同功率半導(dǎo)體器件，其承受電壓、電流容量、阻抗能力、體積大小等特性也會(huì)不同，實(shí)際使用中，需要根據(jù)不同領(lǐng)域、不同需求來(lái)選用合適的器件。圖表3 功率半導(dǎo)體器件比較（來(lái)源：中信證券研究部）隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步
2019-02-26 17:04:37
FS-Pro系列是業(yè)界唯一的人工智能驅(qū)動(dòng)的一體化半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，單臺(tái)設(shè)備具備IV， CV 與 1/f noise 測(cè)試能力，內(nèi)建的AI算法加速技術(shù)全面提升測(cè)試效率。業(yè)界低頻噪聲測(cè)試黃金系統(tǒng)
2020-07-01 10:02:55
本文將討論瑞能半導(dǎo)體的高壓可控硅及其應(yīng)用和工藝技術(shù)?！ ⊥?b class="flag-6" style="color: red">高壓可控硅 SCR 或可控硅整流器被定義為具有四層 p-n-p-n 結(jié)構(gòu)的開(kāi)關(guān)器件，導(dǎo)致雙穩(wěn)態(tài)行為，可以在高阻抗、低電流關(guān)斷狀態(tài)和低
2023-02-24 15:34:46
基于霍耳效應(yīng)的半導(dǎo)體磁電轉(zhuǎn)換傳感器。在磁場(chǎng)測(cè)量以及利用磁場(chǎng)作為媒介對(duì)位移、速度、加速度、壓力、角度、角速度、流量、電流、電功率等許多非電量測(cè)量中，半導(dǎo)體磁敏元件是一種重要的器件。磁敏元件分霍耳元件
2019-09-10 10:42:32
阻使這些材料成為高溫和高功率密度轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)的理想選擇 ［4］。 為了充分利用這些技術(shù)，重要的是通過(guò)傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗模型評(píng)估特定所需應(yīng)用的可用半導(dǎo)體器件。這是設(shè)計(jì)優(yōu)化開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器的強(qiáng)大
2023-02-21 16:01:16
B1500A半導(dǎo)體器件分析儀具有十個(gè)插槽，支持IV和CV測(cè)試的模塊化儀器。基于MS Windows 的Agilent EasyEXPERT 軟件，提供新的、更直觀(guān)的面向任務(wù)的器件表征。由于非常低的電流、低電壓
2019-12-29 14:09:35
B1500A半導(dǎo)體器件分析儀具有十個(gè)插槽，支持IV和CV測(cè)試的模塊化儀器?；贛S Windows 的Agilent EasyEXPERT 軟件，提供新的、更直觀(guān)的面向任務(wù)的器件表征。由于非常低的電流、低電壓
2020-01-16 21:15:25
找不到聯(lián)系方式，請(qǐng)?jiān)跒g覽器上搜索一下，旺貿(mào)通儀器儀Keysight B1500A 半導(dǎo)體器件參數(shù)分析儀/半導(dǎo)體表征系統(tǒng)主機(jī)主要特性與技術(shù)指標(biāo)測(cè)量功能在 0.1 fA - 1 A / 0.5 μV - 200
2019-12-25 15:04:23
器件完整的測(cè)試方案并不合適。而2400系列數(shù)字源表將源輸出與測(cè)量的能力集成在一起，非常適用于半導(dǎo)體器件的特性分析。 [hide][/hide]
2009-12-09 10:47:38
變速驅(qū)動(dòng)的需求是什么兼顧性能、成本的高壓功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)IC應(yīng)用
2021-04-21 07:06:40
;nbsp; (2)功耗2.3.1晶閘管的斷態(tài)特性(續(xù)）（1） p+n結(jié)的擊穿電壓雪崩擊穿電壓：碰撞電離的強(qiáng)弱程度通常用電離率來(lái)表示，有如下經(jīng)驗(yàn)公式：式中a、b、n 均為常數(shù)。 功率半導(dǎo)體器件
2008-08-16 11:30:48
電力電子器件（Power Electronic Device），又稱(chēng)為功率半導(dǎo)體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上)電子器件?？梢苑譃榘肟匦?b class="flag-6" style="color: red">器件
2021-09-09 06:29:58
`吉時(shí)利——半導(dǎo)體分立器件I-V特性測(cè)試方案半導(dǎo)體分立器件包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管等，是組成集成電路的基礎(chǔ)。 直流I-V測(cè)試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石
2019-10-08 15:41:37
