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半導體

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半導體（ semiconductor），指常溫下導電性能介于導體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導體制作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟發(fā)展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。

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半導體技術(shù)

基于CW32的智能語音分類垃圾桶設(shè)計

2023-11-06 標簽：半導體 PWM 智能語音 1855 0

細說三極管

晶體三極管出現(xiàn)之前是真空電子三極管在電子電路中以放大、開關(guān)功能控制電流。早期，由于鍺晶體較易獲得，主要研制應(yīng)用的是鍺晶體三極管。硅晶體出現(xiàn)后，由于硅管生...

2023-04-19 標簽：三極管半導體元器件 1854 0

深入剖析：封裝工藝對硅片翹曲的復(fù)雜影響

在半導體制造過程中，硅片的封裝是至關(guān)重要的一環(huán)。封裝不僅保護著脆弱的芯片免受外界環(huán)境的損害，還提供了芯片與外部電路的連接通道。然而，封裝過程中硅片的翹曲...

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集成芯片與芯粒技術(shù)詳解

隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，集成芯片和芯粒技術(shù)正在引領(lǐng)半導體領(lǐng)域的創(chuàng)新。集成芯片技術(shù)通過縮小元器件尺寸和提高集成度，實現(xiàn)了電子產(chǎn)品的微型化和高效能化。與此同...

2024-10-30 標簽：半導體系統(tǒng)級封裝集成芯片 1846 0

氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用

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IGBT短路時電流為什么那么大？

IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導體器件，因其高效率和快速開關(guān)特性而受到青睞。

2024-02-06 標簽：半導體 IGBT 晶體管 1843 0

氮氣柜是如何進行溫度、濕度和氧含量控制的？

氮氣柜的溫濕度控制標準并不統(tǒng)一，具體設(shè)定值主要取決于所存儲物料的特性與存儲要求。氮氣柜的溫度一般不直接控制，而是顯示并反映柜內(nèi)當前的環(huán)境溫度，因為氮氣柜...

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氮化鎵的重要性以及制備方法

GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一...

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常用半導體元件模型總結(jié)

從應(yīng)用角度對常用半導體元件模型作總結(jié)。

2023-05-22 標簽：半導體晶閘管元件 1841 0

高性能半導體電源開關(guān)IPD的特點

何謂IPD？ IPD是 Intelligent P ower D evice 的縮寫，是指內(nèi)置保護電路，可吸收感性負載等的能量的高性能半導體電源開關(guān)。 ...

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數(shù)碼管的結(jié)構(gòu)與原理

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2025-02-05 標簽：led 半導體數(shù)碼管 1837 0

半導體刻蝕工藝簡述(2)

嚴重的離子轟擊將產(chǎn)生大量的熱量，所以如果沒有適當?shù)睦鋮s系統(tǒng)，晶圓溫度就會提高。對于圖形化刻蝕，晶圓上涂有一層光刻膠薄膜作為圖形屏蔽層，如果晶圓溫度超過1...

2023-03-06 標簽：半導體等離子體晶圓 1836 0

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本文著眼于高功率FET表現(xiàn)出低的正向?qū)娮瑁≧DS（on））。雖然存在多種零件，但我們將討論限制在1/10Ω或更低的額定值。本文將研究P通道和N通道器...

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陶瓷基板與鋁基板的對比詳情

陶瓷基板是指銅箔下直接鍵合到氧化鋁（AI2O3）或氧化鋁（ALN）陶瓷基片表面（單面/雙面）上的特殊工藝板。所制成的超薄符合基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導...

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國瓷材料：DPC陶瓷基板國產(chǎn)化突破

氮化鋁為大功率半導體優(yōu)選基板材料。氧化鈹（BeO）、氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）和氮化硅（Si3N4）4 種材料是已經(jīng)投入生產(chǎn)應(yīng)用的主要陶瓷...

2023-05-31 標簽：半導體大功率陶瓷基板 1835 0

一種在單個晶片清潔系統(tǒng)中去除后處理殘留物的方法

提供了一種在單個晶片清潔系統(tǒng)中去除后處理殘留物的方法。該方法開始于向設(shè)置在襯底上方的鄰近頭提供第一加熱流體。然后，在基板的表面和鄰近頭的相對表面之間產(chǎn)生...

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基于Geode TMGX1處理器的應(yīng)用解決方案

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2020-03-13 標簽：機頂盒處理器半導體 1832 0

晶體管的延生、結(jié)構(gòu)及分類

晶體管的問世，是20世紀的一項重大發(fā)明，是微電子革命的先聲。晶體管出現(xiàn)后，人們就能用一個小巧的、消耗功率低的電子器件，來代替體積大、功率消耗大的電子管了...

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氮化鎵在射頻領(lǐng)域的優(yōu)勢盤點

氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導體晶體，也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常...

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什么是結(jié)型場效應(yīng)晶體管

結(jié)型場效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡稱JFET）是一種基于場效應(yīng)原理工作的三端有源器件，其特點在于通過...

2024-08-15 標簽：半導體 JFET 晶體管 1826 0

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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進行靜電中和等。
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wifi模塊ESP8266的默認波特率是115200，但是單片機不能達到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。

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