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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料(semiconductor material)是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。
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壓阻式壓力傳感器因其高靈敏度、良好的線性特性和廣泛的應(yīng)用范圍,在工業(yè)和科研領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。 1. 壓阻式壓力傳感器的工作原理 壓阻式壓力傳感器的...
2024-12-29 標(biāo)簽:元件壓力傳感器半導(dǎo)體材料 929 0
壓阻式壓力傳感器因其高精度、高穩(wěn)定性和良好的線性響應(yīng)而受到青睞。在選擇壓阻式壓力傳感器時(shí),了解其工作原理和關(guān)鍵參數(shù)至關(guān)重要。 1. 工作原理 壓阻式壓力...
2024-12-29 標(biāo)簽:壓力傳感器半導(dǎo)體材料壓阻式 829 0
在現(xiàn)代工業(yè)和科研領(lǐng)域,壓力測(cè)量是一項(xiàng)基礎(chǔ)且重要的工作。壓阻式壓力傳感器因其高精度、高穩(wěn)定性和良好的線性響應(yīng)而廣泛應(yīng)用于各種壓力測(cè)量場(chǎng)合。 1. 壓阻式壓...
2024-12-29 標(biāo)簽:電橋壓力傳感器半導(dǎo)體材料 3344 0
歐盟委員會(huì)近日正式批準(zhǔn)了西班牙政府對(duì)Diamond Foundry位于特魯希略的金剛石晶圓制造廠提供的8100萬歐元(約合6.15億元人民幣)補(bǔ)貼。這一...
2024-12-27 標(biāo)簽:晶圓太陽能光伏半導(dǎo)體材料 620 0
隨著全球能源危機(jī)的加劇和環(huán)境污染問題的日益嚴(yán)重,尋找清潔、可再生的能源成為了全球能源發(fā)展的重點(diǎn)。光伏發(fā)電作為一種新型的清潔能源技術(shù),因其環(huán)保、可再生的特...
2024-12-26 標(biāo)簽:電流光伏發(fā)電半導(dǎo)體材料 1870 0
隨著全球能源需求的不斷增長和傳統(tǒng)能源的逐漸枯竭,新能源的開發(fā)利用成為了全球能源戰(zhàn)略的重要組成部分。光伏發(fā)電作為一種清潔、可再生的能源技術(shù),其原理和應(yīng)用在...
納米銀燒結(jié)技術(shù):SiC半橋模塊的性能飛躍
隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料,以其優(yōu)異的物理和化學(xué)性能在高壓、高頻、高溫等惡劣環(huán)境下展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。尤其在雷達(dá)...
2024-12-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 1522 0
NTC熱敏電阻的工作原理 NTC熱敏電阻的應(yīng)用領(lǐng)域
NTC熱敏電阻的工作原理 材料特性 :NTC熱敏電阻主要由半導(dǎo)體材料制成,如氧化錳、氧化鎳、氧化銅等。這些材料的導(dǎo)電性會(huì)隨著溫度的變化而變化。 電阻變化...
2024-12-17 標(biāo)簽:熱敏電阻NTC半導(dǎo)體材料 2728 0
安森美1.15億美元收購Qorvo碳化硅JFET技術(shù)業(yè)務(wù)
近日,安森美半導(dǎo)體公司宣布了一項(xiàng)重要的收購計(jì)劃,以1.15億美元現(xiàn)金收購Qorvo的碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET)技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司Unit...
2024-12-11 標(biāo)簽:安森美JFET半導(dǎo)體材料 571 0
β 相氧化鎵(β-Ga2O3)具有超寬半導(dǎo)體帶隙、高擊穿電場(chǎng)和容易制備等優(yōu)勢(shì),是功率器件的理想半導(dǎo)體材料。但由于 β-Ga2O3價(jià)帶頂能級(jí)位置低、能帶色...
2024-12-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料導(dǎo)電 3061 0
光伏是光生伏特效應(yīng)的簡(jiǎn)稱,而光伏發(fā)電則是利用這一效應(yīng)將光能直接轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿囊环N發(fā)電方式。以下是關(guān)于光伏原理和光伏發(fā)電基本概念的介紹: 一、光伏原理 光伏...
2024-12-05 標(biāo)簽:光伏光伏發(fā)電半導(dǎo)體材料 3414 0
晶體管電流放大器的原理 晶體管在功放電路中的應(yīng)用實(shí)例
晶體管電流放大器的原理 晶體管是一種半導(dǎo)體器件,能夠?qū)﹄娏鬟M(jìn)行控制和放大。晶體管的工作原理基于半導(dǎo)體材料的PN結(jié)特性。PN結(jié)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成...
晶體管基本原理與工作機(jī)制 如何選擇適合的晶體管型號(hào)
晶體管基本原理與工作機(jī)制 晶體管的發(fā)明標(biāo)志著電子技術(shù)的重大突破,它使得電子設(shè)備小型化、集成化成為可能。晶體管的工作原理基于半導(dǎo)體材料的PN結(jié)特性。 1....
電阻率隨溫度變化而變化的原因主要涉及到材料內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)和電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的變化。以下是對(duì)這一現(xiàn)象的介紹: 一、金屬導(dǎo)體 對(duì)于金屬導(dǎo)體而言,電阻率隨溫度變化的...
2024-12-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料金屬電阻率 4238 0
電阻率對(duì)電力傳輸?shù)挠绊?電阻率在半導(dǎo)體材料中的應(yīng)用
在現(xiàn)代電子技術(shù)中,電阻率是一個(gè)不可忽視的物理參數(shù)。它不僅影響著電力傳輸?shù)男?,而且在半?dǎo)體材料的設(shè)計(jì)和應(yīng)用中扮演著核心角色。 一、電阻率對(duì)電力傳輸?shù)挠绊?..
2024-12-02 標(biāo)簽:電流半導(dǎo)體材料電阻率 1584 0
隨著科技的不斷進(jìn)步,半導(dǎo)體材料的發(fā)展日新月異。碳化硅作為一種新型半導(dǎo)體材料,因其在高溫、高壓、高頻等極端環(huán)境下的卓越性能,正逐漸成為電子器件領(lǐng)域的重要材...
2024-11-29 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器電子器件半導(dǎo)體材料 845 0
碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅材料的特性與優(yōu)勢(shì)
碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅(SiC),作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性,在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力。以下是碳化硅的一些主要應(yīng)用領(lǐng)域:...
2024-11-29 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體材料碳化硅 5342 0
Micro USB接口在使用中應(yīng)避免以下幾個(gè)誤區(qū): 一、插拔不當(dāng) 暴力插拔 :避免直接用手扯著連接插頭的電線拉扯或用力拔出。這種暴力的插拔方式可能導(dǎo)致M...
碳化硅(SiC)在高溫環(huán)境下的表現(xiàn)非常出色,這得益于其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)。以下是對(duì)碳化硅在高溫環(huán)境下表現(xiàn)的分析: 一、高溫穩(wěn)定性 碳化硅具有極高的熔點(diǎn)...
2024-11-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 2386 0
隨著科技的不斷進(jìn)步,電子器件的性能要求也日益提高。傳統(tǒng)的硅(Si)材料在某些應(yīng)用中已經(jīng)接近其物理極限,尤其是在高溫、高壓和高頻領(lǐng)域。碳化硅(SiC)作為...
2024-11-25 標(biāo)簽:電子器件半導(dǎo)體材料SiC 1882 0
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