導(dǎo)讀 :近日，吉時(shí)利儀器宣布推出兩款優(yōu)化的高壓電源，用于高電壓的設(shè)備和材料測(cè)試，高能物理和材料科學(xué)研究。2290-5 5kV型電源和2290-10型10kV電源非常適合于功率半導(dǎo)體器件的高電壓
2018-09-28 11:17:47
研究方向的熱點(diǎn)。在半導(dǎo)體材料的研究中，電阻率、載流子密度和遷移率是測(cè)試的關(guān)鍵參數(shù)。二·測(cè)試難點(diǎn)1、寬禁帶材料的帶隙較大，擊穿電場(chǎng)較高。超禁帶材料擊穿電場(chǎng)更高。因此需要上千伏高壓源表進(jìn)行測(cè)試。2、功率
2022-01-23 14:15:50
根據(jù)不同的誘因，常見(jiàn)的對(duì)半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線(xiàn)的主體接觸時(shí)，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過(guò)電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
`東莞市佳華儀器有限公司趙經(jīng)理：175~~~6672~~~8272銷(xiāo)售/回收/維修熱線(xiàn)188~~~8361~~~1172B1500A 半導(dǎo)體器件參數(shù)分析儀/半導(dǎo)體表征系統(tǒng)主機(jī)主要特性與技術(shù)指標(biāo) 測(cè)量
2020-08-18 16:52:03
需求，多站點(diǎn)測(cè)試策略不會(huì)提高測(cè)試的經(jīng)濟(jì)性。 當(dāng)今的半導(dǎo)體器件包括各種數(shù)字，模擬和RF能力，所有這些都集成在單個(gè)封裝或SoC（片上系統(tǒng)）中。 結(jié)果是，測(cè)試解決方案不僅必須是成本有效的，而且靈活，以便
2017-04-13 15:40:01
具體要求：1．設(shè)計(jì)內(nèi)容1). 設(shè)計(jì)其測(cè)量電路2). 設(shè)計(jì)測(cè)試用高壓電源3). 設(shè)計(jì)其保護(hù)電路4). 設(shè)計(jì)相應(yīng)電路的工作電源。2．設(shè)計(jì)的主要技術(shù)指標(biāo)1).測(cè)量電路：檢測(cè)范圍0—3000V, 可調(diào), 誤差≦1%2).保護(hù)電路：保護(hù)電路閥值可設(shè)
2012-02-29 11:18:01
供應(yīng)商正在減少對(duì)標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的關(guān)注，但安森美半導(dǎo)體繼續(xù)投資于汽車(chē)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)分立器件的基本構(gòu)件模塊，同時(shí)擴(kuò)大針對(duì)汽車(chē)功能電子化的電源方案陣容。在現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)的和高性能的分立器件陣容中，最新的擴(kuò)展包括低正向電壓整流器
2018-10-25 08:53:48
去年九月，安森美半導(dǎo)體宣布收購(gòu)Fairchild半導(dǎo)體。上周，我們完成了前Fairchild半導(dǎo)體產(chǎn)品信息向安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站的轉(zhuǎn)移。這使訪(fǎng)客能瀏覽低、中、高壓電源模塊、集成電路和分立器件合并的、擴(kuò)展
2018-10-31 09:17:40
文章主要介紹了當(dāng)前射頻集成電路研究中的半導(dǎo)體技術(shù)和CAD技術(shù)，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統(tǒng)電路CAD的各自特點(diǎn)。近年來(lái)，無(wú)線(xiàn)通信市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，特別是移動(dòng)電話(huà)、無(wú)線(xiàn)
2019-07-05 06:53:04
使用能夠驅(qū)動(dòng)幾十安培的儀器，生成可測(cè)量的電壓。同樣，對(duì)低電流閉態(tài)測(cè)量，如泄漏電流(IDSS)，可以使用能夠提供高電壓的儀器，生成可測(cè)量的電壓?！ ?. 對(duì)擊穿電壓(BVDSS)，您提供的電壓需要是器件工作
2016-01-12 11:08:55
電力電子器件（Power Electronic Device），又稱(chēng)為功率半導(dǎo)體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率（通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上）電子器件?？梢苑譃榘肟匦?b class="flag-6" style="color: red">器件
2019-03-03 07:00:00
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
