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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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周四 (17 日) 中國財(cái)政部、發(fā)改委等四大部門宣布,為了促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)朝向高質(zhì)量發(fā)展,政府鼓勵(lì) IC 電路線寬小于 28 納米以下、且營運(yùn)在 15 年...
基于DSP芯片TMS320F2812實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體激光器電源的設(shè)計(jì)
目前,半導(dǎo)體激光(LD)已廣泛應(yīng)用于通信、信息檢測、醫(yī)療和精密加工與軍事等許多領(lǐng)域。激光電源是激光裝置的重要組成部分,其性能的好壞直接影響到整個(gè)激光器裝...
IGBT的結(jié)構(gòu)組成特點(diǎn)是什么
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種半導(dǎo)體器件,具有柵極、集電極和發(fā)射極三個(gè)引腳。其工作原理與MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)相似,但同時(shí)具...
如何通過霍爾效應(yīng)測量半導(dǎo)體中電子和空穴的遷移率?
在半導(dǎo)體中,除了能帶寬度外,一個(gè)重要的物理量是電荷載流子(電子和空穴)的遷移率。在本教程中,我們將研究霍爾效應(yīng),這使我們能夠?qū)嶒?yàn)性地確定半導(dǎo)體中的這一物...
2024-10-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測量 1789 0
詳解運(yùn)算放大器線性應(yīng)用的三個(gè)重點(diǎn)
詳解運(yùn)算放大器線性應(yīng)用的三個(gè)重點(diǎn)
2023-11-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體運(yùn)算放大器運(yùn)放 1788 0
質(zhì)量控制設(shè)備是芯片制造的關(guān)鍵核心設(shè)備之一,對于確保芯片生產(chǎn)的高良品率起著至關(guān)重要的作用。集成電路制造流程復(fù)雜,涉及眾多工藝步驟,每一道工序都需要達(dá)到近乎...
引言 Cu作為深度亞微米的多電級器件材料,由于其電阻低、電遷移電阻高和電容降低,與鋁相比的時(shí)間延遲。本文從理論和實(shí)驗(yàn)上研究了檸檬酸基銅化學(xué)機(jī)械平坦化后二...
在電力電子領(lǐng)域,逆導(dǎo)晶閘管作為一種特殊的半導(dǎo)體器件,憑借其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和功能,在工業(yè)自動(dòng)化、能源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。本文將詳細(xì)解析逆導(dǎo)晶閘管的定義、...
在N型半導(dǎo)體中自由電子是多數(shù)載流子,它主要由雜質(zhì)原子提供; 空穴是少數(shù)載流子, 由熱激發(fā)形成。 提供自由電子的五價(jià)雜質(zhì)原子因帶正電荷而成為正離子,因此五...
如何用半導(dǎo)體參數(shù)分析儀進(jìn)行斜坡法準(zhǔn)靜態(tài)C-V測量?
電容電壓(C-V)測量通常采用交流測量技術(shù)。而一些電容測量需要直流測量技術(shù),被稱為準(zhǔn)靜態(tài)C-V(或QSCV)測量,因?yàn)樗鼈兪窃诜浅5偷臏y試頻率下進(jìn)行的,...
解讀半導(dǎo)體對物聯(lián)網(wǎng)的重要意義
IoT的基本概念是把內(nèi)建感測器的各種“東西”連接在一起,這些裝置涵蓋了從工業(yè)和汽車設(shè)備、到消費(fèi)性穿戴裝置,它們可透過網(wǎng)際網(wǎng)路來交換彼此的重要訊息。功能強(qiáng)...
2017-10-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體物聯(lián)網(wǎng)無線通信 1778 0
CMOS全稱是Complementary Metal-Oxide-Semiconductor。中文學(xué)名為互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體。
2022-11-16 標(biāo)簽:CMOS半導(dǎo)體計(jì)算機(jī) 1777 0
1)軍事和宇航領(lǐng)域:通訊導(dǎo)航、敵我識(shí)別器、雷達(dá)、傳感器、制導(dǎo)系統(tǒng)、引信、電子戰(zhàn)、聲納; 2)科研與計(jì)量:原子鐘、測量設(shè)備、遙測、遙感、遙控; 3)工...
如何在Zemax中載入熱和結(jié)構(gòu)變形數(shù)據(jù)?
Zemax的STAR模塊能夠?qū)EA數(shù)據(jù)包的熱和結(jié)構(gòu)變形數(shù)據(jù)直接導(dǎo)入到Zemax中,以分析對光學(xué)系統(tǒng)性能的影響。
如何利用Virtex-5器件實(shí)現(xiàn)最小功耗
過渡至65納米工藝的FPGA具備采用更小尺寸工藝所帶來的優(yōu)勢:低成本、高性能和更強(qiáng)的邏輯能力。盡管這些優(yōu)勢能夠?yàn)楦呒壪到y(tǒng)設(shè)計(jì)帶來激動(dòng)人心的機(jī)會(huì),但65納...
UCIe1.0規(guī)范針對的使用模式、封裝技術(shù)和性能指標(biāo)
戈登·摩爾(Gordon Moore)在他提出了“摩爾定律”[1]的開創(chuàng)性論文中預(yù)測了“清算日”的到來——“用分別封裝并相互連接的多個(gè)小功能系統(tǒng)構(gòu)建大型...
從實(shí)際情況上看,目前多數(shù)SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進(jìn)行生產(chǎn),而6英寸和8英寸的可用面積大約相差1.78倍,這也就意味著8英寸制造將會(huì)在很大程度上降...
最近在外延膜的導(dǎo)電率控制和高質(zhì)量塊狀氧化鋅襯底的可用性方面的進(jìn)展重新引起了我們對用于紫外光發(fā)射器和透明電子器件的氧化鋅/氧化鋅/氧化鋅異質(zhì)結(jié)構(gòu)系統(tǒng)的興趣。
半導(dǎo)體工藝中化學(xué)機(jī)械拋光后刷洗的理論分析
摘要 化學(xué)機(jī)械平面化后的葉片清洗,特別是刷子擦洗,是半導(dǎo)體器件制造的一個(gè)關(guān)鍵步驟,尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數(shù)方法用于評估在刷擦洗過程中去除晶圓表面...
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