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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

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半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

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半導(dǎo)體技術(shù)

關(guān)于硫酸-過氧化氫-水系統(tǒng)中砷化鎵的化學(xué)蝕刻研究報(bào)告

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摘要 我們?nèi)A林科納對(duì)h2so4-h202-h20體系中(100)砷化鎵的蝕刻情況進(jìn)行了詳細(xì)的研究。研究了特定蝕刻劑成分的濃度對(duì)蝕刻速率和晶體表面形狀的影...

2022-01-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體化學(xué)蝕刻 2915 0

如何選擇應(yīng)用于電機(jī)控制的MOSFET

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))大至功率變換器,小至內(nèi)存、CPU等各類電子設(shè)備核心元件,哪里都少不了MOSFET的應(yīng)用。MOSFET作為一種半導(dǎo)體器件,既...

2022-01-19 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體電機(jī) 3731 0

pt100熱電阻的測溫范圍是多少

熱電阻是中低溫區(qū)最常用的一種溫度檢測器。它的主要特點(diǎn)是測量精度高,性能穩(wěn)定。其中鉑熱是阻的測量精確度是最高的,它不僅廣泛應(yīng)用于工業(yè)測溫,而且被制成標(biāo)準(zhǔn)的...

2022-02-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體熱電阻 3.2萬 0

免費(fèi)電子電路仿真工具ROHM Solution Simulator

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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向汽車和工業(yè)設(shè)備等電子電路設(shè)計(jì)者和系統(tǒng)設(shè)計(jì)者,在ROHM官網(wǎng)上公開了一款在線仿真工具“ROHM Sol...

2022-01-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體元器件設(shè)備 6555 0

關(guān)于氧化鋅的基本性質(zhì)和應(yīng)用的報(bào)告

關(guān)于氧化鋅的基本性質(zhì)和應(yīng)用的報(bào)告

本文概述了氧化鋅的基本性質(zhì),包括晶體結(jié)構(gòu)、能帶結(jié)構(gòu)和熱性質(zhì),并介紹了其應(yīng)用前景、氧化鋅塊體、薄膜和納米結(jié)構(gòu),氧化鋅的機(jī)械性質(zhì)、基本電子和光學(xué)性質(zhì)以及潛在...

2022-01-18 標(biāo)簽:顯示器半導(dǎo)體晶體 4613 0

半導(dǎo)體硅太陽能電池基板的濕化學(xué)處理及電子界面特性

半導(dǎo)體硅太陽能電池基板的濕化學(xué)處理及電子界面特性

引言 硅(Si)在半導(dǎo)體器件制造中的大多數(shù)技術(shù)應(yīng)用都是基于這種材料的特定界面性能。二氧化硅(二氧化硅)可以通過簡單的氧化方法在硅表面制備,其特點(diǎn)是高化學(xué)...

2022-01-13 標(biāo)簽:太陽能半導(dǎo)體電子 2213 0

用于刻蝕多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物

用于刻蝕多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物

硅表面常用的HF-HNO3-H2O蝕刻混合物的反應(yīng)行為因?yàn)榱蛩峒尤攵艿斤@著影響。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的...

2022-01-13 標(biāo)簽:多晶硅半導(dǎo)體晶圓 4039 0

半導(dǎo)體有機(jī)酸清洗液中的銅的蝕刻速率和氧化機(jī)理分析

半導(dǎo)體有機(jī)酸清洗液中的銅的蝕刻速率和氧化機(jī)理分析

引言 用電化學(xué)和原子力顯微鏡方法對(duì)有機(jī)酸與銅的相互作用進(jìn)行了表征可以建立用于濕銅加工的高效清洗公式。本文研究了單有機(jī)酸、二有機(jī)酸和三有機(jī)酸中銅的蝕刻速率...

2022-01-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電化學(xué)蝕刻 2848 0

關(guān)于晶體硅太陽能電池單面濕法化學(xué)拋光的方法

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引言 高效太陽能電池需要對(duì)硅片的正面和背面進(jìn)行單獨(dú)處理。在現(xiàn)有技術(shù)中,電池的兩面都被紋理化,導(dǎo)致表面相當(dāng)粗糙,這對(duì)背面是不利的。因此,在紋理化后直接引入...

2022-01-12 標(biāo)簽:太陽能電池太陽能半導(dǎo)體 3359 0

在氯化鈉-異丙醇溶液中的表面鈍化和形態(tài)

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引言 原子平面的制備是半導(dǎo)體基板上原子尺度操作的必要前提。由于自組裝現(xiàn)象或使用原子探針技術(shù)操縱單個(gè)原子,只有原子平面的表面才能產(chǎn)生可重復(fù)制造納米級(jí)原子結(jié)...