變化。SiGeBiCMOS工藝技術(shù)幾乎與硅半導(dǎo)體超大規(guī)模集成電路(VLSI)行業(yè)中的所有新技術(shù)兼容，包括絕緣體硅(SOI)技術(shù)和溝道隔離技術(shù)。不過(guò)硅鍺要想取代砷化鎵的地位還需要繼續(xù)在擊穿電壓、截止頻率
2016-09-15 11:28:41
家里有幾十個(gè)筆記本電池不知道買(mǎi)些什么工具 軟件來(lái)測(cè)試好壞 求大神們指點(diǎn)
2016-06-20 17:22:38
LDMOS 射頻功率技術(shù)許可協(xié)議。遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)是一家總部位于中國(guó)蘇州的無(wú)晶圓廠(chǎng)的半導(dǎo)體公司，專(zhuān)業(yè)設(shè)計(jì)制造射頻功率半導(dǎo)體產(chǎn)品、模塊和子系統(tǒng)集成。導(dǎo)電通道短且擊穿電壓高使LDMOS器件適用于無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)基站射頻
2018-02-28 11:44:56
, CdTe 等；3、低阻抗材料：金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR 材料等。 四、系統(tǒng)原理：霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)主要是對(duì)霍爾器件的 I-V 測(cè)量，再根據(jù)其他相關(guān)參數(shù)來(lái)計(jì)算出對(duì)應(yīng)的值。電阻率：范德
2020-06-08 17:04:49
文/編譯楊碩王家農(nóng)在網(wǎng)絡(luò)無(wú)處不在、IP無(wú)處不在和無(wú)縫移動(dòng)連接的總趨勢(shì)下，國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線(xiàn)圖(ITRS)項(xiàng)目組在他們的15年半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展預(yù)測(cè)中認(rèn)為，隨著技術(shù)和體系結(jié)構(gòu)推進(jìn)“摩爾定律”和生產(chǎn)力極限
2019-07-24 08:21:23
最新功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用技術(shù) 259頁(yè)
2012-08-20 19:46:39
群“芯”閃耀的半導(dǎo)體行業(yè)行業(yè)全接觸——電子技術(shù)與半導(dǎo)體行業(yè) 半導(dǎo)體半導(dǎo)體是指常溫下導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。主要的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵、硅鍺復(fù)合材料等。半導(dǎo)體器件可以通過(guò)結(jié)構(gòu)和材料上
2008-09-23 15:43:09
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
對(duì)半導(dǎo)體測(cè)試有何要求？對(duì)半導(dǎo)體測(cè)試有哪幾種方式？如何對(duì)數(shù)字輸出執(zhí)行VOH、VOL和IOS測(cè)試？
2021-07-30 06:27:39
的應(yīng)用提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。目前，隨著ALD(原子層淀積)技術(shù)的逐漸成熟，化合物半導(dǎo)體HMET結(jié)構(gòu)以及MOSFET結(jié)構(gòu)的器件質(zhì)量以及可靠性得到了極大的提升，進(jìn)一步提高了化合物半導(dǎo)體材料在高頻高壓應(yīng)用領(lǐng)域
2019-06-13 04:20:24
、MMIC激光二極管、激光二極管模塊、LED、光電檢測(cè)器電路保護(hù)器件:TVS、MOV、熔絲安全氣囊連接器、開(kāi)關(guān)、繼電器測(cè)試：漏流低壓、電阻LIVIDDQI-V特征分析隔離與軌跡電阻溫度系數(shù)正向電壓、反向擊穿、漏電流直流參數(shù)測(cè)試
2021-12-09 09:57:58
電力半導(dǎo)體器件的分類(lèi)
2019-09-19 09:01:01
`半導(dǎo)體分立器件選用15項(xiàng)原則1.半導(dǎo)體分立器件選擇時(shí)應(yīng)注意其失效模式的影響，其失效模式主要有開(kāi)路、短路、參數(shù)漂移和退化。 2.半導(dǎo)體分立器件選用時(shí)應(yīng)考慮負(fù)載的影響，對(duì)電感性負(fù)載應(yīng)采取吸收反電動(dòng)勢(shì)
2016-01-22 10:19:45
源、電壓/電流表、掃描分析儀、函數(shù)發(fā)生器，為這類(lèi)測(cè)試提供了完美的解決方案。源表還包括可編程負(fù)載，可以測(cè)量元器件上的I-V特點(diǎn)，從幾μV到3KV，從幾fA到100A。一個(gè)很好的插件是IVy應(yīng)用，可以從
