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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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以碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體,可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作,同時(shí)消耗電力更少,持久性和可靠性更強(qiáng),將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、...
WD4000系列晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng):全面支持半導(dǎo)體制造工藝量測(cè),保障晶圓制造工藝質(zhì)量
晶圓面型參數(shù)厚度、TTV、BOW、Warp、表面粗糙度、膜厚、等是芯片制造工藝必須考慮的幾何形貌參數(shù)。其中TTV、BOW、Warp三個(gè)參數(shù)反映了半導(dǎo)體晶...
利用氧化和“轉(zhuǎn)化-蝕刻”機(jī)制對(duì)富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言
器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開(kāi)發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來(lái),原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)...
Verilog-A對(duì)緊湊型模型的支持逐步完善,在模型的實(shí)現(xiàn)上扮演越來(lái)越重要的角色,已經(jīng)成為緊湊模型開(kāi)發(fā)的新標(biāo)準(zhǔn)。而且Verilog-A能夠在抽象級(jí)別和應(yīng)...
ZnGeP2的本征缺陷計(jì)算(非輻射俘獲系數(shù)計(jì)算CDC)
針對(duì)任一半導(dǎo)體,DASP軟件可以計(jì)算給出如下性質(zhì):熱力學(xué)穩(wěn)定性、元素化學(xué)勢(shì)空間的穩(wěn)定范圍、缺陷(含雜質(zhì),下同)形成能、缺陷轉(zhuǎn)變能級(jí)、各生長(zhǎng)條件下的費(fèi)米能...
為摩爾定律“續(xù)命”,Chiplets技術(shù)能行嗎
Chiplet也稱(chēng)為“小芯片”或“芯?!?,它是一種功能電路塊,包括可重復(fù)使用的IP塊。出于成本和良率等考慮,一個(gè)功能豐富且面積較大的芯片裸片(die)可...
LU是 Latch Up的簡(jiǎn)寫(xiě),即閂鎖效應(yīng),也叫可控硅效應(yīng),表征芯片被觸發(fā)低阻抗通路后、電源VDD到GND之間能承受的最大電流。非車(chē)規(guī)芯片的規(guī)格書(shū)中通常...
寬禁帶半導(dǎo)體如何改進(jìn)可再生能源設(shè)計(jì)?
幾十年來(lái),以MOSFET和IGBT為代表的硅技術(shù)一直是功率逆變器的主要開(kāi)關(guān)解決方案。這兩種器件自問(wèn)世以來(lái)就一直在通過(guò)改進(jìn)設(shè)計(jì)來(lái)降低轉(zhuǎn)換器中的開(kāi)關(guān)損耗,以...
隨著摩爾定律的放緩,半導(dǎo)體行業(yè)越來(lái)越多地采用芯片設(shè)計(jì)和異構(gòu)集成封裝來(lái)繼續(xù)推動(dòng)性能的提高。這種方法是將大型硅芯片分割成多個(gè)較小的芯片,分別進(jìn)行設(shè)計(jì)、制造和...
2024-11-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)集成封裝 1293 0
本文匯集了 SiC MOSFET 最新結(jié)果的特定方面,涉及由于應(yīng)用交流柵極偏置應(yīng)力(也稱(chēng)為柵極開(kāi)關(guān)應(yīng)力)導(dǎo)致的閾值電壓 (VT) 退化及其影響溝槽幾何器...
半導(dǎo)體迎來(lái)物聯(lián)網(wǎng)新市場(chǎng) 迷你晶圓廠現(xiàn)身
半導(dǎo)體技術(shù)無(wú)疑是推動(dòng)人類(lèi)文明進(jìn)展的重要助力,從電腦、手機(jī)到現(xiàn)在的行動(dòng)運(yùn)算與智能裝置,沒(méi)有半導(dǎo)體,也就不會(huì)出現(xiàn)這些一再改變?nèi)祟?lèi)生活面貌的科技?,F(xiàn)在,半導(dǎo)體...
2016-09-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體物聯(lián)網(wǎng)迷你晶圓廠 1292 0
LM3102/-Q1同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的性能特性和應(yīng)用范圍
LM3102/-Q1 SIMPLE SWTCHER 同步整流降壓轉(zhuǎn)換器具備實(shí)現(xiàn)高效、經(jīng)濟(jì)高效型降壓穩(wěn)壓器所需的全部功能。該器件可為負(fù)載提供 2.5A 電...
2020-10-28 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體汽車(chē)電子 1292 0
電力電子應(yīng)用如何選擇合適的探頭進(jìn)行測(cè)試
該技術(shù)主要涵蓋四個(gè)關(guān)鍵類(lèi)別:AC/DC整流器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/AC逆變器和AC/AC轉(zhuǎn)換器。工業(yè)應(yīng)用多種多樣,對(duì)分布式發(fā)電(DG)、微電網(wǎng)(MG...
2022-10-21 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件 1289 0
本發(fā)明涉及一種去除光刻膠的方法,更詳細(xì)地說(shuō),是一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法,該方法適合于在半導(dǎo)體裝置的制造過(guò)程中進(jìn)行吹掃以去除光刻膠。在半導(dǎo)體裝置的制...
源表是一種多功能的電子測(cè)試儀器,它結(jié)合了電源供應(yīng)器、萬(wàn)用表和數(shù)據(jù)記錄器的功能,廣泛用于半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試、材料特性分析、電池測(cè)試和電子元件測(cè)試等領(lǐng)域。
展嶸充電站測(cè)評(píng):內(nèi)置電感電容,EM6911打造強(qiáng)勁充電“芯”模組
近期,鈺泰半導(dǎo)體推出了創(chuàng)新的充電“芯”模塊EM6911,這一內(nèi)部集成了大功率電感和電容的芯片,具備超小封裝,專(zhuān)為滿足智能終端產(chǎn)品小型化和便攜性的需求而設(shè)...
在半導(dǎo)體行業(yè),倒裝芯片(Flip Chip)技術(shù)以其高密度、高性能和短互連路徑等優(yōu)勢(shì),逐漸成為高性能集成電路(IC)封裝的主流選擇。倒裝芯片技術(shù)通過(guò)將芯...
基于Semtech的LoRa擴(kuò)頻通信技術(shù)實(shí)現(xiàn)的超長(zhǎng)距離低功耗物聯(lián)網(wǎng)解決方案
致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商大聯(lián)大控股宣布,其旗下友尚推出基于Semtech的LoRa擴(kuò)頻通信技術(shù)實(shí)現(xiàn)的超長(zhǎng)距離低功耗物聯(lián)網(wǎng)解決方案,該方...
2018-02-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體通信技術(shù)物聯(lián)網(wǎng) 1280 0
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