2022-01-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體砷化鎵鈍化 1710 0

先進(jìn)清洗技術(shù)提高晶體硅太陽能電池效率

先進(jìn)清洗技術(shù)提高晶體硅太陽能電池效率

引言 晶體硅光伏效率和場退化領(lǐng)域的技術(shù)差距/需求已經(jīng)被確定。效率低下和快速退化的原因可能有共同的根源。極少量的污染會(huì)導(dǎo)致光伏效率低下,并且在現(xiàn)場安裝后暴...

2022-01-10 標(biāo)簽:太陽能電池太陽能半導(dǎo)體 1699 0

碳化硅在堿性溶液中的陽極刻蝕

碳化硅在堿性溶液中的陽極刻蝕

引言 人們對(duì)用于器件應(yīng)用的碳化硅(SiC)重新產(chǎn)生了濃厚的興趣。它具有良好的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù),可以作為第三族氮化物外延生長的襯底。在許多應(yīng)用領(lǐng)域,例...

2022-01-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 2357 0

微氣泡對(duì)光刻膠層的影響

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關(guān)鍵詞:氧氣、微氣泡、光刻膠、高劑量離子注入、氣水界面 介紹? ??? 微氣泡是一種很有前途的環(huán)保光刻膠去除方法的候選方法。已經(jīng)證明,臭氧微氣泡可以去除...

2022-01-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體光刻晶片 1795 0

混合鋁蝕刻劑的化學(xué)特性分析

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摘要 我們?nèi)A林科納研究了正磷酸、聚磷酸、和鐵(III)氯化物蝕刻劑對(duì)工藝條件變化的敏感性,以確定該蝕刻劑系統(tǒng)在純鋁電路光刻制造中的潛在生產(chǎn)應(yīng)用。溫度變化...

2022-01-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體印刷電路蝕刻 1616 0

使用單一晶圓加工工具蝕刻晶圓背面薄膜的方法

使用單一晶圓加工工具蝕刻晶圓背面薄膜的方法

引言 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,為了在有限的面積內(nèi) 形成很多器件,技術(shù)正在向多層結(jié)構(gòu)發(fā)展。要想形成多層結(jié)構(gòu),會(huì)形成比現(xiàn)有更多的薄膜層 ,這時(shí)晶片背面也會(huì)堆積...

2022-01-05 標(biāo)簽:pcb半導(dǎo)體晶圓 1372 0

用于異質(zhì)結(jié)太陽能電池應(yīng)用的Na2CO3溶液的硅片紋理化

用于異質(zhì)結(jié)太陽能電池應(yīng)用的Na2CO3溶液的硅片紋理化

引言 在太陽能電池工業(yè)中,最常見的紋理化方法之一是基于氫氧化鈉或氫氧化鉀的水溶液和異丙醇(IPA)。然而,IPA是有毒的,而且相對(duì)昂貴,因此人們正在努力...

2022-01-05 標(biāo)簽:太陽能電池太陽能半導(dǎo)體 1434 0

二氧化硅玻璃陶瓷刻蝕化學(xué)及HF輔助刻蝕的觀察

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關(guān)鍵詞:玻璃陶瓷;氫氟酸;蝕刻條件;蝕刻速率;機(jī)制 引言 我們江蘇華林科納研究了氧化鎂-氧化鋁-二氧化硅玻璃陶瓷在氫氟酸中的腐蝕條件和機(jī)理。結(jié)果表明,在...

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寫在前面在模擬電路的學(xué)習(xí)過程中,你可能或多或少聽過《你好,放大器》《新概念模擬電路》的名頭,或者通過它們學(xué)習(xí)過模電的相關(guān)知識(shí)。該系列叢書由西安交通大學(xué)電...

2022-01-01 標(biāo)簽:模擬電路半導(dǎo)體跟隨器 4066 0

利用反激式控制器LT8316擴(kuò)展電源電壓

傳統(tǒng)的高壓隔離反激式轉(zhuǎn)換器利用光耦合器將穩(wěn)壓信息從次級(jí)側(cè)基準(zhǔn)電源電路傳輸?shù)匠跫?jí)側(cè),由此實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確穩(wěn)壓。問題在于光耦合器會(huì)大大增加隔離設(shè)計(jì)的復(fù)雜性:存在傳播...

2022-01-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電容IC 2524 0

化學(xué)蝕刻的銅-ETP銅的實(shí)驗(yàn)分析

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引言 化學(xué)蝕刻是通過與強(qiáng)化學(xué)溶液接觸來控制工件材料的溶解。該過程可以應(yīng)用于任何材料。銅是利用化學(xué)腐蝕工藝制造微電子元件、微工程結(jié)構(gòu)和精密零件中廣泛使用的...

2021-12-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體蝕刻蝕刻工藝 2949 0

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    靜電防護(hù)
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  • ESP8266
    ESP8266
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