2016-08-18 16:23:38
`半導(dǎo)體放電管的工作原理：當(dāng)TSS管兩端的過(guò)電壓超過(guò)TSS管的擊穿電壓時(shí)，TSS管將把過(guò)電壓鉗位到比擊穿電壓更低的接近0V的水平上，之后TSS管持續(xù)這種短路狀態(tài)，直到流過(guò)TSS管的過(guò)電流降到
2014-06-20 17:29:46
，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷線(xiàn)路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。3) 低損耗一般而言，半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通損耗與其擊穿場(chǎng)強(qiáng)成反比，故在相似的功率等級(jí)下，SiC器件的導(dǎo)通損耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
高壓線(xiàn)性恒流驅(qū)動(dòng)IC技術(shù)，是真正長(zhǎng)壽的半導(dǎo)體線(xiàn)性IC。已在多家應(yīng)用企業(yè)做產(chǎn)品測(cè)試并取得了很好的效果。同時(shí)，在智能化驅(qū)動(dòng)方面也取得了不錯(cuò)的效果。 高壓線(xiàn)性恒流驅(qū)動(dòng)IC，一款高功率線(xiàn)性led燈驅(qū)動(dòng)芯片，可以將
2015-05-20 15:23:06
調(diào)試筆記–keil 測(cè)量周期小技巧本文參考安富萊專(zhuān)題教程第7期cortex-m內(nèi)核的單片機(jī)，內(nèi)核內(nèi)除了systick定時(shí)器外，還有一個(gè)用于調(diào)試的WDT定時(shí)器，可以在keil中協(xié)助測(cè)量代碼運(yùn)行周期
2021-07-01 07:49:28
一、無(wú)線(xiàn)數(shù)字設(shè)備發(fā)射機(jī)特性測(cè)試技術(shù) 移動(dòng)終端和個(gè)人電腦的無(wú)線(xiàn)數(shù)據(jù)功能已發(fā)展為多頻帶、多系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致對(duì)前端器件需求的迅速增加。目前，簡(jiǎn)單易用、輕便及低成本終端已成為市場(chǎng)趨勢(shì)，由此引起市場(chǎng)對(duì)小巧
2019-06-05 08:12:26
TensION電壓測(cè)試筆適用AC & DC靜電消除器及靜電產(chǎn)生設(shè)備的檢測(cè)使用、非接觸感應(yīng)亮燈顯示模式、操作非常安全和便捷。操作時(shí)無(wú)需接觸到靜電設(shè)備的發(fā)射極(離子針)，只要依據(jù)不同設(shè)備的工作電壓測(cè)量
2021-12-22 17:55:38
半導(dǎo)體C-V測(cè)量基礎(chǔ)(吉時(shí)利)
C-V測(cè)量為人們提供了有關(guān)器件和材料特征的大量信息。電容-電壓（C-V）測(cè)試廣泛用于測(cè)量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOSCAP和
2010-03-13 09:04:27
35 一 F-200A-60V 半導(dǎo)體器件測(cè)試機(jī)專(zhuān)為以下測(cè)試需求研制： 二 技術(shù)參數(shù)
2023-10-12 15:38:30
半導(dǎo)體C-V測(cè)量基礎(chǔ)
通用測(cè)試電容-電壓（C-V）測(cè)試廣泛用于測(cè)量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOSCAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。此外，利用C-V測(cè)量還可以對(duì)其他類(lèi)型
2009-08-27 10:37:45
3046 
超快速I(mǎi)V測(cè)量技術(shù)是過(guò)去十年里吉時(shí)利推出的最具變革性的方法和儀器，吉時(shí)利一直以其高精度高品質(zhì)的SMU即原測(cè)試單元而著稱(chēng)，這里將介紹測(cè)試單元PUM和超快速I(mǎi)V量測(cè)技術(shù)給半導(dǎo)體器件
2011-08-10 11:47:035274 
如何解決半導(dǎo)體器件測(cè)量的難點(diǎn)
2011-10-11 16:34:040 半導(dǎo)體器件熱特性測(cè)試儀的性能指標(biāo)設(shè)計(jì)要求 1、快速。 2、高精度。 3、測(cè)量的程序化及自動(dòng)化 4、測(cè)量數(shù)據(jù)分析擬和的自動(dòng)化 5、測(cè)量恒溫平臺(tái)的自動(dòng)恒溫控制
2011-10-31 16:31:0716 S32K14x系列MCU時(shí)鐘調(diào)試筆記
2021-11-18 16:51:0245 調(diào)試筆記--keil 測(cè)量周期小技巧
