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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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氣體傳感器是氣體檢測(cè)系統(tǒng)的核心,通常安裝在探測(cè)頭內(nèi)。從本質(zhì)上講,氣體傳感器是一種將某種氣體體積分?jǐn)?shù)轉(zhuǎn)化成對(duì)應(yīng)電信號(hào)的轉(zhuǎn)換器。探測(cè)頭通過氣體傳感器對(duì)氣體樣...
是通過加熱蒸散后形成膜進(jìn)行吸氣。非蒸散型吸氣材料是激活后形狀不變,常溫下即可與活性氣體形成穩(wěn)定化合物進(jìn)行吸氣。蒸散型吸氣材料工作時(shí)會(huì)帶來蒸散的金屬原子,...
盡管存在從流變學(xué)角度描述旋涂工藝的理論,但實(shí)際上光刻膠厚度和均勻性隨工藝參數(shù)的變化必須通過實(shí)驗(yàn)來確定。光刻膠旋轉(zhuǎn)速度曲線(圖 1-3)是設(shè)置旋轉(zhuǎn)速度以獲...
集成電路(IC)的制造需要在半導(dǎo)體(例如,硅)襯底上執(zhí)行的各種物理和化學(xué)過程。通常,用于制造 IC 的各種工藝分為三類:薄膜沉積、圖案化和半導(dǎo)體摻雜。導(dǎo)...
Nanodcal半導(dǎo)體器件的復(fù)能帶計(jì)算功能
Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計(jì)算軟件,主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運(yùn)過...
雙向觸發(fā)二極管,簡(jiǎn)稱DIAC,是一個(gè)重要的半導(dǎo)體器件。它與晶體管非常相似,因此更嚴(yán)格地稱為晶體管而不是晶閘管。然而,DIAC在三端雙向可控硅(TRIAC...
鈣鈦礦發(fā)光二極管(鈣鈦礦 LED)是一種在顯示、照明、通訊等領(lǐng)域均有重要潛力的新興技術(shù)。除了具有制備容易等成本優(yōu)勢(shì),鈣鈦礦 LED 還具有可柔性制備、厚...
NPC復(fù)合負(fù)極材料在嵌鋰/脫鋰過程中反應(yīng)機(jī)理的本質(zhì)原因
鋰離子電池是可再生能源利用、大規(guī)模儲(chǔ)能、新能源汽車、消費(fèi)電子和微納器件等產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵支撐,是實(shí)現(xiàn)“碳達(dá)峰、碳中和”目標(biāo)的重要基礎(chǔ)技術(shù)。
基于可調(diào)柔性能量存儲(chǔ)裝置的新型感算集成系統(tǒng)
隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)及智慧醫(yī)療等新型信息交互領(lǐng)域的發(fā)展,基于傳統(tǒng)馮諾依曼架構(gòu)的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)以及工藝迭代帶來的算力提升越來越難以滿足數(shù)據(jù)處理及復(fù)雜神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模...
2022-08-18 標(biāo)簽:傳感器半導(dǎo)體計(jì)算機(jī) 964 0
過去幾十年來,半導(dǎo)體行業(yè)一直按照摩爾定律的規(guī)律發(fā)展,憑借著芯片制造工藝的迭代,使得每18個(gè)月芯片性能提升一倍。但是當(dāng)工藝演進(jìn)到5nm,3nm節(jié)點(diǎn),提升晶...
如果不考慮諸如簡(jiǎn)單羅盤之類的傾斜,則僅使用X軸和Y軸的值。當(dāng)考慮傾斜時(shí),需要將地磁傳感器的3軸值與加速度傳感器相結(jié)合,將其校正到正確的方向。
時(shí)鐘領(lǐng)域及其未來技術(shù)發(fā)展是半導(dǎo)體行業(yè)的熱門研發(fā)方向之一。
2022-08-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體時(shí)鐘抖動(dòng)時(shí)鐘樹 2128 0
在現(xiàn)代半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中,存在著諸如集成電路(IC)和印刷電路板(PCB)等假冒產(chǎn)品,嚴(yán)重危害了電子系統(tǒng)的安全性和可靠性,也造成了供應(yīng)商利潤(rùn)和聲譽(yù)的損失?,F(xiàn)...
隨著集成電路制造工藝不斷進(jìn)步,半導(dǎo)體器件的體積正變得越來越小,這也導(dǎo)致了非常微小的顆粒也變得足以影響半導(dǎo)體器件的制造和性能,槽式清洗工藝已經(jīng)不能滿足需求...
目前,在國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體器件制造工藝中,用等離子去膠工藝代替常規(guī)化學(xué)溶劑去膠及高溫氧氣去膠已獲得顯著效果,越來越引起半導(dǎo)體器件制造者的重視。由于該工藝操作簡(jiǎn)...
EMC防護(hù)中半導(dǎo)體遠(yuǎn)場(chǎng)輻射
電磁輻射可能或輻射或傳導(dǎo),后者為噪聲電壓或電流噪聲。 一般來講,半導(dǎo)體器件是 EME 的來源,如微控制器。眾所周知,越接近噪聲源,電磁輻射的對(duì)策越廉價(jià)。...
如圖1 所示,半導(dǎo)體激光器發(fā)出的子午光線先經(jīng)過母線平行于激光束慢軸方向的柱透鏡后變成準(zhǔn)平行光束( 平行光束不可能實(shí)現(xiàn)) 。由于第2 個(gè)柱透鏡M2對(duì)于子午...
每一個(gè)MOS管都提供有三個(gè)電極:Gate柵極(表示為“G”)、Source源極(表示為“S”)、Drain漏極(表示為“D”)。接線時(shí),對(duì)于N溝道的電源...
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