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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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西門子數(shù)字化工業(yè)軟件推出新的Solido 設(shè)計環(huán)境軟件
新的IC設(shè)計和驗證解決方案結(jié)合了人工智能技術(shù)與云服務(wù)的可擴(kuò)展性優(yōu)勢,旨在解決產(chǎn)品的復(fù)雜性,加快產(chǎn)品上市速度 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件日前推出新的Solido...
EUV掩膜,也稱為EUV掩模或EUV光刻掩膜,對于極紫外光刻(EUVL)這種先進(jìn)光刻技術(shù)至關(guān)重要。EUV光刻是一種先進(jìn)技術(shù),用于制造具有更小特征尺寸和增...
2023-08-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件光刻技術(shù)EUV 888 0
7月18日,江蘇北人在投資者互動平臺表示,開展儲能業(yè)務(wù)是公司的重要戰(zhàn)略布局,公司采取“產(chǎn)品設(shè)計—產(chǎn)線研發(fā)—供應(yīng)鏈—規(guī)模化制造—資產(chǎn)持有—資產(chǎn)運營”一體化...
2023-07-20 標(biāo)簽:機(jī)器人PCS半導(dǎo)體器件 675 0
【芯聞時譯】研究人員找到了一種減少半導(dǎo)體器件過熱的方法
來源:半導(dǎo)體芯科技編譯 縮小半導(dǎo)體尺寸的需求,加上器件熱點處產(chǎn)生的熱量無法有效分散的問題,對現(xiàn)代器件的可靠性和耐用性產(chǎn)生了負(fù)面影響?,F(xiàn)有的熱管理技術(shù)無法...
2023-07-18 標(biāo)簽:SPP半導(dǎo)體器件 703 0
國家統(tǒng)計局:上半年半導(dǎo)體器件專用設(shè)備制造業(yè)同比增長30.9%
二是產(chǎn)業(yè)升級穩(wěn)步推進(jìn)。工業(yè)生產(chǎn)技術(shù)密集程度持續(xù)提高,上半年裝備制造業(yè)增加值同比增長6.5%,比規(guī)模以上工業(yè)的增長率高2.7個百分點,對全部規(guī)模以上工業(yè)的...
加速新賽道固態(tài)半導(dǎo)體器件破繭而出—LED芯片技術(shù)
近年來,由于我國宏觀經(jīng)濟(jì)持續(xù)增長、國家產(chǎn)業(yè)政策的扶持以及LED技術(shù)的不斷突破;國內(nèi)LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,并已形成完整的產(chǎn)業(yè)鏈。
2023-07-14 標(biāo)簽:發(fā)光二極管LED技術(shù)LED芯片 1040 0
航天級IC助推詹姆斯·韋伯太空望遠(yuǎn)鏡深入探索宇宙奧秘
NASA發(fā)布了使用其超大超強(qiáng)太空望遠(yuǎn)鏡以空前分辨率和靈敏度觀測宇宙時拍攝的首批圖像。
2023-07-12 標(biāo)簽:穩(wěn)壓器望遠(yuǎn)鏡半導(dǎo)體器件 723 0
JEDEC 制定的 JEP 95 《 JEDEC 注冊外形圖》標(biāo)淮與 IEC SC47D 發(fā)布的標(biāo)淮異曲同工,只不過其外形標(biāo)淮是由其會員公司提出的。
2023-06-30 標(biāo)簽:封裝技術(shù)半導(dǎo)體器件 1936 0
國際上對封裝外形標(biāo)淮化工作開展得較早,一般采用標(biāo)淮增補(bǔ)單或外死注冊形式。 IEC SC47D 發(fā)布的 IEC 60191-2《半導(dǎo)體器件封裝標(biāo)準(zhǔn) 第2部...
2023-06-30 標(biāo)簽:集成電路封裝半導(dǎo)體器件 2256 0
隨著當(dāng)今產(chǎn)品設(shè)計走向輕、薄、短、小,尤其是在手機(jī)等便攜式電子產(chǎn)品設(shè)計中,功率半導(dǎo)體市場規(guī)模呈增長態(tài)勢。功率半導(dǎo)體產(chǎn)品可以分為功率分立器件、電源管理IC和...
2021-09-10 標(biāo)簽:三極管半導(dǎo)體器件大功率三極管 1209 0
貼片3904三極管_MMBT3904 絲印1AM三極管主要參數(shù)資料
3904三極管作為一種常見的低電壓、低電流信號晶體三極管,是半導(dǎo)體基本元器件之一。MMBT3904 SOT-23封裝型號的應(yīng)用范圍很廣,人們家庭中的小家...
2021-11-12 標(biāo)簽:三極管晶體管半導(dǎo)體器件 5.8萬 0
極小的物體被放大幾千倍,各種物質(zhì)的豐富細(xì)節(jié)徐徐展開,人類觀察自然界的視野得到極大拓寬——這是光學(xué)顯微鏡賦予人類的“超能力”。不過,無限提高放大倍數(shù)是不可...
2023-05-22 標(biāo)簽:光學(xué)顯微鏡半導(dǎo)體器件 872 0
碳化硅襯底材料能量損失更小。在相同的電壓和轉(zhuǎn)換頻率下,400V電壓時,碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的29%-60%之間;8...
2023-05-18 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體器件碳化硅 402 0
目前,常用電子封裝陶瓷基片材料包括氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)、氧化鈹(BeO)、碳化硅(SiC)等。那么,誰才是最有發(fā)...
2023-04-13 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體器件陶瓷材料 1438 0
該圖的縱軸是每個集成功能(半導(dǎo)體芯片)的組件(晶體管)數(shù)量。此外,由于它被寫成Log2,這表明晶體管的數(shù)量將呈指數(shù)增長。
2023-04-10 標(biāo)簽:晶體管半導(dǎo)體器件 5745 0
湖南科技大學(xué)材料學(xué)院在半導(dǎo)體器件散熱領(lǐng)域取得新進(jìn)展
氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料,在電力電子器件、大功率射頻器件、短波長光電器件以及5G通訊等領(lǐng)域具有硅半導(dǎo)體無法比擬的優(yōu)勢。然而,散熱問題是制約其...
2023-03-24 標(biāo)簽:氮化鎵晶格半導(dǎo)體器件 1016 0
淺談半導(dǎo)體裝備市場產(chǎn)能驅(qū)動和技術(shù)驅(qū)動
隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展,未來數(shù)年中裝備市場的宏觀增長速度會大概率繼續(xù)跑贏整體的器件市場。
2023-03-22 標(biāo)簽:臺積電半導(dǎo)體器件FinFET 620 0
GaN要快速擴(kuò)散至各應(yīng)用領(lǐng)域仍有層層關(guān)卡待突破
氮化鎵(GaN)主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料,是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表, 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。
中芯熱成是國內(nèi)首家專注于紅外量子點材料成像芯片領(lǐng)域的國家級高新技術(shù)企業(yè),針對量子點、納米線、二維材料及鈣鈦礦等新型光電材料提供陣列型成像芯片制備、測試及...
2023-03-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件新材料成像芯片 2157 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由(Bipolar Junction Transi...
2023-02-09 標(biāo)簽:IGBT晶體管半導(dǎo)體器件 1252 0
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