2021-12-01 15:21:0311 DCT1401半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)西安天光測(cè)控DCT1401半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)能測(cè)試很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs
2021-12-22 18:56:4315 MOSFET管要么分布在高壓低速的區(qū)間，要么分布在低壓高速的區(qū)間，市面上傳統(tǒng)的探測(cè)技術(shù)可以覆蓋器件特性的測(cè)試需求。但是第三代半導(dǎo)體器件SiC 或GaN的技術(shù)卻大大擴(kuò)展了分布的區(qū)間，覆蓋以往沒(méi)有出現(xiàn)過(guò)的高壓高速區(qū)域，這就對(duì)器件的測(cè)試
2021-12-29 17:11:061046 
對(duì)于寬帶隙功率半導(dǎo)體器件越來(lái)越重要，高壓電容-電壓 (CV) 測(cè)量可用于預(yù)測(cè)關(guān)鍵動(dòng)態(tài)特性
2022-08-29 08:09:492503 
參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級(jí)電阻，pA級(jí)電流精準(zhǔn)測(cè)量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器
件結(jié)電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。
普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向，深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域，在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)，先后推出了直流源表，脈沖源
2023-02-15 16:11:141 DCT1401半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)能測(cè)試很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流
ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE
2023-02-15 15:47:180 。 在半導(dǎo)體測(cè)試中，高壓放大器通常被用于測(cè)試光電二極管、熱敏電阻和其他高壓器件。這些器件通常需要高電壓才能正常工作，而高壓放大器正是滿(mǎn)足這種需求的器件之一。它可以將輸入信號(hào)電壓放大到更高的電壓水平，從而提供足夠的高電
2023-07-06 17:18:44262 
在日常的電源設(shè)計(jì)中，半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的雪崩能力、VDS電壓降額設(shè)計(jì)是工程師不得不面對(duì)的問(wèn)題，本文旨在分析半導(dǎo)體器件擊穿原理、失效機(jī)制，以及在設(shè)計(jì)應(yīng)用中注意事項(xiàng)。
2023-09-19 11:44:382592 
為什么PN結(jié)的雪崩擊穿和齊納擊穿在溫度升高的情況下，擊穿電壓變化方向相反？? PN結(jié)是半導(dǎo)體器件中最基本的組成部件之一，廣泛應(yīng)用于電力、電信、信息處理等領(lǐng)域。PN結(jié)的雪崩擊穿和齊納擊穿是PN結(jié)失效
2023-09-21 16:09:511814 功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別在于，其在設(shè)計(jì)的時(shí)候，需要多一塊區(qū)域，來(lái)承擔(dān)外加的電壓，如圖5所示，300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額外承擔(dān)高壓的部分。與沒(méi)有“N-drift”區(qū)的普通半導(dǎo)體器件[2]相比，明顯尺寸更大，這也是功率半導(dǎo)體器件的有點(diǎn)之一。
2023-10-18 11:16:21882 
半導(dǎo)體器件擊穿機(jī)理分析及設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
2023-11-23 17:38:36476 SPA6100型半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖
2023-12-01 14:00:36229 
： 在半導(dǎo)體測(cè)試中，需要模擬高壓環(huán)境下的工作條件以評(píng)估半導(dǎo)體器件的性能和可靠性。高壓功率放大器可以充當(dāng)高壓信號(hào)發(fā)生器，產(chǎn)生高電壓信號(hào)用于輸入到被測(cè)器件。這些高壓信號(hào)可以模擬半導(dǎo)體器件在實(shí)際工作環(huán)境中的工作條件，以檢測(cè)
2024-01-15 11:24:49138 
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