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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料(semiconductor material)是一類(lèi)具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。
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DISCO研磨盤(pán)FNNS-510000-0 21H017CW 適用加工領(lǐng)域
DISCO研磨盤(pán)FNNS-510000-0 21H017CW主要適用于半導(dǎo)體材料加工領(lǐng)域,具體如下: ?半導(dǎo)體材料加工?:該研磨盤(pán)是DISCO研磨機(jī)的重...
2025-07-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料研磨機(jī) 464 0
TMC2025觀察 |?功率半導(dǎo)體創(chuàng)新技術(shù)的20個(gè)前瞻故事(中篇)
以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-《TMC2025記錄|功率半導(dǎo)體創(chuàng)新技術(shù)》系列-文字原創(chuàng),素材來(lái)源:TMC現(xiàn)場(chǎng)記錄、廠商官網(wǎng)-本...
2025-06-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料功率半導(dǎo)體功率芯片 375 0
半導(dǎo)體材料發(fā)展史:從硅基到超寬禁帶半導(dǎo)體的跨越
半導(dǎo)體材料是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石,其發(fā)展史不僅是科技進(jìn)步的縮影,更是人類(lèi)對(duì)材料性能極限不斷突破的見(jiàn)證。從第一代硅基材料到第四代超寬禁帶半導(dǎo)體,每一代材料的...
2025-04-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料寬禁帶 712 0
化合積電推出硼摻雜單晶金剛石,推動(dòng)金剛石器件前沿應(yīng)用與開(kāi)發(fā)
【DT半導(dǎo)體】獲悉,化合積電為了大力推動(dòng)金剛石器件的應(yīng)用和開(kāi)發(fā)進(jìn)程,推出硼摻雜單晶金剛石,響應(yīng)廣大客戶在金剛石器件前沿研究的需求。 金剛石,作為超寬帶隙...
2025-02-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料金剛石 697 0
KAUST研發(fā)出千伏級(jí)藍(lán)寶石襯底AlN肖特基二極管
【研究梗概】: 超寬禁帶半導(dǎo)體氮化鋁具有超高擊穿電場(chǎng),在新型電子器件開(kāi)發(fā)中展現(xiàn)出巨大潛力,受到全球研究者的競(jìng)相關(guān)注。近日,沙特阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)先進(jìn)半...
2025-02-18 標(biāo)簽:二極管肖特基二極管半導(dǎo)體材料 410 0
中國(guó)成功在太空驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料功率器件
近日,中國(guó)在太空成功驗(yàn)證了首款國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件,這一突破性進(jìn)展標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體材料有望牽引中國(guó)航天電源系統(tǒng)升級(jí)換代,為中國(guó)航天事業(yè)以及相關(guān)...
2025-02-11 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體材料碳化硅 647 0
在電子電路設(shè)計(jì)中,信號(hào)整形是一個(gè)重要的環(huán)節(jié),它涉及到對(duì)信號(hào)波形的修改,以滿足特定的應(yīng)用需求。二極管作為一種基本的電子元件,因其獨(dú)特的單向?qū)щ娞匦?,在信?hào)...
2025-02-07 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體材料電子電路 573 0
在電子電路中,二極管和整流器是兩種非常重要的元件。它們都涉及到電流的單向流動(dòng)特性,但在結(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用場(chǎng)景上有所不同。 二極管的基本概念 二極管是一...
在現(xiàn)代電子技術(shù)中,二極管是一種不可或缺的元件。它的核心功能是允許電流單向流動(dòng),這一特性使其在多種電路設(shè)計(jì)中扮演著重要角色。 二極管的工作原理 二極管由一...
電阻器是電子電路中不可或缺的組件,它們的主要功能是限制電流的流動(dòng)和/或降低電壓。電阻器的性能和穩(wěn)定性在很大程度上取決于其制造材料和工藝。 電阻器材料 金...
2025-01-24 標(biāo)簽:電阻器半導(dǎo)體材料電子電路 3053 0
碳化硅作為一種新型半導(dǎo)體材料,因其高熱導(dǎo)率、高電子飽和速度和高擊穿電場(chǎng)等特性,被廣泛應(yīng)用于高溫、高壓和高頻電子器件中。然而,碳化硅材料中的缺陷,如微管、...
2025-01-24 標(biāo)簽:電子器件半導(dǎo)體材料電導(dǎo)率 1261 0
隨著科技的不斷進(jìn)步,光電器件在通信、能源、醫(yī)療和國(guó)防等領(lǐng)域扮演著越來(lái)越重要的角色。碳化硅(SiC)作為一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,因其出色的電學(xué)、熱學(xué)和光學(xué)性...
2025-01-24 標(biāo)簽:光電器件半導(dǎo)體材料碳化硅 709 0
近日,荷蘭特文特大學(xué)科學(xué)家開(kāi)發(fā)出一種新工藝,能在室溫下制造出晶體結(jié)構(gòu)高度有序的半導(dǎo)體材料。他們表示,通過(guò)精準(zhǔn)控制這種半導(dǎo)體材料的晶體結(jié)構(gòu),大幅降低了內(nèi)部...
2025-01-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料新材料 394 0
在現(xiàn)代電子技術(shù)中,高功率整流二極管是不可或缺的組件之一。它們不僅能夠承受高電流和高電壓,而且在轉(zhuǎn)換電能時(shí)具有高效率。 一、高功率整流二極管的基本原理 高...
2025-01-15 標(biāo)簽:整流二極管半導(dǎo)體材料高功率 789 0
光耦的制造工藝 1. 材料選擇 光耦的制造首先需要選擇合適的半導(dǎo)體材料,如硅、鍺等。這些材料需要具有優(yōu)良的光電特性,以確保光耦的高性能。 2. 芯片制備...
2025-01-14 標(biāo)簽:光耦制造工藝半導(dǎo)體材料 993 0
光敏電阻概述 光敏電阻,也稱(chēng)為光敏電阻器或光敏元件,是一種光敏元件,其電阻值隨入射光的強(qiáng)度變化而變化。它們通常由半導(dǎo)體材料制成,如硫化鎘(CdS)、硒化...
2025-01-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料光敏電阻光敏元件 1087 0
四方達(dá)子公司與匯芯通信簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
近日,四方達(dá)公司發(fā)布了一則重要公告,宣布其控股子公司河南天璇半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“河南天璇”)與深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“匯芯通...
2025-01-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料高頻器件匯芯通信 600 0
隨著科技的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)成為現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)的基石。在眾多半導(dǎo)體材料中,鎵因其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì),在半導(dǎo)體制造中占據(jù)了一席之地。 鎵的基本性質(zhì) ...
2025-01-06 標(biāo)簽:激光器半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體制造 1546 0
電子開(kāi)關(guān)常見(jiàn)故障及解決方法
一、電子開(kāi)關(guān)的基本原理 電子開(kāi)關(guān)通常由半導(dǎo)體材料制成,如硅或鍺。它們可以是雙極型晶體管(BJT)或金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些開(kāi)關(guān)...
2024-12-30 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管半導(dǎo)體材料電子開(kāi)關(guān) 1166 0
壓阻式壓力傳感器是一種利用半導(dǎo)體材料的壓阻效應(yīng)來(lái)測(cè)量壓力的傳感器。它具有體積小、重量輕、靈敏度高、響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于汽車(chē)、航空、醫(yī)療等領(lǐng)域。為...
2024-12-29 標(biāo)簽:電磁壓力傳感器半導(dǎo)體材料 643 0
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